一种掩膜板的制备方法、掩膜板、蒸镀设备技术

技术编号:19447981 阅读:79 留言:0更新日期:2018-11-14 17:07
本发明专利技术公开了一种掩膜板的制备方法、掩膜板、蒸镀设备。该方法包括:在基底上形成基模图案层,基模图案层上设置有多个镂空部;采用化学镀工艺在基模图案层上形成掩膜板薄膜层,掩膜板薄膜层覆贴在所述基模图案层的外表面上;祛除基底和基模图案层,获得掩膜板。采用该方法制备出的掩膜板,膜层致密、孔隙率低,不存在边缘效应,具有更加均匀的厚度和更好的精度,提高了蒸镀效果。掩膜板包括掩膜部以及设置在掩膜部上的多个开口,开口的外周边缘上设置有侧凸部,在蒸镀时,侧凸部朝向待蒸镀基板方向设置,有效阻挡了蒸镀材料蒸镀到相邻像素,减少了阴影及相邻像素的混色现象,提高OLED面板的显示品质。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜板的制备方法、掩膜板、蒸镀设备
本专利技术涉及显示
,具体涉及一种掩膜板的制备方法、掩膜板、蒸镀设备。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)是信息领域正在崛起的新型显示技术,具有全固态、主动发光、高对比度、响应速度快、视角宽、色彩逼真、清晰度高、超博、易于柔性显示等诸多优点,已应用于手机、个人数据处理器、数码相机、汽车仪表盘等中小尺寸彩色显示。在未来,OLED很有可能成为替代LCD的新型显示技术。蒸镀技术是有源矩阵有机发光二极体(Active-MatrixOrganicLightEmittingDiode,AMOLED)生产过程中将有机发光材料沉积到阳极上的主流技术,其原理是使用精细金属掩膜板(FineMetalMask,FMM)遮挡基板,有机发光材料受热挥发并通过FMM上的精细开口蒸镀到OLED基板的阳极上,因此,为了提高OLED的精度,就需要FMM具有极高的精度。随着显示行业及消费者对分辨率要求的不断提高,FMM的制作难度也不断增加,尤其是在VR显示等对分辨率有很高要求的领域,传统FMM的刻蚀方法已经难以满足要求,因此开发新的FMM制作工艺成为FMM研发人员面临的重要课题。面对以上问题,国内外厂商相继开发出激光掩模板(LPM)、电铸掩模板(EFM)等FMM制作新工艺,但是这些工艺尚未成熟,还不能实现量产。对于EFM技术,由于电镀技术需要依赖外加电流,且膜层厚度极易受电流线密度影响,使电铸掩模板存在边缘效应,严重制约着EFM的发展。因此,为了提高金属掩膜板的精度,提高金属掩膜板的膜厚均匀性,亟待提出一种新的金属掩膜板的制备方法。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是,提供一种掩膜板的制备方法、掩膜板、蒸镀设备,以消除掩膜板的边缘效应,获得厚度更加均匀的掩膜板,提高掩膜板的精度。为了解决上述技术问题,本专利技术实施例提供一种掩膜板的制备方法,包括:在基底上形成基模图案层,所述基模图案层上设置有多个镂空部;采用化学镀工艺在所述基模图案层上形成掩膜板薄膜层,所述掩膜板薄膜层覆贴在所述基模图案层的外表面上;祛除所述基底和所述基模图案层,获得掩膜板。可选地,所述采用化学镀工艺在所述基模图案层上形成掩膜板薄膜层,包括:将带有基模图案层的基底放置到镀液中;镀液中的金属离子沉积在所述基模图案层的外表面上,形成掩膜板薄膜层。可选地,所述基模图案层的材质为金属,所述祛除所述基底和所述基模图案层,获得掩膜板,包括:将覆贴有掩膜板薄膜层的基模图案层从所述基底上剥离;将覆贴有掩膜板薄膜层的基模图案层放置在脱模溶液中以祛除所述基模图案层,获得掩膜板。可选地,所述基模图案层的材质包括铝,所述脱模溶液包括氢氧化钠溶液。可选地,所述掩膜板的材质包括镍和铁。可选地,所述基模图案层的材质包括胶体,在所述采用化学镀工艺在所述基模图案层上形成掩膜板薄膜层之前,所述方法还包括:对所述基模图案层进行粗化处理;对基模图案层进行活化处理;对基模图案层进行解胶处理。可选地,所述对所述基模图案层进行粗化处理,包括:采用粗化液对所述基模图案层进行粗化处理,粗化液中硫酸的浓度为180mL/L~220mL/L,三氧化铬的浓度为350g/L~450g/L,粗化处理的温度为60℃~70℃,时间为8min~12min。可选地,对基模图案层进行活化处理,包括:采用胶体钯活化法对基模图案层进行活化处理。可选地,所述祛除基底和基模图案层,获得掩膜板,包括:将覆贴有掩膜板薄膜层的基模图案层从所述基底上剥离;采用胶体清洗液除去基模图案层,获得掩膜板。可选地,所述基模图案层的材质包括光刻胶。为了解决上述技术问题,本专利技术实施例还提供了一种掩膜板,包括掩膜部以及设置在所述掩膜部上的多个开口,所述开口的外周边缘上设置有侧凸部。为了解决上述技术问题,本专利技术实施例还提供了一种蒸镀设备,包括蒸发源以及以上所述的掩膜板,所述掩膜板设置在所述蒸发源与待蒸镀基板之间,所述掩膜板的侧凸部朝向待蒸镀基板方向设置。本专利技术实施例的掩膜板的制备方法,采用化学镀工艺形成掩膜板薄膜层以获得掩膜板,化学镀工艺不依赖外加电流,仅靠镀液中的还原剂进行氧化还原反应。