一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板技术

本申请公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，该方法包括提供一衬底；在衬底上依次设置第一栅极绝缘层、薄膜层、第二栅极绝缘层和栅极金属层；依次对栅极金属层和第二栅极绝缘层进行图案化蚀刻，并在蚀刻过程中检测是否蚀刻到薄膜层；如果蚀刻到薄膜层，则停止蚀刻，以避免第一栅极绝缘层被蚀刻；其中，薄膜层材料不同于第二栅极绝缘层材料。通过上述方式，本申请能够改善离子植入的均匀性，增强电性稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板
本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板。
技术介绍
LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶硅)技术逐渐成熟并广泛应用于手机等高解析度产品，当前LTPS制程工艺复杂，设备非常精密昂贵，因此为提高产能和降低成本，只能通过技术改进节省光罩来实现。再蚀刻(Re-etch)技术可以提升光阻剥离机产能，因此很多厂家都在积极研究此技术，以求产能最大化。本申请的专利技术人在长期研发中发现，再蚀刻技术也存在一些缺陷，主要是由于省略光罩后，使用栅极作为辅助定位后进行离子植入，而在形成栅极层之前会先生成GI(GateInsulator，栅极绝缘层)以形成MOS-FET(metal-oxidesemiconductorFieldEffectTransistor，金属氧化物半导体场效应管)结构，因此离子植入时需要穿过GI，当前GI厚度一般为离子植入需要约70keV以上的能量，对机台稳定运行和TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)电性(迁移率和阈值电压)都有较大影响。后来衍生出进行栅极层蚀刻的同时进行GI蚀刻，即使用干法蚀刻通过调整气体选择比先将栅极形状蚀刻出来在对除栅极覆盖以外的GI进行蚀刻，降低GI厚度，改善离子植入过程，可以大幅降低离子植入能量，确保稳定生产。本申请的专利技术人进一步发现，由于对金属和非金属先后进行蚀刻，难以兼顾栅极线宽和蚀刻掉的栅极绝缘层的均匀性，进而剩余的栅极绝缘层的均匀性极难控制，易造成电性不均。
技术实现思路
本申请主要解决的问题是提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，能够改善离子植入的均匀性，增强电性稳定性。为解决上述技术问题，本申请采用的技术方案是提供一种阵列基板的制作方法，该方法包括：提供一衬底；在衬底上依次设置第一栅极绝缘层、薄膜层、第二栅极绝缘层和栅极金属层；依次对栅极金属层和第二栅极绝缘层进行图案化蚀刻，并在蚀刻过程中检测是否蚀刻到薄膜层；如果蚀刻到薄膜层，则停止蚀刻，以避免第一栅极绝缘层被蚀刻；其中，薄膜层材料不同于第二栅极绝缘层材料。为解决上述技术问题，本申请采用的另一技术方案是提供一种阵列基板，该阵列基板包括层叠设置的衬底、第一栅极绝缘层、薄膜层、第二栅极绝缘层和栅极金属层，薄膜层材料不同于第二栅极绝缘层材料。为解决上述技术问题，本申请采用的另一技术方案是提供一种显示面板，该显示面板包括阵列基板、与阵列基板相对设置的彩膜基板以及阵列基板与彩膜基板之间的液晶层，阵列基板为上述的阵列基板。通过上述方案，本申请的有益效果是：通过在衬底上依次制作第一栅极绝缘层、薄膜层、第二栅极绝缘层和栅极金属层，薄膜层的材料与第二栅极绝缘层的材料不同；然后依次对栅极金属层和第二栅极绝缘层进行蚀刻，并在蚀刻过程中检测是否蚀刻到薄膜层；如果检测到目前蚀刻到薄膜层，则停止蚀刻，以避免第一栅极绝缘层被蚀刻；由于在蚀刻过程中实时监控是否蚀刻到薄膜层以控制蚀刻进程，使得停止蚀刻后，留下性能得到保证且没有被蚀刻过/被蚀刻量极少的第一栅极绝缘层，改善离子植入的均匀性，增强电性稳定性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：图1是现有技术中蚀刻前栅极绝缘层、多晶硅层和栅极金属层的结构示意图；图2是现有技术中蚀刻后栅极绝缘层、多晶硅层和栅极金属层的结构示意图；图3是本申请提供的阵列基板的制作方法一实施例的流程示意图；图4是本申请提供的阵列基板的制作方法一实施例中蚀刻前阵列基板的结构示意图；图5是本申请提供的阵列基板的制作方法一实施例中蚀刻后阵列基板的结构示意图；图6是本申请提供的阵列基板的制作方法另一实施例的流程示意图；图7是本申请提供的阵列基板的制作方法另一实施例中蚀刻前阵列基板的结构示意图；图8是本申请提供的阵列基板的制作方法另一实施例中蚀刻后阵列基板的结构示意图；图9是本申请提供的阵列基板一实施例的结构示意图；图10是本申请提供的显示面板一实施例的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。