一种发光二极管及制作方法技术

本发明专利技术提供了一种发光二极管及制作方法，通过在钝化层上形成多个通孔，电流从第一电极注入，经过通孔结构传至电流扩展层，以增加横向电流扩展。并且，通过形成电流扩展凹槽，且将电流扩展凹槽的侧壁设置为波浪形，以增大出光面，增加纵向电流扩展，进而提高发光二极管的出光效率。并且，该发光二极管的制作方法简单。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及制作方法
本专利技术涉及发光二极管
，更具体地说，涉及一种发光二极管及制作方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，各种各样的LED芯片已广泛应用于人们的日常生活、工作以及工业中，为人们的生活带来了极大的便利。发光二极管(LightEmittingDiode，LED)具有效率高、能耗低、寿命长、无污染、体积小、色彩丰富等诸多优点，被广泛应用在照明、显示和背光等领域。但是，目前发光二极管的出光效率低且制作方法繁琐。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种发光二极管及制作方法，该发光二极管出光效率高，且制作方法简单。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底；设置在所述衬底表面的外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的电流扩展层；贯穿所述电流扩展层、所述第二半导体层和所述发光层的电极凹槽和电流扩展凹槽，所述电流扩展凹槽的侧壁为波浪形；所述电流扩展凹槽与所述电极凹槽相通，且在所述第一方向上，所述电极凹槽的深度与所述电流扩展凹槽的深度相同；设置在所述电流扩展层背离所述外延层结构一侧以及所述电极凹槽内以及所述电流扩展凹槽内的钝化层，所述钝化层上设置有多个阵列排布的通孔；设置在所述钝化层背离所述电流扩展层一侧的第一电极，所述第一电极覆盖所述通孔；设置在所述电极凹槽内的第二电极，所述第二电极覆盖所述通孔。可选的，所述外延层结构还包括：设置在所述衬底和所述第一半导体层之间的缓冲层。可选的，所述第一半导体层为N型半导体层。可选的，所述第二半导体层为P型半导体层。可选的，所述第一电极为金属电极，所述第二电极为金属电极。可选的，所述第一电极的材料和所述第二电极的材料相同。本专利技术还提供了一种发光二极管的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底表面形成外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；在所述外延层背离所述衬底的一侧形成透明导电层；对所述透明导电层进行图案化处理，以形成电流扩展层；刻蚀所述电流扩展层、所述第二半导体层和所述发光层，以暴露出所述第一半导体层，形成电极凹槽和电流扩展凹槽，所述电流扩展凹槽的侧壁为波浪形；所述电流扩展凹槽与所述电极凹槽相通，且在所述第一方向上，所述电极凹槽的深度与所述电流扩展凹槽的深度相同；在所述电流扩展层背离所述外延层结构一侧以及所述电极凹槽内以及所述电流扩展凹槽内形成钝化层，所述钝化层上设置有多个阵列排布的通孔；在所述钝化层背离所述电流扩展层的一侧形成第一电极，所述第一电极覆盖所述通孔；在所述电极凹槽内形成第二电极，所述第二电极覆盖所述通孔。可选的，所述制作方法还包括：在所述衬底和所述第一半导体层之间形成缓冲层。本专利技术还提供了一种发光二极管的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底表面形成外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；刻蚀所述第二半导体层和所述发光层，以暴露出所述第一半导体层，形成电极凹槽和电流扩展凹槽，所述电流扩展凹槽的侧壁为波浪形；所述电流扩展凹槽与所述电极凹槽相通，且在所述第一方向上，所述电极凹槽的深度与所述电流扩展凹槽的深度相同；在所述外延层背离所述衬底的一侧形成透明导电层；对所述透明导电层进行图案化处理，以形成电流扩展层，所述电流扩展层具有与所述电流扩展凹槽和所述电极凹槽相同的凹槽结构；在所述电流扩展层背离所述外延层结构一侧以及所述电极凹槽内以及所述电流扩展凹槽内形成钝化层，所述钝化层上设置有多个阵列排布的通孔；在所述钝化层背离所述电流扩展层的一侧形成第一电极，所述第一电极覆盖所述通孔；在所述电极凹槽内形成第二电极，所述第二电极覆盖所述通孔。可选的，所述制作方法还包括：在所述衬底和所述第一半导体层之间形成缓冲层。通过上述描述可知，本专利技术提供的一种发光二极管通过设置波浪形的电流扩展凹槽，以增加发光二极管的纵向电流扩展，通过在钝化层上设置阵列排布的通孔，以增加发光二极管的横向电流扩展，进而极大程度的提高了发光二极管的出光效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的发光二极管的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的发光二极管的另一结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的发光二极管的制作方法的流程示意图；图4-图10为图3制作方法所对应的结构示意图；图11为本专利技术实施例提供的发光二极管的制作方法的另一流程示意图；图12-图18为图11制作方法所对应的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。