一种硼镓共掺P型高效多晶硅片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种硼镓共掺P型高效多晶硅片，属于太阳能技术领域。它解决了现有的多晶硅片性能不够稳定的问题。本硼镓共掺P型高效多晶硅片，包括硅片主体，硅片主体由下往上依次包括聚氟乙烯复合膜、N型硅片、P型硅片和钢化玻璃层，P型硅片共掺有硼镓，且P型硅片的侧面连接有第一电极，N型硅片的侧面连接有第二电极，硅片主体的外周边设置有保护边框，第一电极和第二电极均垂直穿插在保护边框上，且第一电极位于第二电极的正上方。它所设置的保护边框，即能对硅片主体进行保护，避免受磕碰损坏，同时能够对第一电极和第二电极进行辅助定位，使得接线更加方便，安装时省时省力。

【技术实现步骤摘要】
一种硼镓共掺P型高效多晶硅片
本技术属于太阳能
，涉及一种太阳能多晶硅片，特别是一种硼镓共掺P型高效多晶硅片。
技术介绍
目前，生产多晶硅太阳能电池的硅片是由多晶硅锭经加工制成，为了满足电池片加工的电性能要求，多晶硅锭必须在晶体生长过程中调节掺杂剂的浓度。现有的掺杂剂主要包括硼、磷和镓，但是大多使用单一的硼或镓，且结构也不够理想，在性能上还是存在着不足。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种硼镓共掺P型高效多晶硅片，它所要解决的技术问题是如何保证太阳能多晶硅片的性能。本技术的目的可通过下列技术方案来实现：一种硼镓共掺P型高效多晶硅片，包括硅片主体，其特征在于，所述硅片主体呈板状，且由下往上依次包括聚氟乙烯复合膜、N型硅片、P型硅片和钢化玻璃层，所述钢化玻璃层通过EVA溶胶固连在P型硅片的顶面上，所述聚氟乙烯复合膜通过EVA溶胶固连在N型硅片的底面上，所述P型硅片共掺有硼镓，且P型硅片的侧面连接有第一电极，所述N型硅片的侧面连接有第二电极，所述硅片主体的外周边设置有保护边框，所述第一电极和第二电极均垂直穿插在保护边框上，且所述第一电极位于第二电极的正上方。阳光照射在P型硅片表面，在表面形成电子和空穴对，在P-N结电场的作用下，空穴由P型硅片流向N型硅片，电子由N型硅片流向P型硅片，并通过第一电极和第二电极输出电流，本多晶硅片在P型硅片中同时掺杂硼和镓元素之后，能效更高；保护边框，即能对硅片主体进行保护，避免受磕碰损坏，同时能够对第一电极和第二电极进行辅助定位，使得接线更加方便，安装时省时省力。在上述的硼镓共掺P型高效多晶硅片中，所述P型硅片中硅的电子浓度在10-18cm3数量级。10-18cm3数量级的P型硅片在掺有硼镓后，其电子和空穴移动速度方面优于普通的P型硅而且电子浓度很容易实现，采用此数量级后的P型硅片无需再在表面设置凹槽或凹孔，结构更加简单，且能效更高。在上述的硼镓共掺P型高效多晶硅片中，所述保护边框为矩形框，包括框杆一、框杆二、框杆三和框杆四，所述框杆二的左端固连在框杆一的上端，所述框杆四的左端固连在框杆二的下端，所述框杆三的上端可拆卸连接在框杆二的右端，且框杆三的下端可拆卸连接在框杆四的右端，所述框杆三具有用于穿插第一电极的第一定位孔和用于穿插第二电极的第二定位孔。连接更加方便，同时由于各个框杆的结构及相互之间的连接方式不同，辨识度高，不易混淆。在上述的硼镓共掺P型高效多晶硅片中，所述框杆三的上端左壁面具有用于与框杆二相插接的第一插接头，所述框杆三的下端左壁面具有用于与框杆四相插接的第二插接头。插接方式结构牢固，操作方便。在上述的硼镓共掺P型高效多晶硅片中，所述框杆三通过紧固件与框杆二及框杆四可拆卸连接。紧固件为螺栓或定位销。在上述的硼镓共掺P型高效多晶硅片中，所述硅片主体和保护边框之间设置有海绵垫圈，所述海绵垫圈的内壁面具有用于嵌装硅片主体的定位槽一，所述保护边框的内壁具有定位槽二，所述海绵垫圈的外壁面具有向外凸出且用于嵌设在定位槽二内的环形定位部。硅片主体与海绵垫圈、海绵垫圈与保护边框之间配合紧密，不易松动。在上述的硼镓共掺P型高效多晶硅片中，所述聚氟乙烯复合膜的底面为平面，且聚氟乙烯复合膜的底面四周边沿抵靠在定位槽一内。聚氟乙烯复合膜的底面，即硅片主体的底面与海绵垫圈及保护边框的底面之间存在间隙，避免划伤。在上述的硼镓共掺P型高效多晶硅片中，所述保护边框由铝合金材料制成，且保护边框的四角制为圆角。避免磕碰而造成的损伤。与现有技术相比，本技术具有以下的优点：1、本多晶硅片在P型硅片中同时掺杂硼和镓元素之后，且P型硅片中硅的电子浓度在10-18cm3数量级，能效更高；2、本多晶硅片通过设置保护边框，不仅能够避免多晶硅片受损，同时还能够对输出的电极进行定位和进一步保护，此外多晶硅片的底面由保护边框架高之后，也无需再设置保护膜，成本更低。附图说明图1是本技术的俯视结构图。图2是本技术的分解结构示意图。图3是本技术的截面结构示意图。图4是图3中A处放大图。