The present application relates to a cold plasma device (13) for treating surfaces (6) with cold plasma. The device (13) has a cold plasma generator (14), which is suitable for generating cold plasma, which generates reactive substances for surface treatment (6). The device (13) also includes a processing head (5) that can be positioned relative to the surface (6) so that the reactive substance is given towards the surface (6) during the processing. The device (13) is also provided with an air flow generator (8) to generate air flow over the surface (6) and a controller (9) configured to control the operation of the air flow generator (8) to generate air flow over the surface (6) after the treatment has been completed, so that the residual by-products of the cold plasma are dissipated.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于处理表面的冷等离子体设备
本公开涉及一种用于利用冷等离子体处理表面的冷等离子体设备。
技术介绍
已知使用冷等离子体设备来消毒物体。冷常压等离子体生成反应性氧和氮物质,这些物质具有生物活性并能够使细菌失活。特别地,US20090206062公开了一种手持式等离子体喷射设备,该设备生成冷的常压等离子体并使用风扇将所得的反应性物质吹出喷嘴并朝向待被处理的物体。应注意,US20130345620公开了一种利用冷等离子体处理皮肤表面的设备。根据本公开的设备可包括在施加冷等离子体期间的空气流以辅助处理。还应注意,DE102009002278公开了一种使用超声和冷等离子体的组合来处理皮肤的设备,其中处理头在皮肤与冷等离子体生成电极之间限定了封闭的体积,在等离子体处理期间或之后,该体积可以被填充有流体。这种冷等离子体处理产生副产物,例如剩余的反应性物质–例如臭氧和二氧化氮。这些副产物可能是不期望的。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于处理表面的冷等离子体设备,其基本上减轻或克服了上文所提及的一个或多个问题。本专利技术由独立权利要求限定。从属权利要求限定了有利的实施例。根据本专利技术,提供了一种用于利用冷等离子体处理表面的冷等离子体设备,该设备包括:冷等离子体发生器,适于生成冷等离子体,该冷等离子体产生用于处理上述表面的反应性物质;处理头,可相对于上述表面定位,使得上述反应性物质在处理期间朝向上述表面被给予;空气流发生器,在上述表面之上生成空气流;以及,控制器,被配置为控制空气流发生器的操作,以在上述处理已经完成之后在上述表面之上生成空气流,使得冷等离子体的剩余副 ...
【技术保护点】
1.一种用于利用冷等离子体处理表面(6)的冷等离子体设备(13),所述设备(13)包括:冷等离子体发生器(14),适于生成冷等离子体,所述冷等离子体产生用于处理所述表面(6)的反应性物质;处理头(5),可相对于所述表面(6)定位,使得所述反应性物质在处理期间被朝向所述表面(6)给予;空气流发生器(8),用以在所述表面(6)之上生成空气流;以及控制器(9),被配置为控制所述空气流发生器(8)的操作,以在所述处理已经完成之后在所述表面(6)之上生成空气流,使得所述冷等离子体的剩余副产物被消散。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.22 EP 16161743.61.一种用于利用冷等离子体处理表面(6)的冷等离子体设备(13),所述设备(13)包括:冷等离子体发生器(14),适于生成冷等离子体,所述冷等离子体产生用于处理所述表面(6)的反应性物质;处理头(5),可相对于所述表面(6)定位,使得所述反应性物质在处理期间被朝向所述表面(6)给予;空气流发生器(8),用以在所述表面(6)之上生成空气流;以及控制器(9),被配置为控制所述空气流发生器(8)的操作,以在所述处理已经完成之后在所述表面(6)之上生成空气流,使得所述冷等离子体的剩余副产物被消散。2.根据权利要求1所述的冷等离子体设备,其中所述控制器(9)被配置为仅在所述处理已经完成之后控制所述空气流发生器(8)以在所述表面(6)之上生成空气流。3.根据权利要求1所述的冷等离子体设备,其中所述控制器(9)被配置为控制所述空气流发生器(8)以在所述处理期间在所述表面(6)之上生成空气流。4.根据权利要求3所述的冷等离子体设备,其中所述控制器(9)被配置为在所述处理已经完成之后改变所述空气流发生器(8)的操作特性。5.根据权利要求4所述的冷等离子体设备,其中所述控制器(9)被配置为当所述处理已经完成时增加所述空气流发生器(8)的功率。6.根据权利要求4所述的冷等离子体设备,其中所述控制器(9)被配置为在所述处理已经完成之后使所述空气流发生器(8)的方向反转。7.根据前述任一项权利要求所述的冷等离子体设备,其中所述设备(13)还包括传感器(18),所述传感器(18)适于检测所述处理头(5)何时被定位成与所述表面(6)接触或接近所述表面(6),所述控制器(9)被配置为响应于来自所述传感器(18)的信号接通所述冷等离子体发生器(14)。8.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:F·A·范阿比伦,E·G·M·佩尔泽斯,Y·P·J·鲍尔奎因,A·希尔格斯,R·C·M·武德斯,LM·布罗克休伊斯,
申请(专利权)人:皇家飞利浦有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰,NL
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