静电吸盘的盘面损伤的修复方法技术

一种静电吸盘的盘面损伤的修复方法，所述方法包括：提供待修复静电吸盘，所述待修复静电吸盘的盘面结构为可拆卸的；采用第一离子注入工艺，向所述待修复静电吸盘的盘面结构进行离子注入；其中，所述进行离子注入的掺杂离子与所述待修复静电吸盘的盘面结构的表面材料的元素相同。本发明专利技术方案可以对待修复静电吸盘的盘面结构的表面材料层进行补充，从而对该盘面结构的盘面损伤进行修复。

Repair method of disc surface damage of electrostatic sucker

A method for repairing the disc surface damage of an electrostatic sucker includes: providing an electrostatic sucker to be repaired, the disc surface structure of the electrostatic sucker to be repaired is detachable; using the first ion implantation process, ion implantation is carried out on the disc surface structure of the electrostatic sucker to be repaired; and the ion implantation is carried out on the disc surface structure of the electrostatic sucker to be repaired The element of the doped ion is the same as that of the surface material of the disc surface structure of the electrostatic chuck to be repaired. The scheme of the invention can supplement the surface material layer of the disc structure for repairing the electrostatic sucker, thereby repairing the disc damage of the disc structure.

【技术实现步骤摘要】
静电吸盘的盘面损伤的修复方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种静电吸盘的盘面损伤的修复方法。
技术介绍
在半导体制造的多个工艺中，均需要将晶圆固定在静电吸盘上，以对该晶圆进行加工处理及传输。在现有技术中，静电吸盘(ElectrostaticChuck，ESC)装置通常包括盘面结构以及用于支撑该盘面结构的支撑结构。其中，所述盘面结构的表面材料通常采用碳层，所述表面材料的下一层材料通常采用橡胶材料。在晶圆的传输过程中，为了保持稳定性，晶圆与吸盘之间需要持续的吸合(Load)及分离(Unload)。然而，在制造过程中，不可避免的会出现表面碳层受到污染或破损的情况，容易导致晶圆在传输过程中移位甚至掉落，进而影响产能。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种静电吸盘的盘面损伤的修复方法，可以对待修复静电吸盘的盘面结构的表面材料层进行补充，从而对该盘面结构的盘面损伤进行修复。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种静电吸盘的盘面损伤的修复方法，包括：提供待修复静电吸盘，所述待修复静电吸盘的盘面结构为可拆卸的；采用第一离子注入工艺，向所述待修复静电吸盘的盘面结构进行离子注入；其中，所述进行离子注入的掺杂离子与所述待修复静电吸盘的盘面结构的表面材料的元素相同。可选的，向所述待修复静电吸盘的盘面结构进行离子注入包括：将离子注入设备内的静电吸盘的盘面结构替换为所述待修复静电吸盘的盘面结构；在未放置有晶圆的情况下，采用所述离子注入设备对所述待修复静电吸盘的盘面结构进行离子注入。可选的，所述进行离子注入的掺杂离子为碳离子，所述待修复静电吸盘的盘面结构的表面材料为碳；所述第一离子注入工艺的工艺参数包括：反应气体为含碳气体。可选的，所述反应气体选自：CO2以及CO。可选的，所述第一离子注入工艺的工艺参数还包括：注入能量为6KeV至15KeV；注入剂量为2E15atom/cm2至1E16atom/cm2。可选的，在采用第一离子注入工艺，向所述待修复静电吸盘的盘面结构进行离子注入之前，所述静电吸盘的盘面损伤的修复方法还包括：采用第二离子注入工艺，向所述待修复静电吸盘的盘面结构进行离子注入。可选的，所述第二离子注入工艺的工艺参数包括：反应气体为惰性气体。可选的，所述反应气体选自：氦气、氖气以及氩气。可选的，所述第二离子注入工艺的工艺参数还包括：注入能量为2KeV至5KeV；注入剂量为2E15atom/cm2至1E16atom/cm2。可选的，所述第二离子注入工艺的工艺参数还包括：注入时长为2分钟至3分钟。与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：在本专利技术实施例中，提供待修复静电吸盘，所述待修复静电吸盘的盘面结构为可拆卸的；采用第一离子注入工艺，向所述待修复静电吸盘的盘面结构进行离子注入；其中，所述进行离子注入的掺杂离子与所述待修复静电吸盘的盘面结构的表面材料的元素相同。采用上述方案，通过向待修复静电吸盘的盘面结构进行离子注入，可以对待修复静电吸盘的盘面结构的表面材料层进行补充，从而对该盘面结构的盘面损伤进行修复。进一步，通过将待修复静电吸盘的盘面结构替换至离子注入设备内，进而在未放置有晶圆的情况下，采用所述离子注入设备对所述待修复静电吸盘的盘面结构进行离子注入，可以对非离子注入设备的静电吸盘的盘面结构的表面材料进行补充，从而对该盘面结构的盘面损伤进行修复。进一步，向所述待修复静电吸盘的盘面结构进行离子注入之前，还可以采用第二离子注入工艺，向所述待修复静电吸盘的盘面结构进行离子注入，从而实现对待修复静电吸盘的盘面结构的表面进行清洁，通过复用离子注入工艺，有助于提高盘面结构的表面清洁度，进一步提高修复效果。附图说明图1是现有技术中一种静电吸盘的剖面结构示意图；图2是本专利技术实施例中一种静电吸盘的盘面损伤的修复方法的流程图；图3至图4是本专利技术实施例中一种静电吸盘的盘面损伤的修复方法中各步骤对应的静电吸盘的剖面结构示意图。具体实施方式在半导体制造的多个工艺中，均需要将晶圆固定在静电吸盘上，以对该晶圆进行加工处理及传输。然而，容易发生晶圆在传输过程中移位甚至掉落的问题，进而影响产能。参照图1，图1是现有技术中一种静电吸盘的剖面结构示意图。所述静电吸盘可以包括基座100以及盘面结构110。其中，所述基座100用于支撑该盘面结构110，晶圆120可以放置于所述盘面结构110的表面。其中，所述盘面结构110可以包括表面材料层111以及其余材料层112。具体地，所述表面材料层111的材料通常为碳(Carbon)，所述其余材料层112的第一层材料，也即所述表面材料层111的下一层材料通常采用橡胶材料。本专利技术的专利技术人经过研究发现，在现有技术中，会出现表面材料层111受到污染或破损的情况，而在晶圆120的传输过程中，为了保持稳定性，晶圆120与静电吸盘之间需要持续的吸合及分离，容易导致晶圆120在传输过程中移位甚至掉落。在现有的修复技术中，需要对静电吸盘进行拆卸及返修，耗费大量人力物力。进而由于多数静电吸盘放置于真空环境中，还需要额外进行停机、破真空的操作，导致修复成本较高。具体而言，如果所述表面材料层111受到污染，可能会导致污染区域的晶圆120发生翘起，进而容易掉落；如果所述表面材料层111发生破损，可能会导致晶圆120与破损区域的其余材料层112接触，甚至发生黏附。尤其在所述其余材料层112的第一层材料为橡胶材料时，更容易由于黏附而发生移位。在本专利技术实施例中，提供待修复静电吸盘，所述待修复静电吸盘的盘面结构为可拆卸的；采用第一离子注入工艺，向所述待修复静电吸盘的盘面结构进行离子注入；其中，所述进行离子注入的掺杂离子与所述待修复静电吸盘的盘面结构的表面材料的元素相同。采用上述方案，通过向待修复静电吸盘的盘面结构进行离子注入，可以对待修复静电吸盘的盘面结构的表面材料层进行补充，从而对该盘面结构的盘面损伤进行修复。为使本专利技术的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。参照图2，图2是本专利技术实施例中一种静电吸盘的盘面损伤的修复方法的流程图。所述静电吸盘的盘面损伤的修复方法可以包括步骤S21至步骤S22：步骤S21：提供待修复静电吸盘，所述待修复静电吸盘的盘面结构为可拆卸的；步骤S22：采用第一离子注入工艺，向所述待修复静电吸盘的盘面结构进行离子注入，其中，所述进行离子注入的掺杂离子与所述待修复静电吸盘的盘面结构的表面材料的元素相同。下面结合图3至图4对上述各个步骤进行说明。图3至图4是本专利技术实施例中一种静电吸盘的盘面损伤的修复方法中各步骤对应的静电吸盘的剖面结构示意图。参照图3，提供待修复静电吸盘，所述待修复静电吸盘的盘面结构210为可拆卸的。具体地，所述静电吸盘可以位于离子注入设备的腔室240中，所述静电吸盘可以包括基座200以及盘面结构210。其中，所述基座200可以用于支撑该盘面结构210。其中，所述盘面结构210可以包括表面材料层211以及其余材料层212。具体地，所述表面材料层211的材料通常为碳，所述其余材料层212的第一层材料，也即所述表面材料层211的下一层材料通常采用橡胶材料。更具体地，在本专利技术实施例的一种具体应用中，静电吸盘可以包括八层结构，第一层为导热性好本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电吸盘的盘面损伤的修复方法，其特征在于，包括：提供待修复静电吸盘，所述待修复静电吸盘的盘面结构为可拆卸的；采用第一离子注入工艺，向所述待修复静电吸盘的盘面结构进行离子注入；其中，所述进行离子注入的掺杂离子与所述待修复静电吸盘的盘面结构的表面材料的元素相同。

