The preparation method of a multi-band focal plane detector from visible light to near infrared includes: step 1: Sacrifice layer, N contact layer, light absorption layer and cap layer are grown successively on an InP substrate; step 2: etch from one side of the cap layer down to reach the depth of N contact layer for easy electrode extraction; step 3: in the contact layer and cap layer. Graphic metal electrodes are grown on the electrodes, and indium columns are grown on the electrodes to obtain detector chips. Step 4: Take a readout circuit and turn the detector chip and readout circuit upside down to get a focal plane module; Step 5: Remove the substrate and sacrificial layer on the back of the focal plane module; Step 6: Grow SiO 2 medium on the N contact layer. Multilayer spectroscopic and transparent films are fabricated graphically to form multi-band visible to near infrared focal plane detectors. The invention has the advantages of simple process, fast product imaging speed and low cost, and solves the problem of low integration.
【技术实现步骤摘要】
多波段可见光至近红外焦平面探测器的制备方法
本专利技术涉及红外探测与成像
,更具体地说,本专利技术涉及一种多波段可见光至近红外焦平面探测器的制备方法。
技术介绍
红外探测器是将入射的红外辐射信号转变成为电信号的器件,可以捕捉人眼察觉不到的红外光并以电信号的形式进行输出。实现红外探测的材料和器件主要包括基于热效应的热释电探测器,基于光电效应的光电探测器,以及基于石墨烯、碳纳米管,量子点的新材料探测器等。目前,光电探测器的技术最为成熟,基于光电技术的红外探测器小型化后可制备成为密集的探测器阵列,也就是红外焦平面,焦平面是红外相机的核心元件,其在夜视成像,天文观测,工业控制,医疗,通讯等众多领域有着极其广泛的应用。近年来,多波段红外成像技术引起了许多公司和研究机构的兴趣。在探测器的实际应用中,探测器的响应波段一般是一个较大的范围,而实际探测器的目标往往有一段很强的较窄红外波段,因此直接用探测器观测目标将会有较大的噪声。另外,用整体宽谱的探测器去观测目标,无法区分目标在不同波段辐射分布的细节特征,而分离的多波段同时探测系统能够同时在不同子波段进行成像,成像效果更凸显细节,能够得到更好的分析效果。目前,实现多波段红外成像的手段主要是从系统层面进行设计,在探测器前面加入机械结构传动的带通滤光片或者透镜系统,有目的地透过特定波段以供后面的探测器吸收,从而实现多个子波段分时成像的目的。但这种设计非常复杂,以滤光片为例,每添加一个需要探测的子波段就要在系统中多加一个对应的滤光片,这样大幅增加了系统的制备成本、体积和复杂度;另外,滤光片和透镜系统的解决方案成像速度也较低 ...
【技术保护点】
1.一种多波段可见光至近红外的焦平面探测器的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在一InP衬底1上依次生长牺牲层2、N接触层3、光吸收层4和帽层5;步骤2:从帽层5的一侧向下刻蚀,刻蚀深度达到N接触层3,便于电极引出;步骤3:在接触层3和帽层5上生长图形金属电极,并在电极上生长铟柱6,得到探测器芯片;步骤4:取一个读出电路7,将探测器芯片与读出电路7倒扣,得到一个焦平面模块;步骤5:对焦平面模块的背面,去除衬底1和牺牲层2;步骤6:在N接触层3上生长SiO2介质膜8,图形化制备多层分光透光膜9,形成多波段可见光至近红外焦平面探测器。
【技术特征摘要】
1.一种多波段可见光至近红外的焦平面探测器的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在一InP衬底1上依次生长牺牲层2、N接触层3、光吸收层4和帽层5;步骤2:从帽层5的一侧向下刻蚀,刻蚀深度达到N接触层3,便于电极引出;步骤3:在接触层3和帽层5上生长图形金属电极,并在电极上生长铟柱6,得到探测器芯片;步骤4:取一个读出电路7,将探测器芯片与读出电路7倒扣,得到一个焦平面模块;步骤5:对焦平面模块的背面,去除衬底1和牺牲层2;步骤6:在N接触层3上生长SiO2介质膜8,图形化制备多层分光透光膜9,形成多波段可见光至近红外焦平面探测器。2.如权利要求1所述的多波段可见光至近红外焦平面探测器的制备方法,其中所述的衬底1的材料为InP、GaAs或Si。3.如权利要求1所述的多波段可见光至近红外焦平面探测器的制备方法,其中所述的牺牲层2的材料为InGaAs或InGaAsP。4.如权利要求1所述的多...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐云,白霖,陈华民,宋国峰,陈良惠,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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