有机插入体及有机插入体的制造方法技术

提供一种可以提高绝缘可靠性的有机插入体及其制造方法。有机插入体(10)具备：含有多个有机绝缘层而成的有机绝缘层叠体(12)；和在有机绝缘层叠体(12)内排列的多个配线(13)，配线(13)与有机绝缘层被阻隔金属膜(14)隔开。有机绝缘层叠体(12)可以含有：具有配置有配线(13)的多个凹槽部(21a)的第一有机绝缘层(21)；和按照填埋配线(13)的方式层叠在第一有机绝缘层(21)上的第二有机绝缘层(22)。

Manufacturing Method of Organic Inserts and Organic Inserts

The invention provides an organic insert body capable of improving insulation reliability and a manufacturing method thereof. The organic insert (10) has an organic insulating layer (12) consisting of multiple organic insulating layers, and a plurality of wiring (13) arranged in the organic insulating layer (12), which is separated from the organic insulating layer by a barrier metal film (14). The organic insulating laminate (12) may contain: a first organic insulating layer (21) having grooves (21a) arranged with wiring (13) and a second organic insulating layer (22) overlaid on the first organic insulating layer (21) in the manner of landfill wiring (13).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机插入体及有机插入体的制造方法
本公开涉及有机插入体和有机插入体的制造方法。
技术介绍
为了实现半导体封装的高密度化及高性能化，提出了将不同性能的芯片混装在一个封装中的安装方式。这种情况下，成本方面优异的芯片间的高密度互连技术变得重要(例如参照专利文献1)。在非专利文献1和非专利文献2中，记载了通过在封装上利用倒装芯片安装来层叠不同的封装而进行连接的堆叠式封装(PoP：PackageonPackage)的方式。该PoP是在智能手机、平板终端等中广泛采用的方式。另外，作为用于高密度地安装多个芯片的其他方式，提出了使用具有高密度配线的有机基板的封装技术(有机插入体)、具有穿塑孔(TMV：ThroughMoldVia)的扇出型的封装技术(FO-WLP：FunOut-WaferLevelPackage)、使用硅或玻璃插入体的封装技术、使用了硅贯通电极(TSV：ThroughSiliconVia)的封装技术、将填埋基板的芯片用于芯片间传输的封装技术等。特别是在有机插入体及FO-WLP中搭载半导体芯片彼此的情况下，需要用于使该半导体芯片彼此以高密度导通的微细的配线层(例如参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2012-529770号公报专利文献2：美国专利申请公开第2011/0221071号说明书非专利文献非专利文献1：JinseongKimetal.,“ApplicationofThroughMoldVia(TMV)asPoPBasePackage”,ElectronicComponentsandTechnologyConference(ECTC),p.1089-1092(2008)非专利文献2：S.W.Yoonetal.,“AdvancedLowProfilePoPSolutionwithEmbeddedWaferLevelPoP(eWLB-PoP)Technology”,ECTC,p.1250-1254(2012)
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在积层基板、晶片级封装(WLP)、扇出型PoP的底部封装等中，有时使用具有多个有机绝缘层层叠而成的层叠体(有机绝缘层叠体)的有机插入体。例如，在该有机绝缘层叠体内配置具有10μm以下的线宽和间距宽的多个微细配线的情况下，该配线使用沟槽法来形成。沟槽法是通过镀覆法等在形成于有机绝缘层的表面的沟槽(凹槽)上形成成为配线的金属层的方法。因此，在有机绝缘层上形成的配线的形状是沿着凹槽的形状的。在通过沟槽法在有机绝缘层叠体内形成微细的配线时，为了谋求低成本化并且抑制配线电阻的上升，例如有时使用铜等具有高导电性的金属材料。在使用这样的金属材料形成配线的情况下，有时该金属材料在有机绝缘层叠体内扩散。在这种情况下，有可能经由扩散的金属材料使配线彼此短路，有机插入体的绝缘可靠性存在问题。本专利技术的目的在于提供能够提高绝缘可靠性的有机插入体及其制造方法。用于解决课题的手段本专利技术的第一方式的有机插入体具备：含有多个有机绝缘层而成的有机绝缘层叠体；和在有机绝缘层叠体内排列的多个配线，配线和有机绝缘层被阻隔金属膜隔开。在该有机插入体中，配线和有机绝缘层被阻隔金属膜隔开。因此，配线内的金属材料向有机绝缘层叠体的扩散被阻隔金属膜抑制。因此，能够抑制经由扩散的金属材料的多个配线彼此的短路，因而能够提高有机插入体的绝缘可靠性。