一种新型超声波探头制造技术

技术编号:19514304 阅读:28 留言:0更新日期:2018-11-21 09:37
本实用新型专利技术公开了一种新型超声波探头,包括二维晶片阵列、声阻尼块和探测通道,二维晶片阵列固定在声阻尼块的底部端面上,探测通道的一端从声阻尼块的顶部穿过并与二维晶片阵列连接,探测通道的另一端与配套设备连接;配套设备用于通过探测通道使二维晶片阵列发出检测超声波;检测超声波经焊点区域的反射形成信息超声波,并通过二维晶片阵列和探测通道传回至配套设备,配套设备对信息超声波进行分析。本实用新型专利技术的优点和有益效果在于:减少了压电晶片的数量,进而减少了与压电晶片连接的导线数量,进而降低了探测通道以及与探测通道连接的配套设备的标准要求,因此降低了开展超声波检测工作的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种新型超声波探头
本技术涉及超声波检测领域,特别涉及一种新型超声波探头。
技术介绍
如图3所示,常规的超声波探头的二维晶片阵列通常采用方形晶片阵列,而焊点区域基本是圆形的,由于需要二维晶片阵列能够完全覆盖焊点区域,因此当使用常规的超声波探头对焊点区域进行检测时,往往会造成二维晶片阵列中的一些位于边缘的压电晶片未参与到对焊点区域进行超声波检测的工作中,进而造成压电晶片资源和探测通道资源的浪费;同时,若要保证常规的超声波探头能够正常工作,需要提供配置标准较高的配套设备,因此又进一步的浪费了配套设备资源。
技术实现思路
为了解决上述问题,本技术提供一种新型超声波探头。本技术方案使矩形阵列部和梯形阵列部所形成的二维晶片阵列能够完整的覆盖声阻尼块的底部端面;由于检测的焊点区域基本是圆形,因此声阻尼块底部端面上的二维晶片阵列完全能够满足对圆形焊点区域的检测需求;同时,相比于现有技术中在声阻尼块底部布置方形晶片阵列的方案,减少了压电晶片的数量,进而减少了与压电晶片连接的导线数量,进而降低了探测通道以及与探测通道连接的配套设备的标准要求,因此降低了开展超声波检测工作的成本。本技术中的一种新型超声波探头,包括二维晶片阵列、声阻尼块和探测通道,所述二维晶片阵列固定在所述声阻尼块的底部端面上,所述探测通道的一端从所述声阻尼块的顶部穿过并与所述二维晶片阵列连接,所述探测通道的另一端与配套设备连接;所述配套设备用于通过所述探测通道使二维晶片阵列发出检测超声波;所述检测超声波经焊点区域的反射形成信息超声波,并通过所述二维晶片阵列和探测通道传回至所述配套设备,所述配套设备对所述信息超声波进行分析。上述方案中,所述晶片座和声阻尼块分别为圆柱形结构;所述晶片座的轴线与所述声阻尼块的轴线一致,所述保护层的侧面与所述晶片座内部的侧面连接。上述方案中,所述二维晶片阵列包括矩形阵列部和梯形阵列部,两个所述梯形阵列部对称布置在所述矩形阵列部的两侧。上述方案中,所述矩形阵列部由若干个压电晶片以矩阵的方式布置而成,所述梯形阵列部由若干个压电晶片以梯形阵列的方式布置而成;所述声阻尼块的底部端面为圆形结构,所述矩形阵列部与两个所述梯形阵列部共同覆盖所述声阻尼块的底部端面。上述方案中,所述梯形阵列部的首行的压电晶片的数量与所述矩形阵列部中的任意一行的压电晶片的数量一致;所述梯形阵列部为等腰梯形结构,所述梯形阵列部朝向所述矩形阵列部一侧的行为首行,所述梯形阵列部背向所述矩形阵列部一侧的行为尾行;所述梯形阵列部各行的压电晶片的数量,从首行至尾行依次递减。上述方案中,还包括金属外壳、保护层和晶片座;所述晶片座内部为中空结构,所述晶片座的底部具有连通所述晶片座内部和外界的通口;所述晶片座的外侧表面具有环状突起,所述环状突起的轴线与所述晶片座的轴线一致;所述金属外壳内部为筒形结构,所述金属外壳的顶端连接有金属端盖,所述金属外壳的底端连接有连接端盖,所述连接端盖具有连通所述连接端盖上表面和下表面的连接通道;所述晶片座的底端穿入所述连接通道内,所述连接端盖的上表面与所述环状突起朝向所述晶片座底端一侧的表面接触,使所述晶片座固定在所述金属外壳内部;所述声阻尼块固定在所述晶片座的内部,所述保护层覆盖在所述二维晶片阵列背向所述声阻尼块的一侧表面上,所述保护层的侧面与所述晶片座连接。上述方案中,所述探测通道包括导线、导电杆和接线片;所述晶片座的顶部具有连通所述晶片座内部和外界的导电孔,所述接线片连接在所述导电孔内,所述导线的一端穿过所述声阻尼块与所述二维晶片阵列连接,所述导线的另一端与所述导电孔连接,所述导电杆的一端从穿过所述接线片连接或接触,所述导电杆的另一端与所述配套设备连接。上述方案中,还包括具有导电通道的金属套筒,所述导电通道连通所述金属套筒的顶底两端;所述金属端盖具有连通所述金属端盖上表面和下表面的金属孔,所述金属套筒的轴线与所述金属孔的轴线一致,所述金属套筒的一端穿过所述金属孔,所述金属套筒的侧面与所述金属孔的内侧壁通过胶接连接;所述导电杆的一端穿过所述导电通道与所述接线片接触或连接。上述方案中,所述导电杆的侧壁与所述导电通道的侧壁通过螺纹连接。本技术的优点和有益效果在于:本技术提供一种新型超声波探头,减少了压电晶片的数量,进而减少了与压电晶片连接的导线数量,进而降低了探测通道以及与探测通道连接的配套设备的标准要求,因此降低了开展超声波检测工作的成本。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术一种新型超声波探头的结构示意图;图2为本技术一种新型超声波探头中二维晶片阵列、声阻尼块和焊点区域的结构透视图;图3为现有技术中常规超声波探头的方形晶片阵列的结构示意图。图中:1、二维晶片阵列2、声阻尼块3、探测通道4、配套设备5、金属外壳6、保护层7、晶片座8、金属套筒9、结构胶11、矩形阵列部12、梯形阵列部13、压电晶片31、导线32、导电杆33、接线片51、金属端盖52、连接端盖53、连接通道54、金属孔71、通口72、环状突起73、导电孔81、导电通道H、焊点区域外轮廓具体实施方式下面结合附图和实施例,对本技术的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案,而不能以此来限制本技术的保护范围。如图1和图2所示,本技术是一种新型超声波探头,包括二维晶片阵列1、声阻尼块2和探测通道3,二维晶片阵列1固定在声阻尼块2的底部端面上,探测通道3的一端从声阻尼块2的顶部穿过并与二维晶片阵列1连接,探测通道3的另一端与配套设备4连接;配套设备4用于通过探测通道3使二维晶片阵列1发出检测超声波;检测超声波经焊点区域的反射形成信息超声波,并通过二维晶片阵列1和探测通道3传回至配套设备4,配套设备4对信息超声波进行分析。具体的,晶片座7和声阻尼块2分别为圆柱形结构;晶片座7的轴线与声阻尼块2的轴线一致,保护层6的侧面与晶片座7内部的侧面连接。进一步的,二维晶片阵列1包括矩形阵列部11和梯形阵列部12,两个梯形阵列部12对称布置在矩形阵列部11的两侧。进一步的,矩形阵列部11由若干个压电晶片13以矩阵的方式布置而成,梯形阵列部12由若干个压电晶片13以梯形阵列的方式布置而成;声阻尼块2的底部端面为圆形结构,矩形阵列部11与两个梯形阵列部12共同覆盖声阻尼块2的底部端面。优选的,梯形阵列部12的首行的压电晶片13的数量与矩形阵列部11中的任意一行的压电晶片13的数量一致;梯形阵列部12为等腰梯形结构,梯形阵列部12朝向矩形阵列部11一侧的行为首行,梯形阵列部12背向矩形阵列部11一侧的行为尾行;梯形阵列部12各行的压电晶片13的数量,从首行至尾行依次递减。如图2所示,矩形阵列部11具有4行12列;梯形阵列部12具有4行,梯形阵列部12的首行具有12列,梯形阵列部12的第二行具有10列,梯形阵列部12的第三行具有8列,梯形阵列部12的尾行具有6列;矩形阵列部11和两个梯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型超声波探头,其特征在于,包括二维晶片阵列、声阻尼块和探测通道,所述二维晶片阵列固定在所述声阻尼块的底部端面上,所述探测通道的一端从所述声阻尼块的顶部穿过并与所述二维晶片阵列连接,所述探测通道的另一端与配套设备连接;所述配套设备用于通过所述探测通道使二维晶片阵列发出检测超声波;所述检测超声波经焊点区域的反射形成信息超声波,并通过所述二维晶片阵列和探测通道传回至所述配套设备,所述配套设备对所述信息超声波进行分析。

