一种纳米级声波发生器制造技术

本发明专利技术公开了一种纳米级声波发生器，包括热导率低于200W/mK的基底、平铺于基底上的声波发生薄膜，以及两个音频电流输入用银胶电极和电信号输入单元，两个银胶电极分别设置在声波发生薄膜的两端，声波发生薄膜、两个银胶电极和电信号输入单元串联形成回路；所述声波发生薄膜为石墨烯膜，厚度为不大于60nm，密度2.0～2.2g/cm

【技术实现步骤摘要】
一种纳米级声波发生器
本专利技术涉及高性能纳米材料及其制备方法，尤其涉及一种纳米级声波发生器。
技术介绍
2010年，英国曼彻斯特大学的两位教授AndreGeiM和KonstantinNovoselov因为首次成功分离出稳定的石墨烯获得诺贝尔物理学奖，掀起了全世界对石墨烯研究的热潮。石墨烯有优异的电学性能(室温下电子迁移率可达2×105cM2/Vs)，突出的性能(5000W/(MK)，超常的比表面积(2630M2/g)，其杨氏模量(1100GPa)和断裂强度(125GPa)。石墨烯优异的导电导热性能完全超过金属，同时石墨烯具有耐高温耐腐蚀的优点，而其良好的机械性能和较低的密度更让其具备了在电热材料领域取代金属的潜力。宏观组装氧化石墨烯或者石墨烯纳米片的石墨烯膜是纳米级石墨烯的主要应用形式，常用的制备方法是抽滤法、刮膜法、旋涂法、喷涂法和浸涂法等。通过进一步的高温处理，能够修补石墨烯的缺陷，能够有效的提高石墨烯膜的导电性和热导性，可以广泛应用于发声、声波探测、智能手机、智能随身硬件、平板电脑、笔记本电脑等随身电子设备中去。但是，因为边缘缺陷的存在，加上石墨烯层间作用力弱，高温烧结过的石墨烯膜一般强度都不太高，小于100MPa，不利于其实际应用。另外，石墨烯层间交联结构和金刚石结构类似，对导热没有损伤，不会严重影响石墨烯膜的导热性能。目前为止，石墨烯膜已经开始应用于发声器件，比如激光制备的PI基石墨烯膜、化学还原的石墨烯膜。但是以上两者薄膜有着不可避免的缺陷，其一，结构缺陷大，升温速度慢；其二，厚度很高，降温速度慢，为此发声的清晰度较差；其三，薄膜耐温性较差，音响调节度差。针对以上问题，本专利设计了纳米厚交联石墨烯膜。此薄膜应用于声波探测，有以下优势：其一，薄膜结构完美，结构以及堆积缺陷少，电导率高，升温速度快；其二，薄膜厚度处于60nm以下，热导率高，散热快；以上石墨烯膜升降温速率快，决定此薄膜具有极好的音质，声音清晰度高。其三，石墨烯膜缺陷少、内部交联，热稳定性好，可以耐受空气中520度的高温，音响度可调节性好；其四，石墨烯膜热导率高，发声电压较低。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的不足，提供一种纳米级声波发生器。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：一种纳米级声波发生器，其特征在于，包括热导率低于200W/mK的基底、平铺于基底上的声波发生薄膜，以及电信号输入单元和两个音频电流输入用银胶电极，两个银胶电极分别设置在声波发生薄膜的两端，声波发生薄膜、两个银胶电极和电信号输入单元串联形成回路；所述声波发生薄膜为石墨烯膜，厚度为不大于60nm，密度2.0～2.2g/cm3之间，石墨烯层间交联，交联度在1-5％，石墨烯膜通过以下方法制备得到：(1)将氧化石墨烯配制成浓度为0.5-10ug/mL氧化石墨烯水溶液，抽滤成膜；(2)将贴附于抽滤基底上的氧化石墨烯膜置于密闭容器中，80-100度HI高温从