The utility model provides a chamfering device for the longitudinal edge of a wafer bar, which comprises a body. The two sides of the cross section of the body are circular arcs, and the radius of the circular arc is consistent with the chamfering radius required by the wafer bar to be processed. The upper layer of the body is hollowed out to form a cavity, and a group of cross sections are arranged at the longitudinal edge of the lower end of the cavity. The length of the through hole is the same as that of the cavity body. The utility model has the advantages of simple structure, convenient access and high efficiency, and is suitable for arc processing of longitudinal edges of wafer balls, and meets the requirement of uniform abrasion in batch processing.
【技术实现步骤摘要】
一种晶片砣纵向棱线倒角装置
本技术属于晶片加工
,具体涉及一种晶片砣纵向棱线倒角装置。
技术介绍
为满足产品的要求,常需要对小尺寸的石英晶片进行倒角加工,目前的做法多为先将石英晶片粘接成晶片砣,然后人工研磨进行倒角,但是人工倒角的效率不高,且倒角质量严重依赖操作人员的操作熟练度和稳定性,因而批量加工无法达到产品一致性的要求,致使产品合格率低下,尤其是涉及到需要对晶片砣4条纵向棱线进行圆弧处理时,传统的圆弧处理方式完全由人工经验控制,在修边量和圆弧半径的精度上,产品质量很难达到一致。因此急需提供一种结构简单,效率较高,适合对晶片砣纵向棱线进行圆弧处理,满足批量加工时加工磨量一致要求的一种倒角装置。
技术实现思路
本技术的目的是针对人工对晶片砣纵向棱线进行圆弧处理中存在的不足,提供一种结构简单,效率较高,满足批量加工时加工磨量一致要求的一种倒角装置。本技术提供了如下技术方案:一种晶片砣纵向棱线倒角装置,包括本体,所述本体的横截面的两侧为圆弧状,所述圆弧的半径与待加工晶片砣要求的倒角半径相一致,所述本体上层挖空形成腔体,所述腔体下端的纵向棱线处设有一组横截面为弧形的通孔,所述通孔的长度与所述腔体的长度一致。优选的,所述本体上端设有一组凸块,所述凸块以所述本体的纵向中心线对称分布,便于操作人员取放该倒角装置。优选的,所述本体的底面为长方形,所述长方形的宽度为2-10cm,便于平稳放置该倒角装置。优选的,所述本体的横截面上两侧的圆弧半径为10-20cm。优选的,所述腔体的深度大于或等于一个晶片砣的高度,所述腔体的长度为1-5个晶片砣长度的总和,是为了便于晶片砣的倒角加 ...
【技术保护点】
1.一种晶片砣纵向棱线倒角装置,其特征在于,包括本体,所述本体的横截面的两侧为圆弧状且圆弧的半径与待加工晶片砣要求的倒角半径相一致,所述本体上层挖空形成腔体,所述腔体下端的纵向棱线处设有一组横截面为弧形的通孔,所述通孔的长度与所述腔体的长度一致。
【技术特征摘要】
1.一种晶片砣纵向棱线倒角装置,其特征在于,包括本体,所述本体的横截面的两侧为圆弧状且圆弧的半径与待加工晶片砣要求的倒角半径相一致,所述本体上层挖空形成腔体,所述腔体下端的纵向棱线处设有一组横截面为弧形的通孔,所述通孔的长度与所述腔体的长度一致。2.根据权利要求1所述的一种晶片砣纵向棱线倒角装置,其特征在于,所述本体上端设有一组凸块,所述凸块以所述本体的纵向中心线对称分布。3.根据权利要求1所述的一种晶片砣纵向棱线倒角装...
【专利技术属性】
技术研发人员:夏良军,
申请(专利权)人:菲特晶南京电子有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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