A radiation detector array (112) of an imaging system (100) includes a plurality of detector modules (114), each of which includes a plurality of detector pixels (116), each of which includes an integral pixel boundary (202, 204, 206, 208) and a direct conversion activity within the integral pixel boundary. District. One method includes: receiving radiation using a nanomaterial detector pixel including the overall pixel boundary; generating a signal indicating the received radiation energy using the detector pixel, while reducing the crosstalk of the pixel signal; and reconstructing the signal to construct an image. An imaging system (100) includes: a source of X-ray radiation configured to emit X-ray radiation across the inspection area; a nanomaterial imaging detector with integral pixel boundaries, wherein the nanomaterial imaging detector is configured to detect X-ray radiation; and a reconstructor configured to reconstruct the nanometer. The output of the material imaging detector produces CT images.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有整体像素边界的纳米材料成像探测器
下文总体涉及成像探测器,并且更具体地涉及具有整体像素边界的纳米材料成像探测器,并且将具体针对计算机断层摄影(CT)的应用进行描述;然而,下文也适用于其他成像模态,例如,X射线、正电子发射断层摄影(PET)、CT/PET、CT/MR(磁共振)、PET/MR和/或被配置探测一个或多个能量带中的辐射并将探测到的辐射直接转换为指示该辐射的电信号的其他成像系统(包括诊断、安全、非破坏性等的成像系统)。
技术介绍
直接转换谱(多能量)CT探测器包括诸如碲化镉(CdTe)、碲锌镉(CZT)、硅(Si)等的直接转换材料。直接转换材料将入射在其上的X射线光子直接转换成电流或脉冲。这与诸如基于闪烁体/光电二极管的探测器的间接转换CT探测器形成对比,在所述直接转换CT探测器中,闪烁体将这样的X射线光子转换为可见光子,并且光电二极管将可见光子转换为电流或脉冲。诸如量子点的技术结合多孔硅被应用于直接转换探测器。目标是得到一种费用较低的谱CT探测器,其具有改善的辐射阻止能力和对响应进行定制以使得能够同时实现改善的探测效率(DE)和分辨率。然而,这样的探测器容易受到串扰的影响,所述串扰通常是指在一个或多个像素中生成的信号穿入到另一像素中,这会造成所有涉及的像素的信号测量误差。遗憾的是,这样的串扰会导致重建CT图像中的可见伪影和/或降低的空间分辨率。预期针对串扰的软件和/或硬件校正来解决这些性能缺陷。然而,高的脉冲速率会在校正中引起误差,并且基于硬件的校正容易受到像素之间的阈值差异的影响,这会产生电荷的不正确的加和。鉴于至少上述内容,需要另一探测器配 ...
【技术保护点】
1.一种成像系统(100)的辐射探测器阵列(112),包括:多个探测器模块(114),所述多个探测器模块中的每个包括:多个探测器像素(116),所述多个探测器像素中的每个包括:整体像素边界(202、204、206、208);以及直接转换活跃区,其在所述整体像素边界内。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.23 US 62/312,0831.一种成像系统(100)的辐射探测器阵列(112),包括:多个探测器模块(114),所述多个探测器模块中的每个包括:多个探测器像素(116),所述多个探测器像素中的每个包括:整体像素边界(202、204、206、208);以及直接转换活跃区,其在所述整体像素边界内。2.根据权利要求1所述的辐射探测系统,其中,所述多个探测器像素中的每个还包括:第一材料,其具有在所述第一材料中的多个列(210);以及第一纳米材料,其被设置在所述多个列的第一子集中。3.根据权利要求2所述的辐射探测系统,其中,所述多个列的不同的第一子集中的所述第一纳米材料是所述整体像素边界。4.根据权利要求2至3中的任一项所述的辐射探测系统,其中,所述第一纳米材料包括量子点。5.根据权利要求2至4中的任一项所述的辐射探测系统,其中,所述第一纳米材料包括封装的铅或钛。6.根据权利要求2至5中的任一项所述的辐射探测系统,其中,所述多个探测器像素中的每个还包括:第二纳米材料,其被设置在所述多个列的不同的第二子集中。7.根据权利要求6所述的辐射探测系统,其中,所述多个列的所述不同的第二子集中的所述第二纳米材料是所述整体像素边界内的所述直接转换活跃区。8.根据权利要求6至7中的任一项所述的辐射探测系统,其中,所述第二纳米材料包括量子点。9.根据权利要求6至8中的任一项所述的辐射探测系统,其中,所述第二纳米材料封装了硫化铅。10.根据权利要求2至9中的任一项所述的辐射探测系统,其中,所述多个列具有几十纳米的量级的直径。11.根据权利要求2至10中的任一项所述的辐射探测系统,其中,所述多个列具有三百微米的量级的长度。12.根据权利要求11所述的辐射探测系统,其中,所述多个列具有相同的长度。13.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:M·A·查波,
申请(专利权)人:皇家飞利浦有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰,NL
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