发光器件和具有该发光器件的发光模块制造技术

技术编号:19562920 阅读:20 留言:0更新日期:2018-11-25 00:49
在一实施例中公开的发光器件包括:主体,包括具有开口上部的凹部;多个电极,设置在所述凹部的底部;以及发光二极管,设置在所述多个电极中的至少一个电极上,其中所述凹部的侧表面相对于所述发光二极管的光轴成第一角度,以及所述发光二极管与所述凹部的侧表面之间的最小距离和所述第一角度的正切值的乘积在0.21至0.42的范围内。

Light-emitting devices and light-emitting modules with the light-emitting devices

In an embodiment, the disclosed light-emitting devices include: a main body, including a concave with an upper opening; a plurality of electrodes, arranged at the bottom of the concave; and a light-emitting diode, arranged on at least one of the plurality of electrodes, wherein the side surface of the concave is first relative to the optical axis of the light-emitting diode. The product of the minimum distance between the light emitting diode and the side surface of the concave part and the tangent value of the first angle is in the range of 0.21 to 0.42.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件和具有该发光器件的发光模块
发光二极管(LED)可以构成使用化合物半导体材料(例如,GaAs基、AlGaAs基、GaN基、InGaN基、InGaAlP基半导体材料)的发光源。这种LED被封装并用作发出各种颜色光的发光器件。发光器件被用作各种领域的光源,例如,用于显示彩色的照明指示器、字符指示器以及图像指示器。特别地,在紫外线LED(UVLED)的情况下,短波长可用于消毒和净化,并且长波长可用于曝光装置或固化装置。由于具有这种UVLED的发光器件的发光强度低,因此需要提高发光强度。
技术介绍
实施例提供了一种发光器件,其具有发出紫外波长的光的发光二极管。实施例提供了一种发光器件,其在凹部中优化了发光二极管和凹部的侧表面之间的距离以及凹部的侧表面的倾斜角,并且提高了中心发光强度。实施例提供了一种紫外发光器件和包括该紫外发光器件的发光模块,其可靠性得到提高。
技术实现思路
技术问题实施例提供了一种发光器件,其具有发出紫外波长的光的发光二极管。实施例提供了一种发光器件,其在凹部中优化了发光二极管和凹部的侧表面之间的距离以及凹部的侧表面的倾斜角,并且提高了中心发光强度。实施例提供了一种紫外发光器件和包括该紫外发光器件的发光模块,其可靠性得到提高。技术方案根据实施例的发光器件,包括:主体,包括具有开口上部的凹部;多个电极,设置在所述凹部中;以及发光二极管,设置在所述凹部中并电连接到所述多个电极,其中所述凹部具有倾斜的侧表面和底部,所述发光二极管设置在所述凹部底部的中心部分上,所述凹部的侧表面相对于所述发光二极管的光轴倾斜成第一角度,以及通过将发光二极管与所述凹部的侧表面的下端之间的最小距离值和所述第一角度的正切值相乘得到的值在0.21至0.42的范围内。根据实施例的发光器件,包括:主体,包括具有开口上部的凹部;多个电极,设置在所述凹部的底部;以及发光二极管,设置在所述多个电极中的至少一个上,其中所述凹部具有底部,并在周边具有多个侧表面,所述凹部的侧表面相对于所述凹部的底部倾斜,所述凹部的侧表面中的每一个在其上周边包括具有镜面反射表面的第一区域,以及在其下周边包括具有与所述凹部的底部相邻的散射反射表面的第二区域,所述第一区域设置在等于或高于所述发光二极管的上表面的高度的位置,所述第二区域设置为面向所述发光二极管的侧表面,以及所述发光二极管发出具有紫外波长的光。根据实施例,其中所述发光二极管与所述凹部的侧表面之间的最小距离在0.3mm至1mm的范围内;以及所述第一角度在20度至40度的范围内。根据实施例,其中:从所述发光二极管发出的光的中心发光强度大于±15度或±30度的发光强度;以及从所述发光二极管通过所述光学膜发出的光的中心发光强度与±15度或±30度的发光强度的比例为1或更大。根据实施例,包括:光学膜,设置在所述凹部上;及阶梯式结构,其中光学膜的周边设置在所述主体的上周边上;其中所述发光二极管发出280nm或更小的波长。根据实施例,其中所述第一区域的高度大于所述第二区域的高度;所述第一区域的面积大于所述第二区域的面积;所述第一区域的下端点的高度高于或等于所述发光二极管的上表面的高度;Ag金属设置在所述第一区域上;以及所述主体的陶瓷材料暴露在所述第二区域中。根据实施例,其中从所述发光二极管发出的光线中由所述第一区域的下端点反射的光的第一出射角和由所述第一区域的上端点反射的光的第二出射角之间的差值的绝对值在17度至24度的范围内。根据实施例,其中所述第一出射角和所述第二出射角中的任意一个为20度或更大;以及所述凹部的侧表面的第一和第二区域相对于垂直的轴具有在从45至68度范围内的倾斜角。根据实施例,其中所述凹部的深度与所述第一区域的高度的比例在1:0.7至1:0.8的范围内;以及在所述凹部的侧表面上,所述第一区域的高度与所述第二区域的高度的比例在2.5:1至3.5:1的范围内。