掩模版及其制作方法技术

本发明专利技术涉及掩模版及其制作方法，该掩模版包括具有多个镂空孔的开孔区、用于夹持掩模版的夹持区以及位于所述开孔区与所述夹持区之间的应力缓冲区，应力缓冲区包括至少一个凸部和至少一个凹部，并且凸部和凹部一一对应地设置于掩模版的相对的两个表面，所述应力缓冲区的凸部和凹部可以利用冲压工艺形成。在对该掩模版的张网过程中，在应力缓冲区形成的凸部和凹部有助于减小该区域的应力，并且使掩模版上的应力分布更均匀，可以提高掩模版的抵抗变形能力，在相同张网拉力下掩模版的下垂量有所减小，因此有助于提高像素位置精度。

【技术实现步骤摘要】
掩模版及其制作方法
本专利技术涉及设备
，尤其涉及掩模版及其制作方法。
技术介绍
真空镀膜(vacuumevaporation)设备是一种常用的成膜设备，具体是将待沉积材料和待沉积基板置于真空室中，采用一定方法加热待沉积材料，使之蒸发或升华，并在待沉积基板上成膜的工艺。由于采用真空镀膜方式所沉积的膜层在致密度、纯度以及与基板的附着力等方面效果较好，因而在例如有机电致发光器件(OLED)的制备过程中得到了广泛的应用。为了使待沉积材料沉积于基板上的某些特定区域，例如OLED器件的像素区，通常在真空镀膜设备的真空室安装蒸镀用的掩模版(例如金属精密掩模版，FMM)，这种掩模版上形成有像素孔和遮挡区域，受热蒸发的待沉积材料通过掩模版上的像素孔沉积在基板上对应的像素区。在将掩模版安装于真空镀膜设备之前，为了避免重力作用导致的变形，通常利用张网装置对掩模版的端部施加一定的拉力，将掩模版焊接在掩模版框架(maskframe)上。但是，专利技术人发现，较小的拉力会造成掩模版的下垂量较大，而较大的拉力又容易导致在掩模版上出现褶皱，并且，在被拉伸时，掩模版上的应力分布不均，容易导致掩模版发生变形，进而使得像素孔的大小和位置出现偏移，不利于成膜过程的精度控制。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决张网过程中掩模版上应力分布不均导致掩模版变形量较大的问题。本专利技术的另一目的是减小张网过程中掩模版的下垂量。为解决上述问题，本专利技术提供了一种掩模版，所述掩模版包括：开孔区，所述开孔区具有多个镂空孔；夹持区，所述夹持区位于所述掩模版的端部；以及应力缓冲区，所述应力缓冲区位于所述开孔区与所述夹持区之间，所述应力缓冲区包括至少一个凸部和至少一个凹部，所述凸部和所述凹部一一对应地设置于所述掩模版的沿厚度方向相对的两个表面。可选的，所述掩膜板包括至少两个夹持区，所述开孔区与每个所述夹持区之间设置有至少一个应力缓冲区。可选的，每个所述应力缓冲区包括多个间隔设置的凸部，多个凸部均匀分布。可选的，所述凹部的深度等于所述掩模版的厚度的四分之一至二分之一。可选的，在平行于所述掩模版的表面方向上，所述凸部和/或所述凹部的横截面形状为圆形、扇形、椭圆形、三角形、四边形、五边形、六边形或者它们的组合。可选的，所述掩模版是金属精密掩模版。本专利技术还提供一种掩模版的制作方法，包括以下步骤：提供一掩模版基底，所述掩模版基底上定义有开孔区和夹持区；形成应力缓冲区，所述应力缓冲区位于所述开孔区与所述夹持区之间，所述应力缓冲区包括至少一个凸部和至少一个凹部，所述凸部和所述凹部一一对应地设置于所述掩模版基底的沿厚度方向相对的两个表面；以及在所述开孔区形成多个镂空孔，以形成掩模版。可选的，利用冲压工艺形成所述应力缓冲区。可选的，所述冲压工艺包括对所述掩模版基底进行去应力退火。可选的，在所述开孔区形成多个镂空孔之后，还包括：通过所述夹持区对所述掩模版施加拉力以进行张网。本专利技术提供的掩模版，包括位于开孔区和夹持区之间的应力缓冲区，所述应力缓冲区包括一一对应地设置于该掩模版相对表面的凸部和凹部，在张网过程中，应力缓冲区可以减小该区域的应力，使掩模版上的应力分布更均匀，提高掩模版的抵抗变形能力，相同张网拉力下的下垂量可以变小，从而有助于提高像素位置精度。本专利技术提供的掩模版的制作方法，在掩模版基底上形成上述应力缓冲区，可以减小应力缓冲区的应力，使应力分布更均匀。进一步的，利用冲压成型工艺形成上述应力缓冲区，可以进一步提高掩模版的刚度和强度，提高掩模版的抵抗变形能力，有助于对像素位置精度的控制。附图说明图1是一种半刻蚀掩模版的示意图。图2本专利技术一实施例的掩模版的示意图。图3是图2中的应力缓冲区的剖面示意图。图4是本专利技术另一实施例的掩模版的示意图。图5是本专利技术实施例的掩模版的制作方法的流程图。附图标记说明：100-半刻蚀掩模版；120、220、320-夹持区；110、210、310-开孔区；211-镂空孔；130-半刻蚀区；230、330-应力缓冲区；231、331-凸部；232、332-凹部；200、300-掩模版。