图中，1、硅片主体；2、保护边框；21、框杆一；22、框杆二；23、框杆三；231、第一定位孔；232、第二定位孔；233、第一插接头；234、第二插接头；24、框杆四；25、定位槽二；3、海绵垫圈；31、定位槽一；4、聚氟乙烯复合膜；5、N型硅片；6、P型硅片；7、钢化玻璃层；8、第一电极；9、第二电极。具体实施方式以下是本技术的具体实施例并结合附图，对本技术的技术方案作进一步的描述，但本技术并不限于这些实施例。参照图1-图4，本实施例为一种硼镓共掺P型高效多晶硅片，包括硅片主体1，硅片主体1呈板状，且由下往上依次包括聚氟乙烯复合膜4、N型硅片5、P型硅片6和钢化玻璃层7，钢化玻璃层7通过EVA溶胶固连在P型硅片6的顶面上，聚氟乙烯复合膜4通过EVA溶胶固连在N型硅片5的底面上，P型硅片6共掺有硼镓，且P型硅片6中硅的电子浓度在10-18cm3数量级。P型硅片6的侧面连接有第一电极8，N型硅片5的侧面连接有第二电极9，硅片主体1的外周边设置有保护边框2，第一电极8和第二电极9均垂直穿插在保护边框2上，且第一电极8位于第二电极9的正上方。保护边框2为矩形框，包括框杆一21、框杆二22、框杆三23和框杆四24，框杆二22的左端固连在框杆一21的上端，框杆四24的左端固连在框杆二22的下端，框杆三23的上端可拆卸连接在框杆二22的右端，且框杆三23的下端可拆卸连接在框杆四24的右端，框杆三23具有用于穿插第一电极8的第一定位孔231和用于穿插第二电极9的第二定位孔232，框杆三23的上端左壁面具有用于与框杆二22相插接的第一插接头233，框杆三23的下端左壁面具有用于与框杆四24相插接的第二插接头234。此外，框杆三23通过紧固件与框杆二22及框杆四24可拆卸连接，紧固件为穿插在框杆三23端部的定位销或螺栓。硅片主体1和保护边框2之间设置有海绵垫圈3，海绵垫圈3的内壁面具有用于嵌装硅片主体1的定位槽一31，保护边框2的内壁具有定位槽二25，海绵垫圈3的外壁面具有向外凸出且用于嵌设在定位槽二25内的环形定位部，海绵垫圈3的上端和下端的外侧壁分别抵靠在保护边框2的内壁面上，且海绵垫圈3的顶面与保护边框2的顶面相齐平，海绵垫圈3的底面与保护边框2的底面相齐平。聚氟乙烯复合膜4的底面为平面，且聚氟乙烯复合膜4的底面四周边沿抵靠在定位槽一31内，保护边框2由铝合金材料制成，且保护边框2的四角制为圆角，聚氟乙烯复合膜4的底面，即硅片主体1的底面与海绵垫圈3及保护边框2的底面之间存在间隙，避免划伤。本文中所描述的具体实施例仅仅是对本技术精神作举例说明。本技术所属
的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本技术的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硼镓共掺P型高效多晶硅片，包括硅片主体(1)，其特征在于，所述硅片主体(1)呈板状，且由下往上依次包括聚氟乙烯复合膜(4)、N型硅片(5)、P型硅片(6)和钢化玻璃层(7)，所述钢化玻璃层(7)通过EVA溶胶固连在P型硅片(6)的顶面上，所述聚氟乙烯复合膜(4)通过EVA溶胶固连在N型硅片(5)的底面上，所述P型硅片(6)共掺有硼镓，且P型硅片(6)的侧面连接有第一电极(8)，所述N型硅片(5)的侧面连接有第二电极(9)，所述硅片主体(1)的外周边设置有保护边框(2)，所述第一电极(8)和第二电极(9)均垂直穿插在保护边框(2)上，且所述第一电极(8)位于第二电极(9)的正上方。

【技术特征摘要】
1.一种硼镓共掺P型高效多晶硅片，包括硅片主体(1)，其特征在于，所述硅片主体(1)呈板状，且由下往上依次包括聚氟乙烯复合膜(4)、N型硅片(5)、P型硅片(6)和钢化玻璃层(7)，所述钢化玻璃层(7)通过EVA溶胶固连在P型硅片(6)的顶面上，所述聚氟乙烯复合膜(4)通过EVA溶胶固连在N型硅片(5)的底面上，所述P型硅片(6)共掺有硼镓，且P型硅片(6)的侧面连接有第一电极(8)，所述N型硅片(5)的侧面连接有第二电极(9)，所述硅片主体(1)的外周边设置有保护边框(2)，所述第一电极(8)和第二电极(9)均垂直穿插在保护边框(2)上，且所述第一电极(8)位于第二电极(9)的正上方。2.根据权利要求1所述的硼镓共掺P型高效多晶硅片，其特征在于，所述P型硅片(6)中硅的电子浓度在10-18cm3数量级。3.根据权利要求1所述的硼镓共掺P型高效多晶硅片，其特征在于，所述保护边框(2)为矩形框，包括框杆一(21)、框杆二(22)、框杆三(23)和框杆四(24)，所述框杆二(22)的左端固连在框杆一(21)的上端，所述框杆四(24)的左端固连在框杆二(22)的下端，所述框杆三(23)的上端可拆卸连接在框杆二(22)的右端，且框杆三(23)的下端可拆卸连接在框杆四(24)的右端，...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋春桥，谌能全，赵兵兵，肖凌超，
申请(专利权)人：嘉兴能发电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33