有益效果根据实施例,可以提高紫外发光器件的中心发光强度。根据实施例,可以使紫外发光器件的中心发光强度大于周边发光强度。根据实施例,可以提高紫外发光器件的中心发光强度,因此紫外发光器件可以应用于各种应用。根据实施例,可以提高紫外发光器件和包括其的发光模块的可靠性。附图说明图1是根据第一实施例的发光器件的透视图。图2是示出从图1的发光器件去除了光学膜的平面图。图3是图1的发光器件的后视图。图4是沿图1中的线A-A截取的发光器件的侧截面图。图5是示出根据实施例的发光器件的另一示例的侧截面图。图6是图4的局部放大图,是用于描述凹部的侧表面和发光二极管之间的距离的视图。图7是用于描述根据第一实施例的发光二极管的光学特性示例的视图。图8是根据第二实施例沿图1的发光器件的线A-A截取的侧截面图。图9是示出图8的发光器件的另一示例的侧截面图。图10是图8的局部放大图,是用于描述凹部的侧表面的区域的视图。图11是用于描述根据实施例的发光二极管的示例的视图。图12是用于描述根据实施例的发光二极管的另一示例的视图。图13是示出根据实施例的具有发光器件的发光模块的示例的视图。图14是示出根据实施例的发光器件的发光强度的第一示例的视图。图15是示出根据实施例的发光器件的发光强度的第二示例的视图。图16是示出根据实施例的发光器件的发光强度的第三示例的视图。图17是示出根据比较例的发光器件的发光强度的视图。具体实施方式在下文中,将参照附图详细描述本领域技术人员容易实现的本专利技术的示例性实施例。然而,本专利技术可以以各种不同形式实现,并且不限于这里描述的实施例。在以下描述中,当存在某部分“包括”某些结构元件的表达时,这意味着某部分不排除另一结构元件,而是可以进一步包括另一结构元件,除非另有说明。此外,与详细描述无关的结构和元件不在附图中示出以清楚地描述本专利技术,厚度可以夸大以清楚地解释各种层和区域,在以下说明中的相似元件用类似的附图标记指示。在实施例的说明中,当层、膜、区域、板等的一部分是指在另一部分“上”,可以“直接形成在”另一部分上,或可以在这些部分之间插入第三部分。否则,当一部分“直接形成在”另一部分上时,意味着在这些部分之间没有第三部分。<第一实施例>图1是根据第一实施例的发光器件的透视图,图2是示出从图1的发光器件去除了光学膜的平面图,图3是图1的发光器件的后视图,图4是沿图1中的线A-A截取的发光器件的侧截面图,图5是示出根据实施例的发光器件的另一示例的侧截面图,图6是图4的局部放大图,是用于描述凹部的侧表面和发光二极管之间的距离的视图,图7是用于描述根据实施例的发光二极管的光学特性示例的视图。参考图1至图7,发光器件100包括:主体110,具有凹部111;多个电极121和123,设置在凹部111中;发光二极管131,设置在多个电极121和123中的至少一个上;以及光学膜161,设置在凹部111上。发光二极管131可以包括:峰值波长,其在从紫外线到可见光的波长范围内是可选的。发光二极管131可以发出紫外波长,例如,波长在100nm至400nm的范围内。主体110包括:例如陶瓷材料的绝缘材料。陶瓷材料包括低温共烧陶瓷(LTCC)或高温共烧陶瓷(HTCC)。主体110可以由例如AlN的材料形成,并且可以由具有140W/mK或更高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件,包括:主体,包括具有开口上部的凹部;多个电极,设置在所述凹部中;以及发光二极管,设置在所述凹部中并电连接到所述多个电极,其中所述凹部具有倾斜的侧表面和底部,所述发光二极管设置在所述凹部的底部的中心部分上,所述凹部的侧表面相对于所述发光二极管的光轴倾斜成第一角度,以及通过将所述发光二极管与所述凹部的侧表面的下端之间的最小距离值和所述第一角度的正切值相乘得到的值在0.21至0.42的范围内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.22 KR 10-2016-0033927;2016.03.22 KR 10-2011.一种发光器件,包括:主体,包括具有开口上部的凹部;多个电极,设置在所述凹部中;以及发光二极管,设置在所述凹部中并电连接到所述多个电极,其中所述凹部具有倾斜的侧表面和底部,所述发光二极管设置在所述凹部的底部的中心部分上,所述凹部的侧表面相对于所述发光二极管的光轴倾斜成第一角度,以及通过将所述发光二极管与所述凹部的侧表面的下端之间的最小距离值和所述第一角度的正切值相乘得到的值在0.21至0.42的范围内。2.根据权利要求1所述的发光器件,包括:光学膜,设置在所述凹部上;以及阶梯式结构,其中所述光学膜的周边设置在所述主体的上周边,其中所述发光二极管发出具有紫外波长的光。3.根据权利要求2所述的发光器件,其中:所述发光二极管与所述凹部的侧表面之间的最小距离在0.3mm至1mm的范围内;以及所述第一角度在20度至40度的范围内。4.根据权利要求2所述的发光器件,其中:从所述发光二极管发出的光的中心发光强度高于±15度或±30度的发光强度;以及从所述发光二极管通过所述光学膜发出的光的中心发光强度与±15度或±30度的发光强度的比例为1或更大。5.一种发光器件,包括:主体,包括具有开口上部的凹部;多个电极,设置在所述凹部的底部;以及发光二极管,设置在所述多个电极中的至少一个上,其中所述凹部具有底部,并在周边具有多个侧表面,所述凹部的侧表面相对于所述凹部的底部倾斜,所述凹...

【专利技术属性】
技术研发人员:金基显
申请(专利权)人:LG伊诺特有限公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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