单晶炉制造技术

本实用新型专利技术提供了一种单晶炉，涉及单晶炉设备技术领域，包括炉体、坩埚、导流筒、加热组件、电极柱、埚杆以及设置于炉体内壁上的保温层，保温层包括上部保温层、下部保温层以及设置于上部保温层内侧的底部保温层，下部保温层为用于容纳废气管的环形构件。本实用新型专利技术提供的单晶炉，通过采用下部保温层的形式，既保证生产过程中整体的保温效果，又解决了废气管从保温层中拆卸难度大的技术问题，能够快速的对废气管的连接节点进行拆除，便于空气缓慢进入废气管中，进而将废气管中易燃气体氧化，然后方便的进行杂质清理操作，提高了废气管道的清理速度。

【技术实现步骤摘要】
单晶炉
本技术属于单晶炉设备
，更具体地说，是涉及一种单晶炉。
技术介绍
单晶炉是一种在惰性气体环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。单晶炉的生产工艺流程一般如下：先将一定量的多晶硅原料放入坩埚中，加热至熔化，在拉杆下端装夹籽晶，沉浸到熔化的晶体原料中，将拉杆缓缓向上提拉，同时缓慢旋转，最终生长出圆柱体形状的单晶硅棒。在单晶硅的生产过程中，温度的保持是一个重要问题，为了在保证生产温度的前提下降低能量损耗，炉体内壁一般采用附着保温层的形式，但是在炉体底部设置的废气孔中往往容易一些易燃气体或杂质，需要进行清除，现有的清除过程中往往对保温层的拆除量过大，延误工时的同时还容易造成保温层的损坏，具有较多的使用弊端。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种单晶炉，以解决现有技术中存在的单晶炉废气管拆装对保温层拆除量大、影响保温性能的技术问题。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：提供一种单晶炉，包括炉体、设置于炉体内部的坩埚、设置于坩埚上方的导流筒、设置于坩埚外周的加热组件、设置于加热组件下方的电极柱、设置于坩埚的下方的埚杆以及设置于炉体内壁上的保温层，其特征在于：保温层包括上部保温层、设置于上部保温层下方的下部保温层以及设置于上部保温层内侧的底部保温层，下部保温层上设有用于容纳废气管的孔，下部保温层为环形构件且分别与上部保温层和底部保温层卡接。作为进一步的优化，下部保温层包括下部保温主体和用于与下部保温主体围合成容纳废气管的若干个配合块，下部保温主体包括内圈与底部保温层接触配合的底部衔接层、设置于底部衔接层外周的外壁层以及设置于外壁层上的若干个开口向外且用于与配合块围合形成孔的配合槽。作为进一步的优化，配合槽设有四个，且在外壁层的外周均匀布设。作为进一步的优化，配合槽的内壁外端设有限位开口，配合块的外端设有与限位开口卡接的限位凸台。作为进一步的优化，上部保温层的顶部还设有与导流筒上口的外壁接触配合的保温盖碳毡圈。作为进一步的优化，导流筒的内壁上部设有外扩槽，外扩槽上设有与导流筒同轴心的换热器。作为进一步的优化，换热器与导流筒之间还设有隔离套，隔离套为钼构件。作为进一步的优化，底部保温层和下部保温层的下方还设有炉底平板，废气管贯穿炉底平板设置。作为进一步的优化，上部保温层包括设置于导流筒外周的第一保温层和设置于坩埚外周且位于第一保温层下方的第二保温层，第一保温层的厚度大于第二保温层的厚度。作为进一步的优化，废气管与炉体的炉底之间以及电极柱的底端与炉体的炉底之间分别设有陶瓷密封件。本技术提供的单晶炉的有益效果在于：本技术提供的单晶炉，通过采用下部保温层的形式，既保证生产过程中整体的保温效果，又解决了废气管从保温层中拆卸难度大的技术问题，能够快速的对废气管的连接节点进行拆除，便于空气缓慢进入废气管中，进而将废气管中易燃气体氧化，然后方便的进行杂质清理操作，提高了废气管道的清理速度。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的单晶炉的主视剖视结构示意图；图2为本技术实施例图1中下部保温层的主视结构示意图；图3为本技术实施例图2中下部保温主体的主视结构示意图；图4为本技术实施例图3中A-A的剖视结构示意图；图5为本技术实施例图2中配合块的主视结构示意图；其中，图中各附图标记：100-炉体；200-坩埚；300-导流筒；310-换热器；320-保温盖碳毡圈；330-隔离套；400-加热组件；500-电极柱；600-保温层；610-上部保温层；611-第一保温层；612-第二保温层；620-下部保温层；621-底部衔接层；622-外壁层；623-配合槽；624-配合块；625-限位开口；626-限位凸台；630-底部保温层；640-炉底平板；650-孔；700-埚杆。具体实施方式为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。请一并参阅图1至图5，现对本技术提供的单晶炉进行说明。单晶炉，包括炉体100、设置于炉体100内部的坩埚200、设置于坩埚200上方的导流筒300、设置于坩埚200外周的加热组件400、设置于加热组件400下方的电极柱500、设置于坩埚200的下方的埚杆700以及设置于炉体100内壁上的保温层600，其特征在于：保温层600包括上部保温层610、设置于上部保温层610下方的下部保温层620以及设置于上部保温层610内侧的底部保温层630，下部保温层620上设有用于容纳废气管的孔650，下部保温层620为环形构件且分别与上部保温层610和底部保温层630卡接。本技术提供的单晶炉，与现有技术相比，本技术提供的单晶炉，通过采用下部保温层620与上部保温层610以及底部保温层630之间卡接的形式，既保证生产过程中整体的保温效果，又解决了废气管从下部保温层620中拆卸难度大的技术问题，能够快速的将废气管的连接节点进行拆除，由于节点在下部保温层620中，通过将下部保温层620进行局部拆除，进而便于空气从废气管的下方入口缓慢进入废气管中，进而将废气管中易燃气体氧化，避免生产爆炸等安全事故，继而进行杂质清理操作，提高了废气排出效率和产品生产效率。作为进一步的优化，请一并参阅图1至图5，作为本技术提供的单晶炉的一种具体实施方式，下部保温层620包括下部保温主体和用于与下部保温主体围合成容纳废气管的若干个配合块624，下部保温主体包括内圈与底部保温层630接触配合的底部衔接层621、设置于底部衔接层621外周的外壁层622以及设置于外壁层622上的若干个开口向外且用于与配合块624围合形成孔650的配合槽623。下部保温层620采用下部保温主体和多个配合块624相结合的形式，能够在下部保温主体的外周形成多个用于容纳废气管的空本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.单晶炉，包括炉体(100)、设置于所述炉体(100)内部的坩埚(200)、设置于所述坩埚(200)上方的导流筒(300)、设置于所述坩埚(200)外周的加热组件(400)、设置于所述加热组件(400)下方的电极柱(500)、设置于所述坩埚(200)的下方的埚杆(700)以及设置于所述炉体(100)内壁上的保温层(600)，其特征在于：所述保温层(600)包括上部保温层(610)、设置于所述上部保温层(610)下方的下部保温层(620)以及设置于上部保温层(610)内侧的底部保温层(630)，所述下部保温层(620)上设有用于容纳废气管的孔(650)，所述下部保温层(620)为环形构件且分别与所述上部保温层(610)和所述底部保温层(630)卡接。

