扩展装置与存储系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供了扩展装置与存储系统。该扩展装置包含第一接口单元、至少一第二接口单元与控制电路。第一接口单元耦接控制器，至少一第二接口单元耦接至少一内存，控制电路耦接第一接口单元与至少一第二接口单元。第一接口单元用以接收控制器传送的控制命令。控制电路用以解释控制命令，以及根据控制命令控制至少一第二接口单元执行对应动作。

Expansion Devices and Storage Systems

The invention provides an expansion device and a storage system. The expansion device comprises a first interface unit, at least a second interface unit and a control circuit. The first interface unit couples the controller, at least one second interface unit couples at least one memory, and the control circuit couples the first interface unit with at least one second interface unit. The first interface unit is used to receive control commands transmitted by the controller. The control circuit is used to interpret the control command and to control at least one second interface unit to perform corresponding actions according to the control command.

【技术实现步骤摘要】
扩展装置与存储系统
本申请是有关于一种内存技术，且特别是有关于一种扩展装置与存储系统。
技术介绍
为了增加固态硬盘装置的容量，通常于固态硬盘内使用多个闪存芯片，造成控制器用来耦接至闪存的输入输出焊垫(input/outputpad，I/Opad)数目随之增加。因此，输入输出焊垫的电容值增加，控制器与内存之间连接的操作频率难以维持在控制器可操作的最高频率。
技术实现思路
本申请的一方面是提供一种扩展装置，其包含第一接口单元、至少一第二接口单元与控制电路。第一接口单元耦接控制器，至少一第二接口单元耦接至少一内存，控制电路耦接第一接口单元与至少一第二接口单元。第一接口单元用以接收控制器传送之控制命令。控制电路用以解释控制命令，以及根据控制命令控制至少一第二接口单元执行对应动作。本申请的另一方面是提供一种存储系统，其包含控制器、至少一内存与扩展装置。扩展装置包含第一接口单元、至少一第二接口单元与控制电路。第一接口单元耦接控制器，至少一第二接口单元耦接至少一内存，控制电路耦接第一接口单元与至少一第二接口单元。控制器用以产生控制命令。第一接口单元用以接收控制器传送之控制命令。控制电路用以解释该控制命令，以及根据控制命令控制至少一第二接口单元执行对应动作。本申请的另一方面是提供一种存储系统，其包含控制器、至少一内存与中继器。中继器耦接于控制器与至少一内存之间。中继器与控制器之间的第一等效电容值小于中继器与至少一内存之间的第二等效电容值。综上所述，扩展装置可增加内存数目以提升存储系统的容量，并且维持控制器与扩展装置之间的连接操作于最高操作频率。因此，控制器的设计弹性提升，并可有效避免为了提升存储系统容量而造成的过度设计。此外，中继器可有效解决控制器与内存之间规格不符的问题。附图说明为让本申请的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的说明如下：图1是根据本申请一实施例绘示的存储系统的示意图；图2是根据本申请一实施例绘示的控制方法流程图；图3是根据本申请一实施例绘示的控制方法流程图；图4是根据本申请一实施例绘示的控制方法流程图；以及图5是根据本申请一实施例绘示的存储系统的示意图。具体实施方式以下揭示提供许多不同实施例或例证用以实施本专利技术的特征。本揭示在不同例证中可能重复引用数字符号且/或字母，这些重复皆为了简化及阐述，其本身并未指定以下讨论中不同实施例且/或配置之间的关系。关于本文中所使用的“耦接”或“连接”，均可指二或多个组件相互直接作实体或电性接触，或是相互间接作实体或电性接触，而“耦接”或“连接”还可指二或多个组件相互操作或动作。参考第1图。第1图为根据本申请一实施例绘示的存储系统100的示意图。存储系统100包含扩展装置110、控制器120与数个内存131、132。扩展装置110耦接于控制器120与内存131、132之间。控制器120经由扩展装置110来控制内存131、132。于一实施例中，扩展装置110包含接口单元111、1121、1122、控制电路113与缓冲存储器114。接口单元111耦接控制器120，接口单元1121耦接四个内存131，接口单元1122耦接四个内存132，控制电路113耦接接口单元111、1121、1122。上述接口单元1121、1122与内存131、132的数目仅为举例，本揭示内容不以此为限。