参考图1和图2，图1为本专利技术实施例提供的发光二极管的结构示意图，图2为本专利技术实施例提供的发光二极管的另一结构示意图，所述发光二极管包括：衬底11；设置在所述衬底11表面的外延层结构12；所述外延层结构12包括：在第一方向上依次设置的第一半导体层14、发光层15和第二半导体层16，所述第一方向垂直于所述衬底11，且由所述衬底11指向所述外延层结构12；设置在所述外延层结构12背离所述衬底11一侧的电流扩展层18；贯穿所述电流扩展层18、所述第二半导体层16和所述发光层15的电极凹槽19和电流扩展凹槽191，所述电流扩展凹槽191的侧壁为波浪形；所述电流扩展凹槽191与所述电极凹槽19相通，且在所述第一方向上，所述电极凹槽19的深度与所述电流扩展凹槽191的深度相同；设置在所述电流扩展层18背离所述外延层结构12一侧以及所述电极凹槽19内以及所述电流扩展凹槽191内的钝化层20，所述钝化层20上设置有多个阵列排布的通孔；设置在所述钝化层20背离所述电流扩展层18一侧的第一电极22，所述第一电极22覆盖所述通孔；设置在所述电极凹槽19内的第二电极23，所述第二电极23覆盖所述通孔。在本实施例中，通过在钝化层20上形成多个通孔，电流从第一电极22注入，经过通孔结构传至电流扩展层18，以增加横向电流扩展。并且，通过形成电流扩展凹槽191，且将电流扩展凹槽191的侧壁设置为波浪形，以增大出光面，增加纵向电流扩展，进而提高发光二极管的出光效率。进一步的，所述外延层结构12还包括：设置在所述衬底11和所述第一半导体层14之间的缓冲层13。在本实施例中，通过设置缓冲层13可以降低外延层结构12的缺陷，提高发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底；设置在所述衬底表面的外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的电流扩展层；贯穿所述电流扩展层、所述第二半导体层和所述发光层的电极凹槽和电流扩展凹槽，所述电流扩展凹槽的侧壁为波浪形；所述电流扩展凹槽与所述电极凹槽相通，且在所述第一方向上，所述电极凹槽的深度与所述电流扩展凹槽的深度相同；设置在所述电流扩展层背离所述外延层结构一侧以及所述电极凹槽内以及所述电流扩展凹槽内的钝化层，所述钝化层上设置有多个阵列排布的通孔；设置在所述钝化层背离所述电流扩展层一侧的第一电极，所述第一电极覆盖所述通孔；设置在所述电极凹槽内的第二电极，所述第二电极覆盖所述通孔。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底；设置在所述衬底表面的外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的电流扩展层；贯穿所述电流扩展层、所述第二半导体层和所述发光层的电极凹槽和电流扩展凹槽，所述电流扩展凹槽的侧壁为波浪形；所述电流扩展凹槽与所述电极凹槽相通，且在所述第一方向上，所述电极凹槽的深度与所述电流扩展凹槽的深度相同；设置在所述电流扩展层背离所述外延层结构一侧以及所述电极凹槽内以及所述电流扩展凹槽内的钝化层，所述钝化层上设置有多个阵列排布的通孔；设置在所述钝化层背离所述电流扩展层一侧的第一电极，所述第一电极覆盖所述通孔；设置在所述电极凹槽内的第二电极，所述第二电极覆盖所述通孔。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述外延层结构还包括：设置在所述衬底和所述第一半导体层之间的缓冲层。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层为N型半导体层。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层为P型半导体层。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极为金属电极，所述第二电极为金属电极。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极的材料和所述第二电极的材料相同。7.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底表面形成外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；在所述外延层背离所述衬底的一侧形成透明导电层；对所述透明导电层进行图案化处理，以形成电流扩展层；刻蚀所述电流扩展层、所述第二半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘英策，刘昭，李俊贤，魏振东，邬新根，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35