【技术特征摘要】
1.一种静电吸盘的盘面损伤的修复方法，其特征在于，包括：提供待修复静电吸盘，所述待修复静电吸盘的盘面结构为可拆卸的；采用第一离子注入工艺，向所述待修复静电吸盘的盘面结构进行离子注入；其中，所述进行离子注入的掺杂离子与所述待修复静电吸盘的盘面结构的表面材料的元素相同。2.根据权利要求1所述的静电吸盘的盘面损伤的修复方法，其特征在于，向所述待修复静电吸盘的盘面结构进行离子注入包括：将离子注入设备内的静电吸盘的盘面结构替换为所述待修复静电吸盘的盘面结构；在未放置有晶圆的情况下，采用所述离子注入设备对所述待修复静电吸盘的盘面结构进行离子注入。3.根据权利要求1所述的静电吸盘的盘面损伤的修复方法，其特征在于，所述进行离子注入的掺杂离子为碳离子，所述待修复静电吸盘的盘面结构的表面材料为碳；所述第一离子注入工艺的工艺参数包括：反应气体为含碳气体。4.根据权利要求3所述的静电吸盘的盘面损伤的修复方法，其特征在于，所述反应气体选自：CO2以及CO。5.根据权利要求1所述的静电吸盘的盘面损伤的修复方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：石志平，倪明明，吴宗祐，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32