具有UBM的封装件和形成方法技术

技术编号:19483990 阅读:72 留言:0更新日期:2018-11-17 11:03
本发明专利技术讨论了封装件结构和形成封装件结构的方法。根据一些实施例,封装件结构包括集成电路管芯、至少横向密封集成电路管芯的密封剂、位于集成电路管芯和密封剂上的再分布结构、连接至再分布结构的连接件支撑金属以及位于连接件支撑金属上的外部连接件。再分布结构包括远离密封剂和集成电路管芯设置的介电层。连接件支撑金属具有位于介电层的表面上的第一部分并且具有在穿过介电层的开口中延伸的第二部分。连接件支撑金属的第一部分具有在远离介电层的表面的方向上延伸的倾斜侧壁。本发明专利技术的实施例还涉及具有UBM的封装件和形成方法。

【技术实现步骤摘要】
具有UBM的封装件和形成方法本申请是于2015年7月22日日提交的申请号为201510434802.8的名称为“具有UBM的封装件和形成方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的实施例涉及集成电路器件,更具体地,涉及具有UBM的封装件和形成方法。
技术介绍
半导体器件用于各种电子应用中,作为实例,诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。通常在单个半导体晶圆上制造数十或数百个集成电路。通过沿着划线锯切集成电路来分割单独的管芯。例如,然后单独地或以多芯片模块或以其他封装类型来分别封装单独的管芯。通过不断减小最小部件尺寸,半导体工业不断提高各种电子组件(例如,晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度,这允许更多组件集成到给定区域内,。在一些应用中,诸如集成电路管芯的这些较小的电子组件也可能需要比过去的封装件利用更小面积的较小的封装件。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种封装件结构,包括:集成电路管芯;密封剂,至少横向密封所述集成电路管芯;再分布结构,位于所述集成电路管芯和所述密封剂上,所述再分布结构包括远离所述密封剂和所述集成电路管芯设置的第一介电层;连接件支撑金属,连接至所述再分布结构,所述连接件支撑金属具有位于所述第一介电层的第一表面上的第一部分并且具有在穿过所述第一介电层的开口中延伸的第二部分,所述连接件支撑金属的所述第一部分具有倾斜侧壁,所述倾斜侧壁在远离所述第一介电层的所述第一表面的方向上延伸;以及外部连接件,位于所述连接件支撑金属上。本专利技术的另一实施例提供了一种封装件结构,包括:复合结构,包括集成电路管芯和至少横向密封所述集成电路管芯的密封材料;再分布结构,位于所述复合结构上,所述再分布结构的第一表面远离所述复合结构;球下金属(UBM),位于所述再分布结构上,所述UMB具有位于所述第一表面上的第一部分,所述第一部分的侧壁与所述第一表面形成非垂直角度,在所述UBM内部测量所述非垂直角度;粘合层,位于所述UBM的所述第一部分上;第一介电层,位于所述再分布结构上并且邻接所述粘合层;以及外部电连接件,设置为穿过所述第一介电层并且位于所述UBM上。本专利技术的又一实施例提供了一种方法,包括:用密封剂密封集成电路管芯;在所述集成电路管芯和所述密封剂上形成再分布结构,所述再分布结构包括金属化图案和位于所述金属化图案上的第一介电层,所述第一介电层具有远离所述集成电路管芯和所述密封剂的第一表面;在所述再分布结构上形成球下金属(UBM),所述UBM具有位于所述第一表面上的第一部分和第二部分,所述第二部分设置在穿过所述第一介电层的开口中并且至所述金属化图案,所述UBM的所述第一部分的侧壁表面与所述第一介电层的所述第一表面非垂直;在所述第一介电层的所述第一表面上和所述UBM的所述第一部分上形成第二介电层;以及形成通过穿过所述第二介电层的开口并且至所述UBM的外部电连接件。附图说明当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各方面。应该注意,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1至图14是根据一些实施例的在用于形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。图15是根据一些实施例的封装件结构的截面图。图16是根据一些实施例的封装件结构的截面图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然,这些仅仅是实例,而不旨在限制本专利技术。例如,在以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件,从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外,本专利技术可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的,并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且,为便于描述,在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语,以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外,空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上),而本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。可以在具体上下文中讨论本文中讨论的实施例,即,具有扇出型或扇入型晶圆级封装件的封装件结构。其他实施例涉及其他应用,诸如对阅读本专利技术之后的本领域普通技术人员而言将显而易见的不同封装件类型或不同配置。应该注意,本文中讨论的实施例可以不必示出可能存在于结构中的每个组件或部件。例如,诸如当其中一个组件的讨论可能足以表达实施例的各方面时,图中可以省略多个组件。此外,本文中讨论的方法实施例可能讨论为以特定顺序实施;然而,可以以任何逻辑顺序实施其他方法实施例。图1至图14示出了根据一些实施例的在用于形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。图1示出了载体衬底20和形成在载体衬底20上的释放层22。载体衬底20可以是玻璃载体衬底、陶瓷载体衬底等。载体衬底20可以是晶圆。释放层22可以由聚合物基材料形成,可以从在随后步骤中将形成的上面的结构一起去除释放层22与载体衬底20。在一些实施例中,释放层22是诸如光热转换(LTHC)释放涂层的环氧化物基热释放材料,该材料在被加热时失去其粘性。在其他实施例中,释放层22可以是紫外(UV)胶,当紫外(UV)胶暴露于UV光时,失去其粘性。释放层22可以作为液体进行分配并且被固化,可以是层压在载体衬底20上的层压膜,或者可以是类似物。可以在释放层22上形成或分配粘合剂24。粘合剂24可以是管芯附接膜(DAF)、胶、聚合物材料等。集成电路管芯26通过粘合剂24粘合至载体衬底20(例如,通过释放层22)。如图所示,粘合一个集成电路管芯26,并且在其他实施例中,可以粘合更多的集成电路管芯。在将集成电路管芯26粘合至载体衬底20之前,可以根据适用的制造工艺处理集成电路管芯26以在集成电路管芯26中形成集成电路。例如,集成电路管芯26包括块状半导体衬底、绝缘体上半导体(SOI)衬底、多层衬底或梯度衬底等。衬底的半导体可以包括任何半导体材料,诸如像硅、锗等的元素半导体;包括SiC、GaAs、GaP、InP、InAs、锑化铟、SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP和/或GaInAsP等的化合物半导体或合金半导体;或它们的组合。诸如晶体管、二极管、电容器、电阻器等的器件可以形成在半导体衬底中和/或上,并且可以由例如半导体衬底上的一个或多个介电层中的金属化图案形成的互连结构互连,以形成集成电路。集成电路管芯26还包括诸如铝焊盘的焊盘28,制造至焊盘28的外部连接。焊盘28位于可以称为集成电路管芯26的有源侧的一侧上。钝化膜30位于集成电路管芯26上并且位于部分焊盘28上。开口穿过钝化膜30至焊盘28。诸如导电柱的管芯连接件32(例如,包括诸如铜的金属)位于穿过钝化膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装件结构,包括:集成电路管芯;密封剂,至少横向密封所述集成电路管芯;再分布结构,位于所述集成电路管芯和所述密封剂上,所述再分布结构包括远离所述密封剂和所述集成电路管芯设置的第一介电层;第二介电层,位于所述第一介电层上;连接件支撑金属,连接至所述再分布结构,所述连接件支撑金属具有位于所述第一介电层的第一表面上的第一部分,所述连接件支撑金属的所述第一部分具有掩埋在所述第二介电层中的倾斜侧壁,所述倾斜侧壁在远离所述第一介电层的所述第一表面的方向上延伸;以及外部连接件,位于所述连接件支撑金属上并且设置为通过穿过所述第二介电层的开口。

