【技术实现步骤摘要】
有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置
本专利技术实施例涉及显示技术,尤其涉及一种有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置。
技术介绍
顶发射有机发光显示器件的正负极之间构成了微腔结构,微腔结构具有微腔效应,例如对微腔结构发射波长处即发光中心有光强度增加效应,对发射峰光谱有窄化作用同时还可以改变发射峰波长,还能够调整发射峰值波长、强度和发射峰的半高宽,即顶发射有机发光显示器件的微腔效应能够提高色纯度、发光效率和发光强度。而微腔长度是微腔结构的重要参数,那么微腔长度是影响顶发射有机发光显示器件微腔效应的重要因素。基于不同发光颜色的本征发射波长不同,顶发射有机发光显示器件中不同发光颜色所对应的微腔长度不同,从而顶发射有机发光显示器件的不同发光颜色能够达到近似的色纯度、发光效率和发光强度等微腔效应效果。具体的,红光的本征发射波长大于绿光的本征发射波长,绿光的本征发射波长大于蓝光的本征发射波长,则红光所对应的微腔长度通常大于绿光和蓝光所对应的微腔长度。然而,微腔长度较长的情况下,受微腔效应影响器件容易产生大的视角色偏,现有有机发光显示器件在60°视角下的视角色偏已超过0.06。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置,以解决现有有机发光显示器件的视角色偏大的问题。第一方面,本专利技术实施例提供了一种有机发光显示器件,该有机发光显示器件包括:依次层叠设置的第一电极、发光层和第二电极,所述发光层包括多个发光区域,所述多个发光区域分别对应多个像素区域,所述多个像素区域包含红色像素区域、绿色像素区域和蓝色 ...
【技术保护点】
1.一种有机发光显示器件,其特征在于,包括:依次层叠设置的第一电极、发光层和第二电极,所述发光层包括多个发光区域,所述多个发光区域分别对应多个像素区域,所述多个像素区域包含红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中的至少一种;光学补偿层,位于所述第一电极和所述发光层之间且所述光学补偿层与所述发光层直接接触,所述光学补偿层包括多个光学补偿区域,所述多个光学补偿区域与所述多个像素区域分别对应设置,所述红色像素区域所对应的第一光学补偿区域的空穴迁移率μCR、HOMO能级HOMOCR和LUMO能级LUMOCR中的至少一种参数满足下述条件:9*10‑5cm2/V·s≤μCR≤1*10‑3cm2/V·s,4.8eV≤HOMOCR≤5.8eV,1.0eV≤LUMOCR≤2.4eV;所述绿色像素区域所对应的第二光学补偿区域的空穴迁移率μCG、HOMO能级HOMOCG和LUMO能级LUMOCG中的至少一种参数满足下述条件:6*10‑5cm2/V·s≤μCG≤5*10‑4cm2/V·s,4.5eV≤HOMOCG≤5.7eV,1.25eV≤LUMOCG≤2.65eV;所述蓝色像素区域所对应的第三光学补偿区域 ...
【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示器件,其特征在于,包括:依次层叠设置的第一电极、发光层和第二电极,所述发光层包括多个发光区域,所述多个发光区域分别对应多个像素区域,所述多个像素区域包含红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中的至少一种;光学补偿层,位于所述第一电极和所述发光层之间且所述光学补偿层与所述发光层直接接触,所述光学补偿层包括多个光学补偿区域,所述多个光学补偿区域与所述多个像素区域分别对应设置,所述红色像素区域所对应的第一光学补偿区域的空穴迁移率μCR、HOMO能级HOMOCR和LUMO能级LUMOCR中的至少一种参数满足下述条件:9*10-5cm2/V·s≤μCR≤1*10-3cm2/V·s,4.8eV≤HOMOCR≤5.8eV,1.0eV≤LUMOCR≤2.4eV;所述绿色像素区域所对应的第二光学补偿区域的空穴迁移率μCG、HOMO能级HOMOCG和LUMO能级LUMOCG中的至少一种参数满足下述条件:6*10-5cm2/V·s≤μCG≤5*10-4cm2/V·s,4.5eV≤HOMOCG≤5.7eV,1.25eV≤LUMOCG≤2.65eV;所述蓝色像素区域所对应的第三光学补偿区域的空穴迁移率μCB、HOMO能级HOMOCB和LUMO能级LUMOCB中的至少一种参数满足下述条件:1*10-5cm2/V·s≤μCB≤5*10-4cm2/V·s,5.4eV≤HOMOCB≤6.1eV,1.8eV≤LUMOCB≤2.4eV;所述多个像素区域包含所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域中的至少一种;所述红色像素区域所对应的第一发光区域的主体材料的空穴迁移率μER、HOMO能级HOMOER和LUMO能级LUMOER中的至少一种参数满足下述条件:4*10-5cm2/V·s≤μER≤9*10-4cm2/V·s,4.9eV≤HOMOER≤5.3eV,2.0eV≤LUMOER≤2.4eV;所述绿