底部往上熏蒸0.1-1h；(3)将融化的固体转移剂均匀涂敷在还原氧化石墨烯膜表面，并于室温下缓慢冷却，直至薄膜和基底分离；(4)对步骤3处理后的还原氧化石墨烯膜进行加热处理，使得固体转移剂升华或者挥发；(5)用磁控溅射的方式在化学还原的石墨烯膜表面喷涂一层金属钛，钼或者钴等金属，溅射的金属纳米粒子的摩尔量不大于石墨烯膜中碳原子摩尔量的30％；(6)800-1200摄氏度下将溅射有金属的石墨烯膜进行氯化处理，金属纳米粒子以氯化物形式逸散；(7)氯化后的石墨烯膜置于高温炉中，以5-20摄氏度每分钟升温至1500摄氏度，然后以2-5摄氏度每分钟升温至2000度高温，得到层间交联的石墨烯膜。进一步地，热导率低于200W/mK的基底选自聚合物基底、硅基底。进一步地，固体转移剂，选自如下物质，例如石蜡、萘、三氧化二砷、樟脑、硫、降冰片烯、松香等可在某种条件下升华或者挥发的不溶于水的小分子固态物质。进一步地，固体转移剂的升华温度要控制在320度以下。进一步地，氯化处理是指：将溅射有金属纳米粒子的石墨烯膜置于氯气含量为0.5-10％的环境中进行加热处理，时间为0.1-4h。本专利技术的有益效果在于：本专利技术首先固体转移的方式，获得超薄的石墨烯膜，为器件的高电阻奠定基础；进一步通过缓慢升温(1℃/min)处理，增加石墨烯膜表面褶皱，扩展单位空间内石墨烯膜的面积；然后以10℃/min升温置2000℃，以去除石墨烯内部绝大部分原子缺陷，但不恢复石墨烯内部堆叠结构。进一步通过在超薄石墨烯膜表面溅射金属粒子，高温下，金属粒子与石墨烯反应，形成金属碳化物；然后金属碳化物在氯气的作用下，形成金属氯化物并逸散，同时，碳结构向金刚石结构转变，大大提升了膜的强度(达到7-20GPa)和热稳定性，2000度高温处理，使得石墨烯膜结构得到极大程度的恢复，但是不会影响层间交联结构以及不会形成AB堆积结构。本专利技术牺牲了石墨烯膜部分导电导热性能，将层间交联结构引入石墨烯片层间，极大的提高石墨烯膜的强度，将其强度提升80倍以上。此薄膜应用于声波探测，有以下优势：其一，薄膜结构完美，结构以及堆积缺陷少，电导率高，升温速度快；其二，薄膜厚度处于60nm以下，热导率高，散热快；以上石墨烯膜升降温速率快，决定此薄膜具有极好的音质，声音清晰度高。其三，石墨烯膜缺陷少、内部交联，热稳定性好，可以耐受空气中520度的高温，音响度可调节性好；其四，石墨烯膜热导率高，发声电压较低。附图说明图1为无交联石墨烯膜2000摄氏度处理后的拉曼图谱。图2为交联石墨烯膜2000摄氏度处理后的拉曼图谱。图3为无交联石墨烯膜2000摄氏度处理的透射图谱。图4为交联石墨烯膜2000摄氏度处理的透射图谱。图5为交联石墨烯膜2000摄氏度处理的拉伸强度测试图谱。图6为实施例1所得到的石墨烯膜的升温降温曲线。图7为T＝1s时刻，石墨烯膜沿两个电极所在直线方向上的温度曲线。具体实施方式实施例1：(1)将氧化石墨烯配制成浓度为0.5ug/mL氧化石墨烯水溶液，以亲水聚四氟乙烯膜为基底抽滤成膜。(2)将贴附于亲水聚四氟乙烯膜的氧化石墨烯膜置于密闭容器中，80度HI高温从底部往上熏蒸1h。(3)用蒸镀、流延等方法将融化的固体转移剂樟脑均匀涂敷在还原氧化石墨烯膜表面，并于室温下缓慢冷却，薄膜和基底分离。(4)将上述得到的固体转移剂支撑的石墨烯膜在40度下缓慢挥发掉固体转移剂，得到独立自支撑的石墨烯膜。(5)用磁控溅射的方式在化学还原的石墨烯膜表面喷涂一层金属钛。