薄膜晶体管阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于显示器领域，其实施例具体公开了一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置，该薄膜晶体管阵列基板的公共电极包括位于像素开口区域的第一公共电极以及位于像素非开口区域的第二公共电极，在位于像素非开口区域的第二公共电极的上方还设置有辅助公共电极，所述辅助公共电极设置在所述栅极的上方并与所述第二公共电极直接接触且电性导通。该辅助公共电极一般为电阻率较低的金属，从而保证公共电极上电压的一致性。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列基板及显示装置
本技术属于显示器领域，更具体地，涉及一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置。
技术介绍
液晶显示装置(LCD，LiquidCrystalDisplay)具有轻薄短小、低耗电及低热量等优点，使液晶显示装置在众多不同类型的显示装置中脱颖而出，被广泛使用，如应用在计算机、移动电话及个人数字助理等现代化信息设备上。一般而言，LCD的显示区域包括多个像素单元，每个像素单元由两条栅极线(GateLine，又称扫描线)与两条数据线(DataLine)交叉所定义的矩形或其他形状区域，其内设置有薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)以及像素电极，薄膜晶体管充当开关元件。每个像素单元还具有对应的公共电极(像素电极可为设于公共电极上方的狭缝电极，且二者之间设有绝缘层)。在显示模式时，通过改变栅极线和数据线上加载的电信号来控制像素电极的电压，并对公共电极施加公共电压，在像素电极和公共电极之间产生电场控制液晶翻转，实现显示功能。其中，现有的公共电极采用氧化铟锡(ITO)，其阻抗较大，会引起公共电极电压的均匀性及稳定性，进而影响液晶上的实际电压差值，影响显示画面。可见，随着液晶显示面板尺寸的不断增大，液晶显示面板内的公共电极电压均一性差、电压不稳定成为影响大尺寸液晶显示面板画面品质的一个重要因素，公共电极的电压不稳定会引起面板性能的下降，如出现泛绿(Greenish)现象。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置。根据本技术的第一方面，提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括：一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板；栅极，设置在所述基板上；第一绝缘层，设置在所述基板上并覆盖所述栅极；半导体层，设置在所述第一绝缘层上并位于所述栅极上方；源极以及漏极，设置在所述第一绝缘层上，所述源极以及漏极彼此分隔并分别与所述半导体层接触以露出部分的所述半导体层；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层、所述半导体层、所述源极以及漏极上；公共电极层，设置在所述第二绝缘层上，所述公共电极层上形成有公共电极；其中，所述公共电极包括位于像素开口区域的第一公共电极以及位于像素非开口区域的第二公共电极；所述薄膜晶体管阵列基板还包括辅助公共电极，所述辅助公共电极设置在所述栅极的上方并与所述第二公共电极直接接触且电性导通。优选地，所述半导体层包括铟镓锌氧化物半导体。优选地，所述第一绝缘层为栅极绝缘层，包括二氧化硅以及氮化硅；所述第二绝缘层包括钝化层和平坦层，其中，所述钝化层包括氮化硅，所述平坦层包括有机树脂。优选地，所述薄膜晶体管阵列基板还包括第三绝缘层和像素电极层，所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层以及所述公共电极层上，所述第三绝缘层和所述第二绝缘层上设有将所述漏极露出的第一过孔；所述像素电极层设置在所述第三绝缘层上，所述像素电极层通过第一过孔与所述漏极接触，所述像素电极层上形成有像素电极。优选地，所述像素电极位于所述第一公共电极的上方。优选地，所述第三绝缘层为钝化层，包括氮化硅。优选地，所述公共电极层包括氧化铟锡或氧化铟锌，所述像素电极层包括氧化铟锡或氧化铟锌。优选地，所述公共电极和所述辅助公共电极通过同一道光罩形成。优选地，所述辅助公共电极的光阻层为正性光阻材料，所述公共电极的材料为半透明材料，所述辅助公共电极的材料为不透明材料；或者，所述辅助公共电极的光阻层为负性光阻材料，所述公共电极的材料为半透明材料，所述辅助公共电极的材料为透明材料。根据本技术的另一方面，还提供了一种显示装置，该显示装置包括如上所述的薄膜晶体管阵列基板。本技术实施例提供的薄膜晶体管阵列基板及显示装置，其公共电极包括位于像素开口区域的第一公共电极以及位于像素非开口区域的第二公共电极，在位于像素非开口区域的第二公共电极的上方还设置有辅助公共电极，该辅助公共电极设置在所述栅极的上方并与所述第二公共电极直接接触并电性导通，该辅助公共电极一般为电阻率较低的金属，从而保证公共电极上电压的一致性。另外，公共电极和辅助公共电极通过同一道光罩形成，还可以提高生产效率。附图说明通过以下参照附图对本技术实施例的描述，本技术的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：图1示出了根据本技术实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；图2示出了根据本技术实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的公共电极和辅助公共电极的平面示意图；图3示出了根据本技术实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的制作方法的流程图；图4A-图4M示出了根据本技术实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的制作方法的制作示意图。