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施例，对本专利技术进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。在将掩模版设置于真空蒸镀设备之前，需要对掩模版施加拉力，在张网过程中，张紧机通过掩模版的夹持区将掩模版绷到掩模版框架(maskframe)上并焊接在一起，制成蒸镀用的掩模版。为了提高掩模版的像素位置精度(PPA)，避免设置于开孔区的像素孔发生移位(shift)，在张网过程中减小在掩模版上产生的应力集中至关重要。利用半刻蚀的方法可以用来缓解掩模版上的应力集中现象。图1是一种半刻蚀掩模版100的示意图。如图1所示，在夹持区120和开孔区110之间设置了半刻蚀区130。在半刻蚀区130，半刻蚀掩模版100被部分刻蚀以减小该区域的应力。与形成半刻蚀区130之前的掩模版相比，可以改善掩模版上的应力分布，减小掩模版的变形量。但研究发现，这种方法对改善掩模版上的应力集中和下垂量的作用较为有限。图2是本专利技术实施例的掩模版200的示意图。图3是图2中的应力缓冲区230的剖面示意图(沿AB方向)。参照图2和图3，掩模版200包括：开孔区210，开孔区210具有多个镂空孔211；夹持区220，夹持区220位于掩模版200的端部；以及应力缓冲区230，应力缓冲区230位于开孔区210与夹持区220之间，应力缓冲区230包括至少一个凸部231和至少一个凹部232，凸部231和凹部232一一对应地设置于掩模版200的沿厚度方向相对的两个表面。具体的，开孔区210是掩模版在执行掩模功能时的有效区域，本实施例中的多个镂空孔211例如是像素孔，其可以对应于像素玻璃基板上的每一个像素，在用于真空镀膜设备进行镀膜时，待沉积材料受热蒸发或升华，通过像素孔沉积在与掩模版紧贴设置的像素玻璃基板上，从而在像素玻璃基板上的显示区形成相应的膜层。开孔区210还可以包括将多个镂空孔211隔开的遮挡条(未特别标号)，以限定沉积的范围。需要说明的是，图2中只是示意性的表示出1个镂空孔211，但应理解，实际运用时镂空孔的数量可以是多个，多个镂空孔可以根据设计需要排布，例如是阵列排布。夹持区220位于掩模版200的端部，即在张网过程中对掩模版200施加拉力的区域。本实施例的掩模版200包括两个夹持区220，以便对称地夹持掩模版200进行张网。在一些实施例中，掩模版200可以包括两个以上的夹持区220，夹持区220的数量优选为偶数，以便在张网时对掩模版200施加更均匀的拉力，但不限于此，夹持区220也可以覆盖掩模版200的全部端部。图2中具有两个夹持区220，两个夹持区220分布于掩模版200沿长度方向上的两端。两个夹持区220的面积和形状优选相等，这样有利于施加更均匀的拉力。应力缓冲区230位于开孔区210与夹持区220之间，本实施例的掩模版200包括两个夹持区220，因而相应的，可以在两个夹持区220分别与开孔区210之间，各设置一个或多个应力缓冲区，优选的，应力缓冲区230以两个夹持区220之间的中垂线轴对称分布。为了有效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模版，其特征在于，包括：开孔区，所述开孔区具有多个镂空孔；夹持区，所述夹持区位于所述掩模版的端部；以及应力缓冲区，所述应力缓冲区位于所述开孔区与所述夹持区之间，所述应力缓冲区包括至少一个凸部和至少一个凹部，所述凸部和所述凹部一一对应地设置于所述掩模版的沿厚度方向相对的两个表面。

【技术特征摘要】
1.一种掩模版，其特征在于，包括：开孔区，所述开孔区具有多个镂空孔；夹持区，所述夹持区位于所述掩模版的端部；以及应力缓冲区，所述应力缓冲区位于所述开孔区与所述夹持区之间，所述应力缓冲区包括至少一个凸部和至少一个凹部，所述凸部和所述凹部一一对应地设置于所述掩模版的沿厚度方向相对的两个表面。2.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述掩膜板包括至少两个夹持区，所述开孔区与每个所述夹持区之间设置有至少一个应力缓冲区。3.如权利要求2所述的掩模版，其特征在于，每个所述应力缓冲区包括多个间隔设置的凸部，多个凸部均匀分布。4.如权利要求1至3任一项所述的掩模版，其特征在于，所述凹部的深度等于所述掩模版的厚度的四分之一至二分之一。5.如权利要求1至3任一项所述的掩模版，其特征在于，在平行于所述掩模版的表面方向上，所述凸部和/或所述凹部的横截面形状为圆形、扇形、椭圆形、三角形、四边...

【专利技术属性】
技术研发人员：张继帅，黄秀颀，叶訢，李伟丽，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32