【技术特征摘要】
1.单晶炉，包括炉体(100)、设置于所述炉体(100)内部的坩埚(200)、设置于所述坩埚(200)上方的导流筒(300)、设置于所述坩埚(200)外周的加热组件(400)、设置于所述加热组件(400)下方的电极柱(500)、设置于所述坩埚(200)的下方的埚杆(700)以及设置于所述炉体(100)内壁上的保温层(600)，其特征在于：所述保温层(600)包括上部保温层(610)、设置于所述上部保温层(610)下方的下部保温层(620)以及设置于上部保温层(610)内侧的底部保温层(630)，所述下部保温层(620)上设有用于容纳废气管的孔(650)，所述下部保温层(620)为环形构件且分别与所述上部保温层(610)和所述底部保温层(630)卡接。2.如权利要求1所述的单晶炉，其特征在于：所述下部保温层(620)包括下部保温主体和用于与所述下部保温主体围合成容纳所述废气管的若干个配合块(624)，所述下部保温主体包括内圈与所述底部保温层(630)接触配合的底部衔接层(621)、设置于所述底部衔接层(621)外周的外壁层(622)以及设置于所述外壁层(622)上的若干个开口向外且用于与所述配合块(624)围合形成所述孔(650)的配合槽(623)。3.如权利要求2所述的单晶炉，其特征在于：所述配合槽(623)设有四个，且在所述外壁层(622)的外周均匀布设。4.如权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王会敏，张浩强，颜超，王东，王宗均，赵贝，
申请(专利权)人：邢台晶龙电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13