具体实施方式以下将参照附图更详细地描述本技术的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。本技术可以各种形式呈现，以下将描述其中一些示例。图1示出了根据本技术实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；图2示出了根据本技术实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的公共电极和辅助公共电极的平面示意图。如图1和图2所示，该薄膜晶体管阵列基板101包括：基板1、栅极2、第一绝缘层3、半导体层4、源极5、漏极6、第二绝缘层7、公共电极层8、辅助公共电极9、第三绝缘层10、像素电极层11以及平坦层12。其中，该栅极2设置在该基板1上，第一绝缘层3设置在该基板1上并覆盖该栅极2。在本实施例中，基板1例如是透明基板。该栅极2的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合，但并不以此为限。通过在基板1上沉积第一金属层M1，并通过第一道光罩对该第一金属层M2进行图形化处理以形成该栅极2。第一绝缘层3例如是栅极绝缘层，可采用化学气相沉积法沉积形成，其材料为氮化硅、二氧化硅或二者的组合。半导体层4设置在该第一绝缘层3上并位于该栅极2正上方。在本实施例中，该半导体层4的材料可以为氧化物半导体(如铟镓锌氧化物半导体)、非晶硅(a-Si)半导体、或低温多晶硅半导体等。通过在该第一绝缘层3上采用物理气相沉积法沉积并通过第二道光罩进行图形化处理以形成半导体层4，并位于该栅极2的正上方。源极5以及漏极6设置在该第一绝缘层3上，该源极5以及漏极6彼此分隔并分别与该半导体层4接触以露出部分的该半导体层。在本实施例中，源极5以及漏极6对称地分布于该半导体层4上。通过在该第一绝缘层3上沉积第二金属层M2，并通过第三道光罩对该第二金属层M2进行图形化处理，在该第二金属层M2上形成源极5以及漏极6。在一个优选的实施例中，半导体层4包括半导体层4a和过渡层4b。其中，若半导体层4a的材料为非晶硅半导体，为了使源极5、漏极6和半导体层4a之间形成更好的欧姆接触，一般在半导体层4a和源极5、漏极6之间加一层重掺杂的非晶硅即过渡层4b，并且在背沟道位置断开，避免漏电。第二绝缘层7设置在该第一绝缘层3、该半导体层4、该源极5以及漏极6上。在本实施例中，该第二绝缘层7包括钝化层71(PV，Passivation)和平坦层72(OC，Overcoat)。钝化层71的材料为氮化硅、二氧化硅、或二者的组合。平坦层72的材料为有机树脂。通过在该第一绝缘层3、该半导体层4、该源极5以及漏极6上依次沉积钝化层71和平坦层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板；栅极，设置在所述基板上；第一绝缘层，设置在所述基板上并覆盖所述栅极；半导体层，设置在所述第一绝缘层上并位于所述栅极上方；源极以及漏极，设置在所述第一绝缘层上，所述源极以及漏极彼此分隔并分别与所述半导体层接触以露出部分的所述半导体层；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层、所述半导体层、所述源极以及漏极上；公共电极层，设置在所述第二绝缘层上，所述公共电极层上形成有公共电极；其特征在于，所述公共电极包括位于像素开口区域的第一公共电极以及位于像素非开口区域的第二公共电极；所述薄膜晶体管阵列基板还包括辅助公共电极，所述辅助公共电极设置在所述栅极的上方并与所述第二公共电极直接接触且电性导通。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板；栅极，设置在所述基板上；第一绝缘层，设置在所述基板上并覆盖所述栅极；半导体层，设置在所述第一绝缘层上并位于所述栅极上方；源极以及漏极，设置在所述第一绝缘层上，所述源极以及漏极彼此分隔并分别与所述半导体层接触以露出部分的所述半导体层；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层、所述半导体层、所述源极以及漏极上；公共电极层，设置在所述第二绝缘层上，所述公共电极层上形成有公共电极；其特征在于，所述公共电极包括位于像素开口区域的第一公共电极以及位于像素非开口区域的第二公共电极；所述薄膜晶体管阵列基板还包括辅助公共电极，所述辅助公共电极设置在所述栅极的上方并与所述第二公共电极直接接触且电性导通。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述半导体层包括铟镓锌氧化物半导体。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层为栅极绝缘层，包括二氧化硅以及氮化硅；所述第二绝缘层包括钝化层和平坦层，其中，所述钝化层包括氮化硅，所述平坦层包括有机树脂。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板还包括第三绝缘层和像素电极层，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖家德，蒋隽，房耸，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32