有机绝缘层叠体可以含有：具有配置有配线的多个凹槽部的第一有机绝缘层；和按照填埋配线的方式层叠于第一有机绝缘层的第二有机绝缘层。在该情况下，多条配线分别具有沿着第一有机绝缘层的凹槽部的形状。因此，通过形成具有微细的宽度和间隔的多个凹槽部，能够容易地形成微细的配线。阻隔金属膜可以含有：设置在配线与沟槽的内表面之间的第一阻隔金属膜；和设置在配线与第二有机绝缘层之间的第二阻隔金属膜。在该情况下，配线内的金属材料向第一有机绝缘层的扩散被第一阻隔金属膜良好地抑制。另外，上述金属材料向第二有机绝缘层的扩散被第二阻隔金属膜良好地抑制。第一阻隔金属膜可以含有钛、镍、钯、铬、钽、钨和金中的至少一个。钛、镍、钯、铬、钽、钨以及金都难以扩散到第一和第二有机绝缘层中，因此能够进一步提高有机插入体的绝缘可靠性。第二阻隔金属膜可以是镀覆膜。在该情况下，能够在凹槽部内的配线上选择性地形成第二阻隔金属膜，因此能够简化有机插入体的制造工序。第二阻隔金属膜可以是镀镍膜。在该情况下，能够容易地形成具有良好平坦性的第二阻隔金属膜。此外，由于镍不容易扩散到第一和第二有机绝缘层中，所以可以优选地提高有机插入体的绝缘可靠性。第二阻隔金属膜可以是镀钯膜。在该情况下，能够容易地使第二阻隔金属膜薄化。此外，由于钯难以扩散到第一和第二有机绝缘层中，所以可以优选地提高有机插入体的绝缘可靠性。第二阻隔金属膜的厚度可以为0.001μm以上且1μm以下。在该情况下，配线内的金属材料向第二有机绝缘层的扩散被第二阻隔金属膜良好地抑制。第二阻隔金属膜的表面粗糙度可以为0.01μm以上且1μm以下。在该情况下，第二阻隔金属膜能够良好地密合于第二有机绝缘层。另外，能够抑制起因于第二阻隔金属膜的表面粗糙度的有机插入体内的断线等。第一有机绝缘层的厚度可以为1μm以上且10μm以下。在该情况下，能够使用第一有机绝缘层形成具有10μm以下的宽度以及间隔的多个凹槽部。第一有机绝缘层可以是含有光产酸剂、具有酚性羟基的化合物、及热固性树脂的感光性的有机绝缘树脂发生固化而成的固化膜。在该情况下，能够容易地在第一有机绝缘层上形成具有微细的宽度和间隔的凹槽部。此外，由于能够减少第一有机绝缘层所含有的水分，因此金属材料难以扩散至该第一有机绝缘层。因而，可以提高有机插入体的绝缘可靠性。本专利技术的第二方式的有机插入体的制造方法具备：在第一有机绝缘层上形成多个凹槽部的第1工序；按照覆盖凹槽部的内表面的方式在第一有机绝缘层上形成第一阻隔金属膜的第2工序；按照填埋凹槽部的方式在第一阻隔金属膜上形成配线层的第3工序；按照第一有机绝缘层露出的方式将配线层薄化的第4工序；按照覆盖凹槽部内的配线层的方式形成第二阻隔金属膜的第5工序；以及在第一有机绝缘层上和第二阻隔金属膜上形成第二有机绝缘层的第6工序。在该有机插入体的制造方法中，通过经过第1～第3工序，能够在各凹槽部的内表面与配线层之间形成第一阻隔金属膜。另外，通过经过第4～第6工序，能够在有机绝缘层的层叠方向上、在配线层与第二有机绝缘层之间形成第二阻隔金属膜。因此，配线层内的金属材料向第一及第二有机绝缘层的扩散被第一及第二阻隔金属膜抑制。因此，能够抑制经由扩散的金属材料的多个配线彼此的短路，因而能够提高有机插入体的绝缘可靠性。可以在第3工序中通过以第一阻隔金属膜为籽晶层的镀覆法来形成配线层。在该情况下，能够以在第一有机绝缘层与配线层之间夹持第一阻隔金属膜的方式形成该配线层。由此，能够良好地抑制配线层内的金属材料向第一有机绝缘层的扩散。可以在第5工序中通过以配线层为籽晶层的镀覆法来形成第二阻隔金属膜。在该情况下，由于能够在配线层上选择性地形成第二阻隔金属膜，因此能够简化有机插入体的制造工序。可以在第4工序中除去凹槽部内的配线层的一部分、在第5工序中按照填埋凹槽部的方式形成第二阻隔金属膜。在这种情况下，因为第二阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机插入体，其具备：含有多个有机绝缘层而成的有机绝缘层叠体；和在所述有机绝缘层叠体内排列的多个配线，所述配线与所述有机绝缘层被阻隔金属膜隔开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.25 JP 2016-0618991.一种有机插入体，其具备：含有多个有机绝缘层而成的有机绝缘层叠体；和在所述有机绝缘层叠体内排列的多个配线，所述配线与所述有机绝缘层被阻隔金属膜隔开。2.根据权利要求1所述的有机插入体，其中，所述有机绝缘层叠体含有：具有配置有所述配线的多个凹槽部的第一有机绝缘层；和按照填埋所述配线的方式层叠在所述第一有机绝缘层上的第二有机绝缘层。3.根据权利要求2所述的有机插入体，其中，所述阻隔金属膜含有：设置在所述配线与所述凹槽部的内表面之间的第一阻隔金属膜；和设置在所述配线与所述第二有机绝缘层之间的第二阻隔金属膜。4.根据权利要求3所述的有机插入体，其中，所述第一阻隔金属膜含有钛、镍、钯、铬、钽、钨、以及金中的至少一个。5.根据权利要求3或4所述的有机插入体，其中，所述第二阻隔金属膜为镀覆膜。6.根据权利要求5所述的有机插入体，其中，所述第二阻隔金属膜为镀镍膜。7.根据权利要求5所述的有机插入体，其中，所述第二阻隔金属膜为镀钯膜。8.根据权利要求3～7中任一项所述的有机插入体，其中，所述第二阻隔金属膜的厚度为0.001μm以上且1μm以下。9.根据权利要求3～8中任一项所述的有机插入体，其中，所述第二阻隔金属膜的表面粗糙度为0.01μm以上且1μm以下。10.根据权利要求2～...

【专利技术属性】
技术研发人员：满仓一行，鸟羽正也，江尻芳则，蔵渊和彦，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP