一种芯片烧录保护电路制造技术

技术编号:19476017 阅读:29 留言:0更新日期:2018-11-17 08:06
公开了一种芯片烧录保护电路,包括:比较模块,接收输入电压以及参考电压;以及开关模块,根据比较模块输出的比较结果来导通和关断,其控制端与比较模块的输出端相连接,其输出端与芯片相连接。比较模块包括:比较器,比较器的第一输入端接收输入电压,第二输入端接收参考电压,输出端提供开关信号。开关模块包括:开关管,其控制端与比较器的输出端相连接,其第一通路端接收输入电压,第二通路端与芯片的输入电压端相连接。通过连接于芯片输入端的烧录保护电路,可保证芯片的输入电压稳定性,从而提高IC烧录的工作效率,降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片烧录保护电路
本技术涉及芯片烧录领域,更具体地涉及一种芯片烧录保护电路。
技术介绍
印制电路板(PCB)从单层发展到双面、多层和挠性,并且仍旧保持着各自的发展趋势。由于不断地向高精度、高密度和高可靠性方向发展,不断缩小体积、减少成本、提高性能,使得印制板在未来电子设备的发展工程中,仍然保持着强大的生命力。为了缩小PCB的体积,PCB板上可以选择具有可编程的集成电路(integratedcircuit,IC),可将编码烧录进IC中。现有技术的IC烧录过程中的电源电压需要控制在一定范围内,例如当IC烧录的电源电压为3.3V时,IC的烧录可以正常进行。然而,在实际情况中,IC烧录的过程存在很多不稳定的因素,会出现编码变异等情况,从而导致烧录模组的电压不稳定,进而导致IC的烧录无法正常进行,而且使得后续再一次进行重新烧录,降低工作效率,增加制造成本。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种芯片烧录保护电路,通过连接于芯片输入端的烧录保护电路,可保证芯片的输入电压稳定性,从而提高IC烧录的工作效率,降低制造成本。根据本技术提供的一种芯片烧录保护电路,包括:比较模块,接收输入电压以及参考电压;以及开关模块,连接在所述输入电压与芯片的输入电压端之间,根据所述比较模块输出的比较结果来导通和关断,其控制端与所述比较模块的输出端相连接,其输出端与所述芯片相连接。优选地,比较模块包括:比较器,所述比较器的第一输入端接收输入电压,第二输入端接收参考电压,输出端提供开关信号。优选地,所述开关模块包括:开关管,其控制端与所述比较器的输出端相连接,其第一通路端接收输入电压,第二通路端与所述芯片的输入电压相连接。优选地,所述第一输入端为同向输入端,所述第二输入端为反向输入端,所述开关管为NMOS管。优选地,所述第一输入端为反向输入端,所述第二输入端为同向输入端,所述开关管为PMOS管。优选地,比较模块还包括:分压电路,用于将所述电源电压分压以得到所述参考电压。优选地,所述分压电路包括连串联在所述电源电压与地之间的第一电阻与第二电阻,所述第一电阻与第二电阻的公共节点提供所述参考电压。根据本技术提供的一种可编程的集成电路,包括上述的芯片烧录保护电路。根据本技术的芯片烧录保护电路设置在IC烧录的电压输入端,用于控制IC芯片的连接和断开。当该芯片烧录保护电路分析输入电压的大小在烧录所需要电压的范围之内时,将芯片导通,进行IC烧录。当该芯片烧录保护电路分析输入电压的大小不在烧录所需要电压的范围之内时,将芯片断开,IC烧录停止。通过连接于芯片输入端的烧录保护电路,可保证芯片的输入电压稳定性,避免烧录返工,从而提高IC烧录的工作效率,降低制造成本。附图说明通过以下参照附图对本技术实施例的描述,本技术的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚。图1示出根据本技术实施例的芯片烧录保护电路的结构示意图。图2示出根据本技术第一实施例的芯片烧录保护电路的电路示意图。图3示出根据本技术第二实施例的芯片烧录保护电路的电路示意图。具体实施方式以下将参照附图更详细地描述本技术。在各个附图中,相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见,附图中的各个部分没有按比例绘制。此外,在图中可能未示出某些公知的部分。在下文中描述了本技术的许多特定的细节,例如部件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术,以便更清楚地理解本技术。但正如本领域的技术人员能够理解的那样,可以不按照这些特定的细节来实现本技术。应当理解,在描述部件的结构时,当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时,可以指直接位于另一层、另一个区域上面,或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且,如果将部件翻转,该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。本技术提供的一种芯片烧录保护电路可用于可编程的集成电路中。图1示出根据本技术实施例的芯片烧录保护电路的结构示意图。请参照图1,本技术实施例的芯片烧录保护电路包括比较模块100以及开关模块200。其中,比较模块100接收输入电压VIN以及参考电压VREF,比较模块100根据输入电压VIN以及参考电压VREF控制开关模块200的导通和断开。开关模块连接在输入电压VIN与芯片300的输入电压端之间,根据比较模块100输出的比较结果来导通和关断。开关模块200的控制端与比较模块100的输出端相连接,其输出端与芯片300相连接,进一步地,开关模块200的输出端与所述芯片300的输入端相连接。当该芯片烧录保护电路分析输入电压VIN的大小在烧录所需要电压的范围之内时,将芯片300导通,进行IC烧录。当该芯片烧录保护电路分析输入电压VIN的大小不在烧录所需要电压的范围之内时,将芯片300断开,IC烧录停止。图2示出根据本技术第一实施例的芯片烧录保护电路的电路示意图。请参照图2,比较模块100包括比较器110a。比较器110a用于在电源电压V+的作用下,通过比较参考电压VREF和输入电压VIN得到开关信号。比较器110a的第一输入端接收输入电压VIN,第二输入端接收参考电压VREF,比较器100a的输出端VOUT与开关模块200的控制端相连接以提供开关信号。具体的,第一输入端为同向输入端,第二输入端为反向输入端。开关模块200根据开关信号使得芯片300接通或者断开。优选地,比较模块100还包括分压电路120a,用于将电源电压V+以得到参考电压VREF。分压电路120a包括串联在电源电压V+与地之间的第一电阻R1与第二电阻R2,第一电阻R1与第二电阻R2的公共节点提供参考电压VREF,参考电压VREF、电源电压V+、第一电阻R1与第二电阻R2为:开关模块200包括开关管Q1,开关管Q1的控制端与比较器100a的输出端VOUT相连接,开关管Q1的第一通路端接收输入电压VIN,开关管Q1的第二通路端与烧录芯片的芯片300相连接。在开关模块200中,开关管Q1为N沟道晶体管(NMOS管)。本技术第一实施例的芯片烧录保护电路,通过比较器110a将输入电压VIN与参考电压VREF进行比较。当输入电压VIN大于参考电压VREF时,比较器110a的输出端VOUT输出高电平,使得开关管Q1导通,输入电压VIN给芯片300供电,开始IC烧录;当输入电压VIN小于参考电压VREF时,使得开关管Q1断开,无法进行烧录。图3示出根据本技术第二实施例的芯片烧录保护电路的电路示意图。请参照图3,比较模块100包括比较器110b。比较器用于在电源电压V+的作用下,通过比较参考电压VREF和输入电压VIN得到开关信号,比较器110b的第二输入端接收参考电压VREF,第一输入端接收输入电压VIN,比较器110b的输出端VOUT与开关模块200的控制端相连接以提供开关信号。具体的,第一输入端为反向输入端,所述第二输入端为同向输入端。开关模块200根据开关信号使得芯片300接通或者断开。优选地,比较模块100还包括分压电路120b,用于将电源电压V+以得到参考电压VREF。分压电路120b包括串联在电源电压V+与地之间的第一电阻R3与第二电阻R4,第一电阻R3与第二电阻R4的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片烧录保护电路,其特征在于,包括:比较模块,接收输入电压以及参考电压;开关模块,连接在所述输入电压与芯片的输入电压端之间,根据所述比较模块输出的比较结果来导通和关断,其控制端与所述比较模块的输出端相连接,其输出端与所述芯片相连接。

【技术特征摘要】
1.一种芯片烧录保护电路,其特征在于,包括:比较模块,接收输入电压以及参考电压;开关模块,连接在所述输入电压与芯片的输入电压端之间,根据所述比较模块输出的比较结果来导通和关断,其控制端与所述比较模块的输出端相连接,其输出端与所述芯片相连接。2.根据权利要求1所述的芯片烧录保护电路,其特征在于,所述比较模块包括:比较器,所述比较器的第一输入端接收输入电压,第二输入端接收参考电压,输出端提供开关信号。3.根据权利要求2所述的芯片烧录保护电路,其特征在于,所述开关模块包括:开关管,其控制端与所述比较器的输出端相连接,其第一通路端接收输入电压,第二通路端与所述芯片的输入电压端相连接。4.根据权利要求3所述的芯片烧录...

【专利技术属性】
技术研发人员:王立明蔡浩马录俊
申请(专利权)人:昆山龙腾光电有限公司
类型:新型
国别省市:江苏,32

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