栅极蚀刻前膜层结构如图1所示，由于需要对栅极金属层11进行蚀刻，再进行栅极绝缘层12蚀刻，涉及金属和非金属蚀刻，故难以保证蚀刻后的栅极绝缘层12的均匀性，形成如下图2所示的结构，栅极绝缘层12不被栅极金属层11覆盖的上表面不在同一水平线上；在进行重掺杂时植入多晶硅层13的离子的深度和剂量会出现差异，易造成电性异常。参阅图3至图5，图3是本申请提供的阵列基板的制作方法一实施例的流程示意图，该方法包括：步骤31：提供一衬底41。该衬底41为透明基板，优选地为玻璃基板；可以对衬底41进行预处理，例如：依次采用丙酮、甲醇、去离子水对衬底41进行清洗，再去除衬底41表面的杂质和氧化层。步骤32：在衬底41上依次设置第一栅极绝缘层42、薄膜层43、第二栅极绝缘层44和栅极金属层45。利用化学气相沉积法或物理气相沉积法在衬底41上依次形成第一栅极绝缘层42、薄膜层43、第二栅极绝缘层44和栅极金属层45，如图4所示。薄膜层43的材料与第二栅极绝缘层44的材料不同，当然，薄膜层43和第二栅极绝缘层44的材料中部分化学元素也可以相同；薄膜层43为一层及其薄的膜层，其厚度远远小于第一栅极绝缘层42和第二栅极绝缘层44的厚度；栅极金属层45的材料可以是钼、铝、铜、钛中的一种或多种。步骤33：依次对栅极金属层45和第二栅极绝缘层44进行图案化蚀刻，并在蚀刻过程中检测是否蚀刻到薄膜层43。在形成了栅极金属层45后，依次对栅极金属层45和第二栅极绝缘层44进行图案化处理，采用干法刻蚀或者湿法刻蚀对栅极金属层45和第二栅极绝缘层44的部分区域进行蚀刻，为了不蚀刻到第一栅极绝缘层44，在蚀刻过程中利用仪器检测是否蚀刻到薄膜层43。步骤34：如果蚀刻到薄膜层43，则停止蚀刻，以避免第一栅极绝缘层42被蚀刻。在蚀刻过程中，如果检测到目前蚀刻到薄膜层43，则停止蚀刻，以避免第一栅极绝缘层42被蚀刻，由于薄膜层43的厚度极其薄，因此其厚度可以忽略，保证蚀刻后留下的膜层(第一栅极绝缘层42)不被覆盖的上表面处于同一水平面，厚度相同，如图5所示。当离子植入的深度符合预设深度时，载流子迁移率较大，而离子植入的深度过低或过高时，载流子迁移率较小；因而当留下的栅极绝缘层厚度较低或较高时，载流子迁移率会降低。在停止蚀刻后，留下均匀性较好的第一栅极绝缘层42。由于第一栅极绝缘层42的厚度不低于保证性能所需的最低厚度，且没有被蚀刻到；而且，GI膜的关键参数为其膜厚和介电常数，厚度得到保证的GI膜有利于改善TFT的阈值电压，同时均匀性变好可以改善离子植入的均匀性，提升载流子迁移率，进而增强TFT的电性稳定本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次设置第一栅极绝缘层、薄膜层、第二栅极绝缘层和栅极金属层，所述薄膜层材料不同于所述第二栅极绝缘层材料；依次对所述栅极金属层和所述第二栅极绝缘层进行图案化蚀刻，并在蚀刻过程中检测是否蚀刻到所述薄膜层；如果蚀刻到所述薄膜层，则停止蚀刻，以避免所述第一栅极绝缘层被蚀刻。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次设置第一栅极绝缘层、薄膜层、第二栅极绝缘层和栅极金属层，所述薄膜层材料不同于所述第二栅极绝缘层材料；依次对所述栅极金属层和所述第二栅极绝缘层进行图案化蚀刻，并在蚀刻过程中检测是否蚀刻到所述薄膜层；如果蚀刻到所述薄膜层，则停止蚀刻，以避免所述第一栅极绝缘层被蚀刻。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述薄膜层的材料为SiNx，其厚度小于第一栅极绝缘层的材料为SiOx或SiOx和SiNx的混叠，所述第二栅极绝缘层的材料为SiOx。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的致密度大于所述第二栅极绝缘层的致密度。4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述检测是否蚀刻到所述薄膜层的步骤，包括：检测蚀刻到的膜层中是否具有预设元素成分；所述如果蚀刻到所述薄膜层，则停止蚀刻的步骤，包括：如果检测到蚀刻到的膜层中具有预设元素成分，则停止蚀刻。5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，采用蚀刻终点监控器侦测蚀刻到的膜层中的元素成分，所述预设...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄奔，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42