色像素区域所对应的第二发光区域的主体材料的空穴迁移率μEG、HOMO能级HOMOEG和LUMO能级LUMOEG中的至少一种参数满足下述条件:6*10-5cm2/V·s≤μEG≤5*10-4cm2/V·s,5.3eV≤HOMOEG≤5.9eV,2.0eV≤LUMOEG≤3.3eV;所述蓝色像素区域所对应的第三发光区域的主体材料的空穴迁移率μEB、HOMO能级HOMOEB和LUMO能级LUMOEB中的至少一种参数满足下述条件:1*10-5cm2/V·s≤μEB≤1*10-4cm2/V·s,5.6eV≤HOMOEB≤6.2eV,2.5eV≤LUMOEB≤3.0eV;所述第一发光区域的主体材料的空穴迁移率μER、HOMO能级HOMOER和LUMO能级LUMOER中的至少一种参数满足下述条件:4*10-5cm2/V·s≤μER≤9*10-4cm2/V·s,-0.1eV≤HOMOCR-HOMOER≤0.3eV,0.05eV≤LUMOCR-LUMOER≤0.5eV;所述第二发光区域的主体材料的空穴迁移率μEG、HOMO能级HOMOEG和LUMO能级LUMOEG中的至少一种参数满足下述条件:6*10-5cm2/V·s≤μEG≤5*10-4cm2/V·s,-0.3eV≤HOMOCG-HOMOEG≤0eV,-0.1eV≤LUMOCG-LUMOEG≤0.7eV;所述第三发光区域的主体材料的空穴迁移率μEB、HOMO能级HOMOEB和LUMO能级LUMOEB中的至少一种参数满足下述条件:1*10-5cm2/V·s≤μEB≤1*10-4cm2/V·s,-0.5eV≤HOMOCB-HOMOEB≤0.2eV,0.4eV≤LUMOCB-LUMOEB≤0.55eV。2.根据权利要求1所述的有机发光显示器件,其特征在于,所述多个像素区域包含所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域中的至少一种;所述第一光学补偿区域的空穴迁移率μCR、HOMO能级HOMOCR和LUMO能级LUMOCR中的至少一种参数满足下述条件:5*10-4cm2/V·s≤μCR≤1*10-3cm2/V·s,4.8eV≤HOMOCR≤5.8eV,1.0eV≤LUMOCR≤2.4eV;所述第二光学补偿区域的空穴迁移率μCG、HOMO能级HOMOCG和LUMO能级LUMOCG中的至少一种参数满足下述条件:1*10-4cm2/V·s≤μCG≤3*10-4cm2/V·s,4.5eV≤HOMOCG≤5.7eV,1.25eV≤LUMOCG≤2.65eV;所述第三光学补偿区域的空穴迁移率μCB、HOMO能级HOMOCB和LUMO能级LUMOCB中的至少一种参数满足下述条件:8*10-5cm2/V·s≤μCB≤1*10-4cm2/V·s,5.4eV≤HOMOCB≤6.1eV,1.8eV≤LUMOCB≤2.4eV。3.根据权利要求1所述的有机发光显示器件,其特征在于,所述多个像素区域包含所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域;所述第一光学补偿区域的厚度大于或等于85nm且小于或等于100nm,所述第二光学补偿区域的厚度大于或等于40nm且小于或等于55nm,所述第三光学补偿区域的厚度大于或等于15nm且小于或等于25nm。4.根据权利要求1所述的有机发光显示器件,其特征在于,所述多个像素区域包含所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域中的至少一种;所述第一发光区域的主体材料的空穴迁移率μER、HOMO能级HOMOER和LUMO能级LUMOER中的至少一种参数满足下述条件:1*10-4cm2/V·s≤μER≤9*10-4cm2/V·s,4.9eV≤HOMOER≤5.3eV,2.0eV≤LUMOER≤2.4eV;所述第二发光区域的主体材料的空穴迁移率μEG、HOMO能级HOMOEG和LUMO能级LUMOEG中的至少一种参数满足下述条件:9*10-5cm2/V·s≤μEG≤2*10-4cm2/V·s,5.3eV≤HOMOEG≤5.9eV,2.0eV≤LUMOEG≤3.3eV;所述第三发光区域的主体材料的空穴迁移率μEB、HOMO能级HOMOEB和LUMO能级LUMOEB中的至少一种参数满足下述条件:5*10-5cm2/V·s≤μEB≤9*10-5cm2/V·s,5.6eV≤HOMOEB≤6.2eV,2.5eV≤LUMOEB≤3.0eV。5.根据权利要求1所述的有机发光显示器件,其特征在于,所述多个像素区域至少包含所述红色像素区域;所述第一光学补偿区域的空穴迁移率μCR、HOMO能级HOMOCR和LUMO能级LUMOCR中的至少一种参数,以及,所述第一发光区域的主体材料的空穴迁移率μER、HOMO能级HOMOER和LUMO能级LUMOER中的至少一种...
【专利技术属性】
技术研发人员:程爽,滨田,牛晶华,王湘成,
申请(专利权)人:上海天马有机发光显示技术有限公司,天马微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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