一种位置灯的电流补偿电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种位置灯的电流补偿电路，包括第一二三极管和第二三极管；第一三极管的第一极通过第一电阻连接至电源输入端，第二极接地，第三极通过第二电阻连接至位置灯的负极，第一三极管的第三极还与第二三极管的第一极连接；其中，位置灯的正极与所述电源输入端连接，负极通过串联的第一负载电阻和第二负载电阻接地；第二三极管的第二极接地，第三电极通过第三电阻连接至第一负载电阻和第二负载电阻的连接点。采用本实用新型专利技术的电流补偿电路能够实现电流补偿的智能控制，可有效降低电流补偿电路的功率损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种位置灯的电流补偿电路
本技术涉及车灯
，尤其涉及一种位置灯的电流补偿电路。
技术介绍
随着汽车行业的发展，车灯故障报警功能被广泛应用在汽车上。现有的车灯故障报警方式主要有电压反馈和电流反馈两种，其中，电流反馈车灯故障报警电路中要求单个车灯在工作电压范围内的电流必须大于电流阈值，否则判定为车灯故障，会产生车灯故障报警。位置灯是车灯的重要组成部件，位置灯大多采用电阻式设计，即经过位置灯的电流与位置灯两端的电压呈线性相关。因此，当位置灯发生欠压时，需要补偿电流来避免产生误报警。如图1所示，是现有的欠压电流补偿电路的结构示意图。该欠压电流补偿电路中电源输入端Vin通过电阻R101直接接地，当通过位置灯的电流小于电流阈值时，电源输入端Vin向位置灯提供补偿电流；而当位置灯的电压恢复到工作电压时，电源输入端Vin仍然向位置灯提供补偿电流，这就使得现有的欠压补偿电路具有较大的功率损耗。
技术实现思路
针对上述问题，本技术的一种位置灯的电流补偿电路能够实现电流补偿的智能控制，可有效降低电流补偿电路的功率损耗。为解决上述技术问题，本技术的一种位置灯的电流补偿电路，包括第一三极管和第二三极管；所述第一三极管的第一极通过第一电阻连接至电源输入端，第二极接地，第三极通过第二电阻连接至位置灯的负极，所述第一三极管的第三极还与所述第二三极管的第一极连接；其中，所述位置灯的正极与所述电源输入端连接，负极通过串联的第一负载电阻和第二负载电阻接地；所述第二三极管的第二极接地，第三电极通过第三电阻连接至所述第一负载电阻和所述第二负载电阻的连接点。与现有技术相比，本技术的一种位置灯的电流补偿电路中，当位置灯欠压时，通过第一负载电阻和第二负载电阻分压，使得第一三极管导通、第二三极管截止，进而电源输入端向位置灯提供补偿电流；当位置灯的电压恢复至正常工作电压时，由于第二负载电阻分压较大，使得第二三极管导通、第一三极管截止，进而关闭电源输入端的电流补偿。本技术的电流补偿通过第一三极管和第二三极管实现电流补偿的智能控制，能够减少正常工作电压时电路中的功率器件，可有效降低电流补偿电路的功率损耗。作为上述方案的改进，所述第一三极管包括第一NPN晶体管，所述第二三极管包括第二NPN晶体管；其中，所述第一三极管的第一极为所述第一NPN晶体管的集电极，所述第一三极管的第二极为所述第一NPN晶体管的发射极，所述第一三极管的第三极为所述第一NPN晶体管的基极；所述第二三极管的第一极为所述第二NPN晶体管的集电极，所述第二三极管的第二极为所述第二NPN晶体管的发射极，所述第二三极管的第三极为所述第二NPN晶体管的基极。作为上述方案的改进，所述第一三极管包括第一NMOS场效应管，所述第二三极管包括第二NMOS场效应管；其中，所述第一三极管的第一极为所述第一NMOS场效应管的漏极，所述第一三极管的第二极为所述第一NMOS场效应管的源极，所述第一三极管的第三极为所述第一NMOS场效应管的栅极；所述第二三极管的第一极为所述第二NMOS场效应管的漏极，所述第二三极管的第二极为所述第二NMOS场效应管的源极，所述第二三极管的第三极为所述第二NMOS场效应管的栅极。作为上述方案的改进，所述电源输入端通过二极管连接至电源。作为上述方案的改进，所述二极管的正极与所述电源之间连接有滤波子电路，以对所述电源进行滤波处理。作为上述方案的改进，所述滤波子电路包括双向TVS管，所述双向TVS管的第一端与所述二极管的正极连接，所述双向TVS管的第二端接地。作为上述方案的改进，所述滤波子电路包括第四电阻和第一电容；其中，所述第四电阻的第一端与所述二极管的正极连接，第二端接地；所述第一电容的第一端与所述二极管的正极连接，第二端接地。作为上述方案的改进，所述滤波子电路包括第五电阻、第二电容、第三电容、第四电容和第五电容；其中，所述第五电阻的第一端与所述二极管的正极连接，第二端接地；所述第二电容的第一端与所述二极管的正极连接，第二端与所述第三电容的第一端连接，所述第三电容的第二端接地；所述第四电容的第一端与所述二极管的正极连接，第二端与所述第五电容的第一端连接，所述第五电容的第二端接地。附图说明图1是现有位置灯的欠压电流补偿电路结构示意图。图2是本技术实施例1的一种位置灯的电流补偿电路结构示意图。图3是本技术实施例2的一种位置灯的电流补偿电路结构示意图。