芯片制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种芯片，该芯片包括形成有电路的晶片、包裹在晶片侧部和顶部的树脂层、位于晶片的顶部且露出树脂层的电极以及覆盖在晶片底部的硅土膜，电极的上表面与树脂层的上表面齐平，且电极由形成在晶片上的锡球经打磨后形成。该芯片能够保护晶片，防止晶片在生产、运输、及安装使用过程中因直接接触而受到物理损伤，提高晶片在恶劣环境中的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
芯片
本技术涉及半导体封装领域，特别涉及一种芯片。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，芯片的集成度越来越高，芯片的体积变得越来越小，对封装技术的要求也越来越高。晶圆级芯片规模封装(WaferLevelChipScalePackaging，简称WLCSP)，作为一种新的封装技术被广泛应用于微型芯片的封装。通常WLCSP的封装技术使用树脂仅封装晶片的底部，而晶片的侧部和顶部并没有被封装，如此导致晶片的侧部和顶部容易受到损伤，而损伤不易被检测可能导致最终产品失效。
技术实现思路
为了解决传统技术中存在晶片的侧部和顶部易受到损伤问题，本技术提供了一种芯片。本技术提供一种芯片，包括形成有电路的晶片、包裹在所述晶片侧部和顶部的树脂层、在所述晶片的顶部露出所述树脂层的电极以及覆盖在所述晶片底部的硅土膜，所述电极的上表面与所述树脂层的上表面齐平，且所述电极由形成在所述晶片上的锡球经打磨后形成。进一步，所述电极的上表面的四个角呈弧形。进一步，所述电极的上表面宽度介于140～200μm之间，长度介于170～230μm之间。进一步，所述晶片的长度介于0.54～0.545mm之间，宽度介于0.24～0.245mm，高度介于0.195～0.205mm之间。进一步，所述芯片的尺寸为长0.55～0.61mm、宽0.25～0.31mm、高0.21～0.27mm。进一步，形成所述电极的锡球是通过钢网印刷工艺形成。进一步，所述电极有两个或多个，所述电极相互间隔，且相邻两电极之间填充有所述树脂层。进一步，所述硅土膜的厚度为22～28um。本技术的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：本技术提供一种芯片，该封装结构包括晶片、包裹在晶片侧部和顶部的树脂层、在晶片的顶部露出树脂层的电极以及覆盖在晶片底部的硅土膜，电极的上表面与树脂层的上表面齐平，且电极由形成在晶片上的锡球经打磨后形成。树脂层包覆晶片的各个侧部和顶面，硅土膜包覆晶片的底部，使得晶片的各个面均被包覆，而只露出电极，如此，在保证晶片能够与外部电路正常电连接的前提下，还能保护晶片，防止晶片在生产、运输、及安装使用过程中因直接接触而受到物理损伤，提高晶片在恶劣环境中使用的可靠性。电极的上表面与树脂层的上表面齐平，使封装后的结构能够与外部电路平稳连接，防止因出现倾斜而导致焊接不良的情况。电极主要由锡制成，保证后续与外部电路焊接点有良好的融合性，焊接效果好。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本技术。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本技术的实施例，并于说明书一起用于解释本技术的原理。图1为本技术的芯片的剖面示意图。图2为锡球打磨前的芯片的剖面示意图。图3为芯片的俯视示意图。具体实施方式为了进一步说明本技术的原理和结构，现结合附图对本技术的优选实施例进行详细说明。如前所述，针对传统的WLCSP的封装技术使用树脂仅封装晶片的底部，而晶片的侧部和顶部并没有被封装，导致晶片的侧部容易受到损伤的问题，本技术提供一种芯片，如图1所示，其为本技术的芯片的剖面示意图。芯片10包括晶片11、包裹在晶片11侧部和顶部的树脂层12、位于晶片11的顶部且露出树脂层12的电极14以及覆盖在晶片11底部的硅土膜13。晶片11上形成有电路，以制作成各种电路元件结构，例如三级管、二极管、电容等。电极14的上表面与树脂层12的上表面齐平，电极14由形成在晶片11上的锡球经打磨后形成。结合图2所示，其为锡球打磨前的芯片的剖面示意图。