The present application discloses a semiconductor device and a manufacturing method thereof, which relates to the field of semiconductor technology. The device includes: a metal connection arranged in the dielectric layer of the device wafer; a first opening above the metal connection, the depth of the first opening is equal to that of the metal connection; a second opening at both ends of the device, the depth of the second opening is the same as that of the first opening; and a side wall covering the first opening and the second opening. The upper isolation layer is composed of a color filter material. The device and method can simplify the process steps of pad extraction and isolation, and meet the technical requirements of the back sealing ring.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本申请涉及半导体
,特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
现有的BSI(Back-sideilluminated,背照式)器件需要多道光刻层次及蚀刻工艺(如背面硅光刻或蚀刻、层间电介质沉积、布线沉积等)来实现焊盘引出和隔离,这种工艺的步骤繁琐且实现成本高。另外,缺乏针对于BSI器件的背面密封环的设计和工艺。
技术实现思路
本申请的专利技术人发现上述现有技术中存在的问题,并因此针对所述问题中的至少一个问题提出了一种新的技术方案。本申请的一个目的是提供一种半导体器件的技术方案,能够简化焊盘引出和隔离的工艺步骤,并能够满足背面密封环的技术需求。根据本申请的第一方面,提供了一种半导体器件,包括:设置在器件晶片的电介质层中的金属连线;位于所述金属连线上方的第一开口,所述第一开口的深度与所述金属连线齐平;覆盖在所述第一开口的侧壁上的第一隔离层,所述第一隔离层由第一滤色材料构成。可选地,该器件还包括:位于所述器件两端的第二开口,所述第二开口的深度与所述第一开口的深度相同;覆盖在所述第二开口的侧壁上的第二隔离层,所述第二隔离层由第二滤色材料构成。可选地,该器件还包括:位于所述器件晶片上的像素区,所述像素区包括由金属栅格隔开的填充有第三滤色材料的多个单元;位于所述多个单元上的微透镜。可选地,所述第一滤色材料与所述第二滤色材料由一种或多种颜色的滤色材料构成。可选地,所述第一开口和所述第二开口的开口深度小于或等于3μm;所述第一开口的宽度大于或等于40μm。可选地,该器件还包括:用于承载所述器件晶片的载体晶片。根据本申请的另一个方面,提供一种 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件,包括:设置在器件晶片的电介质层中的金属连线;位于所述金属连线上方的第一开口,所述第一开口的深度与所述金属连线齐平;覆盖在所述第一开口的侧壁上的第一隔离层,所述第一隔离层由第一滤色材料构成。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件,包括:设置在器件晶片的电介质层中的金属连线;位于所述金属连线上方的第一开口,所述第一开口的深度与所述金属连线齐平;覆盖在所述第一开口的侧壁上的第一隔离层,所述第一隔离层由第一滤色材料构成。2.根据权利要求1所述的器件,还包括:位于所述器件两端的第二开口,所述第二开口的深度与所述第一开口的深度相同;覆盖在所述第二开口的侧壁上的第二隔离层,所述第二隔离层由第二滤色材料构成。3.根据权利要求2所述的器件,还包括:位于所述器件晶片上的像素区,所述像素区包括由金属栅格隔开的填充有第三滤色材料的多个单元;位于所述多个单元上的微透镜。4.根据权利要求2所述的器件,其中,所述第一滤色材料与所述第二滤色材料由一种或多种颜色的滤色材料构成。5.根据权利要求2所述的器件,其中,所述第一开口和所述第二开口的开口深度小于或等于3μm;所述第一开口的宽度大于或等于40μm。6.根据权利要求1-5中任一项所述的器件,还包括:用于承载所述器件晶片的载体晶片。7.一种半导体器件的制造方...
【专利技术属性】
技术研发人员:戚德奎,陈福成,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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