通过控制溅射参数，最终溅射的金属纳米粒子的摩尔量为石墨烯膜中碳原子摩尔量的28.6％。(6)1200摄氏度下将溅射有金属的石墨烯膜进行氯化处理，使得钛纳米粒子以氯化物形式逸散。具体为：将溅射有金属纳米粒子的石墨烯膜置于氯气含量为0.5％的环境中进行加热处理，时间为4h。(7)氯化后的石墨烯膜2000度高温处理，2000度高温过程升温过程如下：1500摄氏度以下，20摄氏度每分钟；1500摄氏度以上，5摄氏度每分钟；得到厚度为59nm的石墨烯膜。对比图1、2，有众多交联结构的石墨烯膜具有更强的sp3碳键接峰(1360cm-1)，通过ID/IG面积比测得，其交联度(所述交联度为sp3碳的含量-质量百分数)为4.8％；图3、4，有交联结构的石墨烯膜电子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米级声波发生器，其特征在于，包括热导率低于200W/mK的基底、平铺于基底上的声波发生薄膜，以及电信号输入单元和两个音频电流输入用银胶电极，两个银胶电极分别设置在声波发生薄膜的两端，声波发生薄膜、两个银胶电极和电信号输入单元串联形成回路；所述声波发生薄膜为石墨烯膜，厚度为不大于60nm，密度2.0～2.2g/cm3之间，石墨烯层间交联，交联度在1‑5％，所述石墨烯膜通过以下方法制备得到：(1)将氧化石墨烯配制成浓度为0.5‑10ug/mL氧化石墨烯水溶液，抽滤成膜；(2)将贴附于抽滤基底上的氧化石墨烯膜置于密闭容器中，80‑100度HI高温从底部往上熏蒸0.1‑1h；(3)将融化的固体转移剂均匀涂敷在还原氧化石墨烯膜表面，并于室温下缓慢冷却，直至薄膜和基底分离；(4)对步骤3处理后的还原氧化石墨烯膜进行加热处理，使得固体转移剂升华或者挥发；(5)用磁控溅射的方式在化学还原的石墨烯膜表面喷涂一层金属钛，钼或者钴等金属，溅射的金属纳米粒子的摩尔量不大于石墨烯膜中碳原子摩尔量的30％；(6)800‑1200摄氏度下将溅射有金属的石墨烯膜进行氯化处理，金属纳米粒子以氯化物形式逸散；(7)氯化后的石墨烯膜置于高温炉中，以5‑20摄氏度每分钟升温至1500摄氏度，然后以2‑5摄氏度每分钟升温至2000度高温，得到层间交联的石墨烯膜。...

【技术特征摘要】
1.一种纳米级声波发生器，其特征在于，包括热导率低于200W/mK的基底、平铺于基底上的声波发生薄膜，以及电信号输入单元和两个音频电流输入用银胶电极，两个银胶电极分别设置在声波发生薄膜的两端，声波发生薄膜、两个银胶电极和电信号输入单元串联形成回路；所述声波发生薄膜为石墨烯膜，厚度为不大于60nm，密度2.0～2.2g/cm3之间，石墨烯层间交联，交联度在1-5％，所述石墨烯膜通过以下方法制备得到：(1)将氧化石墨烯配制成浓度为0.5-10ug/mL氧化石墨烯水溶液，抽滤成膜；(2)将贴附于抽滤基底上的氧化石墨烯膜置于密闭容器中，80-100度HI高温从底部往上熏蒸0.1-1h；(3)将融化的固体转移剂均匀涂敷在还原氧化石墨烯膜表面，并于室温下缓慢冷却，直至薄膜和基底分离；(4)对步骤3处理后的还原氧化石墨烯膜进行加热处理，使得固体转移剂升华或者挥发；(5)用磁控溅射的方式在化学还原的石墨烯膜表面喷涂一层金属钛，钼或者钴等金属，溅射的金属纳米粒子...

【专利技术属性】
技术研发人员：高超，彭蠡，刘一晗，郭燕，
申请(专利权)人：杭州高烯科技有限公司，浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33