锡球形成在晶片11上，其用于连接外部电路和晶片11内部的电路。锡球可通过钢网印刷工艺的方式形成。具体而言，先将特殊定制的钢网放置在晶片上，再将由锡银铜三种金属混合而成的合金粉末与助焊剂混合而成的糊状材料均匀的印刷到晶片的电极上，然后通过高温熔化、冷却固化形成锡球。更佳地，为减少在高温固化后锡球中产生小的气孔，形成锡球的过程可在真空环境中进行。合金粉末糊状材料经钢网印刷工艺成型并固化后，形成半球状的锡球15。锡球15形成后对晶片11的侧部及形成有锡球15的顶部进行注塑，使树脂层12包覆整个晶片11和锡球15。之后，对塑封后的晶片11进行打磨，打磨后，锡球15的顶部被磨平，如此形成电极14，如图3所示，电极14露出的上表面的四个角呈弧形。电极14的上表面与晶片11顶面的树脂层12的上表面齐平，以使封装后的芯片能够与外部电路平稳连接，防止出现因倾斜而导致的焊接不良的现象。电极14形成后，在晶片11的底部进行打磨，以减薄晶片11以达到超小型封装尺寸要求。最后，在晶片11的底部(即底平面)形成一层硅土膜13，包覆晶片11的底面。如此，使得硅土膜13和树脂层12包覆晶片11的六个面，只露出电极14，达到保护晶片的目的，防止晶片在生产、运输、及安装使用过程中因直接接触而受到物理损伤。此外，因晶片11的六个面均包覆有保护层，提高了晶片在恶劣环境中使用的可靠性。并且，由于电极是由锡银铜合金材料打磨而成，因此在后续与外部电路进行焊接时融合性好，焊接效果好。在上述图1和图2中，仅示出两个电极14，但并不限于此，形成在晶片11上电极的数量，根据晶片11形成的电路元件对电极数量的需求而定。因此，形成在晶片11上的电极数量可以是三个或三个以上。当晶片11上形成多个电极时，电极之间相互间隔，且相邻两电极之间填充有树脂层。因此，当芯片(晶片封装后形成的结构)焊接在电路板上时，芯片不易发生短路，提高了芯片的使用性能。结合图3所示，电极14的上表面宽度W1介于140～200μm之间，长度L1介于170～230μm之间，电极14上表面的尺寸较大，使得电极14与外部电路具有较大的接触尺寸，提高两者之间的连接性能。晶片11的长度介于0.54～0.545mm之间，宽度介于0.24～0.245mm，高度介于0.195～0.205mm之间。晶片封装后，芯片的尺寸为长0.55～0.61mm、宽0.25～0.31mm、高0.21～0.27mm。晶片11经树脂层12和硅土膜13封装包覆后，其尺寸的变化不大，封装后的芯片仍具有轻薄化的优势。进一步，硅土膜13通过膜封的形式形成在晶片11的底面上，其中，硅土膜13的厚度为22～28um。以上仅为本技术的较佳可行实施例，并非限制本技术的保护范围，凡运用本技术说明书及附图内容所作出的等效结构变化，均包含在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片，其特征在于，包括形成有电路的晶片、包裹在所述晶片侧部和顶部的树脂层、位于所述晶片的顶部且露出所述树脂层的电极以及覆盖在所述晶片底部的硅土膜，所述电极的上表面与所述树脂层的上表面齐平，且所述电极由形成在所述晶片上的锡球经打磨后形成。

【技术特征摘要】
1.一种芯片，其特征在于，包括形成有电路的晶片、包裹在所述晶片侧部和顶部的树脂层、位于所述晶片的顶部且露出所述树脂层的电极以及覆盖在所述晶片底部的硅土膜，所述电极的上表面与所述树脂层的上表面齐平，且所述电极由形成在所述晶片上的锡球经打磨后形成。2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述电极的上表面的四个角呈弧形。3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述电极的上表面宽度介于140～200μm之间，长度介于170～230μm之间。4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述晶片的长度介于0.54...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，袁伟，欧俊舟，罗浩维，
申请(专利权)人：深圳赛意法微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44