【技术特征摘要】
1.一种新型超声波探头,其特征在于,包括二维晶片阵列、声阻尼块和探测通道,所述二维晶片阵列固定在所述声阻尼块的底部端面上,所述探测通道的一端从所述声阻尼块的顶部穿过并与所述二维晶片阵列连接,所述探测通道的另一端与配套设备连接;所述配套设备用于通过所述探测通道使二维晶片阵列发出检测超声波;所述检测超声波经焊点区域的反射形成信息超声波,并通过所述二维晶片阵列和探测通道传回至所述配套设备,所述配套设备对所述信息超声波进行分析。2.根据权利要求1所述的一种新型超声波探头,其特征在于,还包括金属外壳、保护层和晶片座;所述晶片座内部为中空结构,所述晶片座的底部具有连通所述晶片座内部和外界的通口;所述晶片座的外侧表面具有环状突起,所述环状突起的轴线与所述晶片座的轴线一致;所述金属外壳内部为筒形结构,所述金属外壳的顶端连接有金属端盖,所述金属外壳的底端连接有连接端盖,所述连接端盖具有连通所述连接端盖上表面和下表面的连接通道;所述晶片座的底端穿入所述连接通道内,所述连接端盖的上表面与所述环状突起朝向所述晶片座底端一侧的表面接触,使所述晶片座固定在所述金属外壳内部;所述声阻尼块固定在所述晶片座的内部,所述保护层覆盖在所述二维晶片阵列背向所述声阻尼块的一侧表面上,所述保护层的侧面与所述晶片座连接;所述晶片座和声阻尼块分别为圆柱形结构;所述晶片座的轴线与所述声阻尼块的轴线一致,所述保护层的侧面与所述晶片座内部的侧面连接。3.根据权利要求2所述的一种新型超声波探头,其特征在于,所述二维晶片阵列包括矩形阵列部和梯形阵列部,两个所述梯形阵列部对称布置在所述矩形阵列部的两侧。4.根据权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:张瑞
申请(专利权)人:艾因蒂克检测科技上海股份有限公司
类型:新型
国别省市:上海,31

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