一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法，包括如下步骤：S1、完成零件装配，焊缝端面或轴向错边量≤0.05mm，间隙≤0.05mm；S2、通类组件的点焊定位；焊接工艺参数为：电子束加速电压35～45kV，聚焦束流(表面聚焦束流‑25mA)，余弦扫描函数，扫描频率150Hz，扫描幅度2.5～3.5，焊接速度15～20mm/s S3、将完成点焊定位的通类组件装夹到焊机三爪卡盘上；S4、焊缝质量检查。本发明专利技术杜绝了原有带锁底结构通类组件电子束单面焊接后反面机加工成型方法的工艺流程复杂、易产生毛刺、气孔等问题，解决了单面焊双面成型的反面易产生飞溅的问题。

A double-sided forming process for 1Cr18Ni9Ti and TA2 spacecraft general assembly by electron beam single-sided welding

The invention discloses a double-sided forming process of 1Cr18Ni9Ti and TA2 Aerospace general assembly by electron beam single-sided welding, which includes the following steps: S1, assembly of parts, welding seam end or axial staggered edge less than 0.05 mm, gap less than 0.05 mm; spot welding positioning of S2 and general assembly; welding process parameters are as follows: electron beam accelerated voltage 35-4 5 kV, focusing beam current (surface focusing beam current 25mA), cosine scanning function, scanning frequency 150 Hz, scanning range 2.5-3.5, welding speed 15-20 mm/s S3, will complete spot welding positioning of the general components clamped to the welding machine three-jaw chuck; S4, weld quality inspection. The invention eliminates the problems of complex process flow, easy to produce burrs and gas holes, etc. of the former one-sided electron beam welding reverse machine forming method for general components with lock bottom structure, and solves the problem of easy spatter on the reverse side of one-sided welding double-sided forming.

【技术实现步骤摘要】
一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法
本说明涉及一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法，特别适用于无锁底1Cr18Ni9Ti、TA2航天总装通类组件的焊缝焊接。
技术介绍
1Cr18Ni9Ti、TA2通类组件普遍存在于航天总装系统中，该零件采用电子束焊接后焊缝需要满足QJ972-86I级焊缝要求。通类组件焊接完成后需要进行机加工去除锁底，机加工后需要反复返修毛刺及反复内窥镜检查，工艺流程复杂，且容易产生多余物。所以，需要设计一种航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法来解决原有方法的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供可解决上述问题的一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法。为实现上述目的，本专利技术具体通过以下方案实现：一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法，包括如下步骤：S1、完成零件装配，焊缝端面或轴向错边量≤0.05mm，间隙≤0.05mm；S2、通类组件的点焊定位；对称定位2～4点，定位方式采用手工氩弧焊或激光焊等方式，焊点不允许氧化，焊点有核心；S3、将完成点焊定位的通类组件装夹到焊机三爪卡盘上，焊接处圆跳动≤0.05mm，端面跳动≤0.05mm；S4、焊缝质量检查；焊缝需要满足QJ972-86I级焊缝要求，且内窥镜检测焊缝反面无焊接飞溅。其中，所述步骤S2中焊接过程工艺参数如下：加速电压：35～45kV；真空度：≤7×10-4mbar；聚焦束流：If-25mA，其中If为表面聚焦束流；余弦扫描函数；扫描频率：150Hz；扫描幅度：2.5～3.5；焊接速度：15～20mm/s；电子束流：壁厚1.0mm：8～16mA，壁厚1.0～2.0mm：16～32mA。所述的焊缝结构为无锁底对接环焊缝结构，焊缝两侧焊接材料为TA2+TA2或1Cr18Ni9Ti+1Cr18Ni9Ti本专利技术采用无锁底对接环焊缝结构，焊缝两侧母材材料一致、厚度一致。与原有焊接工艺方法相比，本专利技术具有以下有益效果：焊接完成后不需要对通类组件的内孔进行机械加工，避免了修毛刺等返修工序，工艺流程大大简化，提高了加工效率。增加了气体从熔池下端溢出的通道，降低了气孔产生的概率。附图说明图1为本专利技术实施例中通类组件的结构示意图；图中：1-接头零件；2-直角通零件；3-外套螺母。具体实施方式下面结合具体实例对本专利技术进行详细说明。以下实例将有助于本领域的技术人员进一步理解本专利技术，但不以任何形式限制本专利技术。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本专利技术的保护范围。本专利技术实例提供了一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法，包括如下步骤：S1、完成零件装配，焊缝端面或轴向错边量≤0.05mm，间隙≤0.05mm；S2、通类组件的点焊定位，对称定位2～4点，定位方式可采用手工氩弧焊或激光焊等方式，焊点不允许氧化，焊点有核心。S3、将点焊定位的通类组件装夹到焊机三爪卡盘上，焊接处圆跳动≤0.05mm，端面跳动≤0.05mm；焊接过程工艺参数如下：加速电压：35～45kV；真空度：≤7×10-4mbar；聚焦束流：If-25mA，其中If为表面聚焦束流；余弦扫描函数；扫描频率：150Hz；扫描幅度：2.5～3.5；焊接速度：15～20mm/s。，电子束流：1.0mm：8～16mA，壁厚1.0～2.0mm：16～32mA。S4、焊缝质量检查：焊缝需要满足QJ972-86I级焊缝要求，且内窥镜检测焊缝反面无焊接飞溅。以上对本专利技术的具体实例进行了描述。需要理解的是，本专利技术并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本专利技术的实质内容。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、完成零件装配，焊缝端面或轴向错边量≤0.05mm，间隙≤0.05mm；S2、通类组件的点焊定位；对称定位2～4点，定位方式采用手工氩弧焊或激光焊方式，焊点不允许氧化，焊点有核心；S3、将完成点焊定位的通类组件装夹到焊机三爪卡盘上，焊接处圆跳动≤0.05mm，端面跳动≤0.05mm；S4、焊缝质量检查；焊缝需要满足QJ972‑86I级焊缝要求，且内窥镜检测焊缝反面无焊接飞溅。

【技术特征摘要】
1.一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、完成零件装配，焊缝端面或轴向错边量≤0.05mm，间隙≤0.05mm；S2、通类组件的点焊定位；对称定位2～4点，定位方式采用手工氩弧焊或激光焊方式，焊点不允许氧化，焊点有核心；S3、将完成点焊定位的通类组件装夹到焊机三爪卡盘上，焊接处圆跳动≤0.05mm，端面跳动≤0.05mm；S4、焊缝质量检查；焊缝需要满足QJ972-86I级焊缝要求，且内窥镜检测焊缝反面无焊接飞溅。2.如权利要求1所述的一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双...

【专利技术属性】
技术研发人员：马纪龙，宋凡，张祎玲，刘泽敏，于康，潘攀，陈晓江，姜叶斌，曹丹，
申请(专利权)人：上海空间推进研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31