【技术特征摘要】
2014.09.15 US 62/050,550;2015.01.26 US 14/605,8481.一种封装件结构,包括:集成电路管芯;密封剂,至少横向密封所述集成电路管芯;再分布结构,位于所述集成电路管芯和所述密封剂上,所述再分布结构包括远离所述密封剂和所述集成电路管芯设置的第一介电层;第二介电层,位于所述第一介电层上;连接件支撑金属,连接至所述再分布结构,所述连接件支撑金属具有位于所述第一介电层的第一表面上的第一部分,所述连接件支撑金属的所述第一部分具有掩埋在所述第二介电层中的倾斜侧壁,所述倾斜侧壁在远离所述第一介电层的所述第一表面的方向上延伸;以及外部连接件,位于所述连接件支撑金属上并且设置为通过穿过所述第二介电层的开口。2.根据权利要求1所述的封装件结构,还包括:粘合层,位于所述连接件支撑金属的所述第一部分的至少部分上并与上面的所述第二介电层邻接。3.根据权利要求2所述的封装件结构,其中,所述连接件支撑金属包括铜,并且所述粘合层是氧化铜。4.根据权利要求2所述的封装件结构,其中,所述外部连接件直接连接至所述连接件支撑金属。5.根据权利要求1所述的封装件结构,其中,所述连接件支撑金属还具有在穿过所述第一介电层的开口中延伸的第二部分,并且在所述连接件支撑金属内部测量的由所述倾...

【专利技术属性】
技术研发人员:余振华李建裕郭宏瑞黄立贤陈宪伟叶德强刘重希郑心圃
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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