在基模图案层外表面的催化作用下,镀液中的金属离子不断沉积在基模图案层外表面上。由于化学镀工艺不受电力线密度的影响,所以,沉积在基模图案层外表面上的掩膜板薄膜层的厚度更加均匀,而且不存在类似于电铸掩膜板的边缘效应。采用化学镀工艺形成的掩膜板薄膜层的膜层比较致密、孔隙率低,同时化学镀还有环保的特点。因此,采用化学镀工艺最终形成的掩膜板,具有更加均匀的厚度和更好的精度,并且不存在边缘效应,进而可以提高蒸镀的精度和蒸镀效果,提高OLED面板的品质。采用该方法制备的掩膜板,掩膜板的开口的外周边缘上设置有侧凸部,在蒸镀时,侧凸部朝向待蒸镀基板方向设置,有效阻挡了蒸镀材料蒸镀到相邻像素,减少了阴影及相邻像素的混色现象,提高OLED面板的显示品质。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案,并不构成对本专利技术技术方案的限制。图1为本专利技术实施例掩膜板的制备方法的示意图;图2a为本专利技术第一实施例中形成基模图案层后的截面结构示意图;图2b为图2a的俯视结构示意图;图3a为本专利技术第一实施例中形成掩膜板薄膜层后的俯视结构示意图;图3b为图3a的截面结构示意图;图4为采用本专利技术第一实施例的方法制备出的掩膜板的截面结构示意图;图5为图4的掩膜板的立体结构示意图;图6为采用图4所示掩膜板进行蒸镀的示意图;图7为图6中A部分的放大示意图。附图标记说明:10—基底;20—基模图案层;21—镂空部;30—掩膜板;31—掩膜部;32—侧凸部;33—开口;100—基板;101—像素界定层;102—隔离柱;103—OLED区域。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。图1为本专利技术实施例掩膜板的制备方法的示意图。本实施例的掩膜板的制备方法包括:S11:在基底上形成基模图案层,所述基模图案层上设置有多个镂空部;S12:采用化学镀工艺在所述基模图案层上形成掩膜板薄膜层,所述掩膜板薄膜层覆贴在所述基模图案层的外表面上;S13:祛除基底和基模图案层,获得掩膜板。下面将通过掩膜板的制备过程详细介绍本专利技术实施例的技术方案。其中,沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺,涂覆可采用已知的涂覆工艺,刻蚀可采用已知的方法,在此不做具体的限定。下面将通过具体的实施例详细介绍本专利技术的
技术实现思路
。第一实施例:在本实施例中,将以基模图案层材质为金属,详细介绍该掩膜板的制备方法。S11:在基底上形成基模图案层,所述基模图案层上设置有多个镂空部,可以包括:在基底10上沉积基模薄膜,在基模薄膜上涂覆一层光刻胶;采用单色调掩膜板对光刻胶进行曝光并显影,在镂空本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种掩膜板的制备方法,其特征在于,包括:在基底上形成基模图案层,所述基模图案层上设置有多个镂空部;采用化学镀工艺在所述基模图案层上形成掩膜板薄膜层,所述掩膜板薄膜层覆贴在所述基模图案层的外表面上;祛除所述基底和所述基模图案层,获得掩膜板。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板的制备方法,其特征在于,包括:在基底上形成基模图案层,所述基模图案层上设置有多个镂空部;采用化学镀工艺在所述基模图案层上形成掩膜板薄膜层,所述掩膜板薄膜层覆贴在所述基模图案层的外表面上;祛除所述基底和所述基模图案层,获得掩膜板。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述采用化学镀工艺在所述基模图案层上形成掩膜板薄膜层,包括:将带有基模图案层的基底放置到镀液中;镀液中的金属离子沉积在所述基模图案层的外表面上,形成掩膜板薄膜层。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述基模图案层的材质为金属,所述祛除所述基底和所述基模图案层,获得掩膜板,包括:将覆贴有掩膜板薄膜层的基模图案层从所述基底上剥离;将覆贴有掩膜板薄膜层的基模图案层放置在脱模溶液中以祛除所述基模图案层,获得掩膜板。4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述基模图案层的材质包括铝,所述脱模溶液包括氢氧化钠溶液。5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述掩膜板的材质包括镍和铁。6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述基模图案层的材质包括胶体,在所述采用化学镀工艺在所述基模图案层上形成掩膜板薄膜层之前,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:张浩瀚肖志慧
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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