图4是本技术实施例中滤波子电路的一种结构示意图。图5是本技术实施例中滤波子电路的另一个结构示意图。具体实施方式在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于此描述的其他方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。下面结合具体实施例和附图对本技术的技术方案进行清楚、完整的描述。实施例1如图2所示，是本技术实施例1的一种位置灯的电流补偿电路结构示意图。该位置灯的电流补偿电路包括第一NPN晶体管Q1和第二NPN晶体管Q2；第一NPN晶体管Q1的集电极通过第一电阻R1连接至电源输入端Vin，发射极接地，基极通过第二电阻R2连接至位置灯1的负极，第一NPN晶体管Q1的基极还与第二NPN晶体管Q2的集电极连接；第二NPN晶体管Q2的发射极接地，基极通过第三电阻R3连接至第一负载电阻R11和第二负载电阻R12的连接点。在实施例1中，当电源输入端Vin向位置灯1提供的电压小于位置灯1的正常工作电压时，位置灯1发生欠压，使得第一负载电阻R11与第二负载电阻R12连接点处的电压小于第二NPN晶体管Q2的导通电压，第二NPN晶体管Q2截止；而第一负载电阻R11分压较大，使得第一NPN晶体管Q1导通，则电源输入端Vin经第一电阻R1和第一NPN晶体管Q1接地，向位置灯1所在支出补偿电流。当电源输入端Vin向位置灯1提供的电压达到正常工作电压时，第一负载电阻R11与第二负载电阻R12连接点处的电压值达到第二NPN晶体管Q2的导通电压，则第二NPN晶体管Q2导通、第一NPN晶体管Q1截止，关闭电流补偿。实施例2如图3所示，是本技术实施例2的一种位置灯的电流补偿电路结构示意图。该位置灯的电流补偿电路包括第一NMOS场效应管M1和第二NMOS场效应管M2；其中，第一NMOS场效应管M1的漏极通过第一电阻R1连接至补偿电源输入端Vin，源极接地，栅极通过第二电阻R2连接至位置灯1的负极，第一NMOS场效应管M1的栅极还与第二NMOS场效应管M2的漏极连接；第二NMOS场效应管M2的源极接地，栅极通过第三电阻R3连接至第一负载电阻R11和第二负载电阻R12的连接点。在实施例2中，当供电电源输入端Vin向位置灯1提供的电压小于位置灯1的正常工作电压时，位置灯1发生欠压，使得第一负载电阻R11与第二负载电阻R12连接点处的电压小于第二NMOS场效应管M2的导通电压，第二NMOS场效应管M2截止；而第一负载电阻R11分压较大，使得第一NMOS场效应管M1导通，则补偿电源输入端Vin经第一电阻R1和第一NMOS场效应管M1接地，向位置灯1所在支出补偿电流。当供电电源输入端Vin向位置灯1提供的电压达到正常工作电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种位置灯的电流补偿电路，其特征在于，包括第一三极管和第二三极管；所述第一三极管的第一极通过第一电阻连接至电源输入端，第二极接地，第三极通过第二电阻连接至位置灯的负极，所述第一三极管的第三极还与所述第二三极管的第一极连接；其中，所述位置灯的正极与所述电源输入端连接，负极通过串联的第一负载电阻和第二负载电阻接地；所述第二三极管的第二极接地，第三电极通过第三电阻连接至所述第一负载电阻和所述第二负载电阻的连接点。

【技术特征摘要】
1.一种位置灯的电流补偿电路，其特征在于，包括第一三极管和第二三极管；所述第一三极管的第一极通过第一电阻连接至电源输入端，第二极接地，第三极通过第二电阻连接至位置灯的负极，所述第一三极管的第三极还与所述第二三极管的第一极连接；其中，所述位置灯的正极与所述电源输入端连接，负极通过串联的第一负载电阻和第二负载电阻接地；所述第二三极管的第二极接地，第三电极通过第三电阻连接至所述第一负载电阻和所述第二负载电阻的连接点。2.如权利要求1所述的电流补偿电路，其特征在于，所述第一三极管包括第一NPN晶体管，所述第二三极管包括第二NPN晶体管；其中，所述第一三极管的第一极为所述第一NPN晶体管的集电极，所述第一三极管的第二极为所述第一NPN晶体管的发射极，所述第一三极管的第三极为所述第一NPN晶体管的基极；所述第二三极管的第一极为所述第二NPN晶体管的集电极，所述第二三极管的第二极为所述第二NPN晶体管的发射极，所述第二三极管的第三极为所述第二NPN晶体管的基极。3.如权利要求1所述的电流补偿电路，其特征在于，所述第一三极管包括第一NMOS场效应管，所述第二三极管包括第二NMOS场效应管；其中，所述第一三极管的第一极为所述第一NMOS场效应管的漏极，所述第一三极管的第二极为所述第一NMOS场效应管的源极，所述第一三极管的第三极为所述第一NMOS场...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯宇，蓝贤福，何贵平，廖珍儒，曾照明，肖国伟，
申请(专利权)人：广东晶科电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44