须说明的是，扩展装置110的接口单元111耦接接口单元1121、1122，因此控制器120单一信道可耦接的内存数目增加为两倍。换言之，具有扩展装置110的存储系统100的容量可有效地提升。此外，控制器120的输入输出焊垫(input/outputpad，I/Opad)耦接至扩展装置110的接口单元111，并未直接耦接至内存131、132的大量输入输出焊垫(未绘示)，因此控制器120与接口单元111之间的连接可以用控制器120的最高操作频率来操作。内存131、132的输入输出焊垫耦接至扩展装置110的接口单元1121、1122，因此接口单元1121、1122与内存131、132之间的等效电容值大于接口单元111与控制器120之间等效电容值，而内存131、132与接口单元1121、1122之间的连接可能以小于控制器120最高操作频率的频率来操作。换言之，扩展装置110与控制器120之间连接的操作频率并不会因耦接多个内存131、132而降低，仍可操作于控制器120的最高操作频率。如此一来，扩展装置110可增加内存131、132数目以提升存储系统100的容量，并且维持控制器120与扩展装置110之间的连接操作于最高操作频率。因此，控制器120的设计弹性提升，并可有效避免为了提升存储系统100容量而造成的过度设计。于一实施例中，接口单元1121、1122通过分时多任务方式操作。操作上，参考图1～图4。图2～图4为根据本申请一些实施例绘示的控制方法200、300、400流程图。控制方法200具有多个步骤S201～S205，控制方法300具有多个步骤S301～S305，控制方法400具有多个步骤S401～S405，其可应用于如图1所示的存储系统100。然熟习本申请之技术人员应了解到，在上述实施例中所提及的步骤，除特别叙明其顺序者外，均可依实际需要调整其前后顺序，甚至可同时或部分同时执行。于一实施例中，图2所示的控制方法200说明未涉及数据传输的控制方法。于步骤S201，接口单元111接收控制器120传送的控制命令，并且将控制命令传送至扩展装置110的控制电路113。于步骤S202，控制电路113解释控制命令。举例而言，控制电路113解释控制命令为切换接口单元1121耦接至接口单元111，以进而耦接至控制器120。于步骤S203，控制电路113根据控制命令控制接口单元1121执行对应动作。举例而言，控制电路113根据控制命令控制接口单元1121耦接至接口单元111。或者，于另一实施例中，控制电路113亦可根据控制命令控制接口单元1122执行对应动作。于步骤S204，控制电路113判断上述对应动作是否完成。若控制电路113判断对应动作未完成，则持续轮询(polling)以检查接口单元1121是否完成对应动作。反之，若控制电路113判断对应动作完成，则于步骤S205，控制电路113传送结果状态至接口单元111。于一实施例中，于步骤S205结束后，回到步骤S201，接口单元111可接收控制器120传送的另一控制命令。于另一实施例中，若控制电路113解释控制命令为控制器120将会发送数个命令(例如，序列命令)至扩展装置110，则扩展装置110接收序列命令当中的第二个命令至最后命令时均可省略步骤S202，亦即于步骤S201结束后直接执行步骤S203～S205。于一实施例中，图3所示的控制方法300说明数据写入内存131且/或内存132的控制方法。于步骤S301，接口单元111接收控制器120传送的控制命令，并且将控制命令传送至扩展装置110的控制电路113。于步骤S302，控制电路113解释控制命令。举例而言，控制电路113解释控制命令为写入数据至内存131。举另一例而言，控制电路113解释控制命令为写入数据至内存132。于步骤S303，控制电路113根据控制命令控制接口单元111接收数据，并控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扩展装置，包含：一第一接口单元，耦接一控制器并用以接收该控制器传送之一控制命令；至少一第二接口单元，耦接至少一内存；以及一控制电路，耦接该第一接口单元与该至少一第二接口单元并用以解释该控制命令，以及根据该控制命令控制该至少一第二接口单元执行一对应动作。

【技术特征摘要】
1.一种扩展装置，包含：一第一接口单元，耦接一控制器并用以接收该控制器传送之一控制命令；至少一第二接口单元，耦接至少一内存；以及一控制电路，耦接该第一接口单元与该至少一第二接口单元并用以解释该控制命令，以及根据该控制命令控制该至少一第二接口单元执行一对应动作。2.根据权利要求1所述的扩展装置，其中，该控制电路还用以于该对应动作完成后，传送一结果状态至该第一接口单元。3.根据权利要求1所述的扩展装置，其中，该控制电路还用以根据该控制命令控制该第一接口单元接收一数据，并控制该至少一第二接口单元传送该数据至该至少一内存以供写入该数据进该至少一内存。4.根据权利要求3所述的扩展装置，还包含：一缓冲存储器，耦接该控制电路、该第一接口单元与该至少一第二接口单元并用以储存该数据，其中该控制电路还用以根据该控制命令储存该数据于该缓冲存储器内，并控制该至少一第二接口单元接收该缓冲存储器内的该数据。5.根据权利要求1所述的扩展装置，其中该控制电路还用以根据该控制命令控制该至少一第二接口单元从该至少一内存接...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈政宇，萧景隆，谢易霖，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71