微型显示装置和显示集成电路制造方法及图纸

提供了一种微型显示装置和显示集成电路。微型显示装置的实施方式包括：硅基板；具有布置在硅基板的像素阵列区域中的多个子像素的像素阵列；和位于硅基板的电路区域中的驱动器电路，电路区域设置在硅基板的像素阵列区域的周围，其中像素阵列区域中的晶体管的全部或一些和电路区域中的晶体管具有不同的电流‑电压传输特性，由此具有出色的驱动性能和显示性能。

【技术实现步骤摘要】
微型显示装置和显示集成电路相关申请的交叉引用本申请要求2017年5月2日提交的韩国专利申请No.10-2017-0056187的优先权，为了所有目的通过参考将该专利申请结合在此，如同在此完全阐述一样。
本专利技术的实施方式涉及一种显示装置，尤其涉及一种微型显示装置和显示集成电路。
技术介绍
显示装置包括其上布置有多个子像素的显示面板和用于驱动子像素的各种驱动器电路，比如源极驱动器电路和栅极驱动器电路。在相关技术的显示装置的显示面板中，晶体管以及各种电极和信号线安装在玻璃板上，可以以集成电路实现的驱动器电路安装在印刷电路上并通过印刷电路电连接至显示面板。这种基本结构适合于大型显示装置，但不适合于小型显示装置。此外，近来，已开发了要求小型显示装置的各种电子装置，比如虚拟现实装置和增强现实装置。然而，目前，仍未开发出具有适合于比如虚拟现实装置和增强现实装置之类的电子装置的结构或出色显示性能的小型显示装置。
技术实现思路
因此，本专利技术的实施方式旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的微型显示装置和显示集成电路。本专利技术的一个目的是提供一种微型显示装置和显示集成电路。本专利技术的另一个目的是提供一种具有出色驱动能力和显示性能的微型显示装置和显示集成电路。本专利技术的另一个目的是提供一种像素阵列和驱动器电路全都设置在硅基板上的微型显示装置和显示集成电路。本专利技术的另一个目的是提供一种具有多晶体管特性的微型显示装置和显示集成电路。本专利技术的另一个目的是提供一种具有多晶体管结构的微型显示装置和显示集成电路。在下面的描述中将列出其它特征和方面，这些特征和方面的一部分从下面的描述将是显而易见的，或者可通过在此提供的专利技术构思的实施领会到。通过在说明书或其衍生物、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本专利技术构思的其他特征和方面。为了实现本专利技术构思的这些和其他方面，如在此具体化和概括描述的，一种微型显示装置包括：硅基板；包括布置在所述硅基板的像素阵列区域中的多个子像素的像素阵列；和设置在所述硅基板的电路区域中的驱动器电路。在所述微型显示装置中，所述电路区域可位于所述像素阵列区域的周围。所述像素阵列区域中的晶体管的全部或一些和所述电路区域中的晶体管具有不同的电流-电压传输特性(晶体管特性)。所述电路区域中的晶体管的电流-电压传输特性表明晶体管的源极节点与漏极节点之间传输的电流的特性(控制特性)并且可被定义为表明根据电压变化的电流变化的第一电流-电压传输曲线，所述像素阵列区域中的晶体管的电流-电压传输特性可被定义为表明根据电压变化的电流变化的第二电流-电压传输曲线。所述第二电流-电压传输曲线中的电流变化区段中的斜度可小于所述第一电流-电压传输曲线中的电流变化区段中的斜度。在所述微型显示装置，所述像素阵列区域中的晶体管的电流-电压传输特性可与所述电路区域中的晶体管的电流-电压传输特性不同。在所述微型显示装置，所述像素阵列区域中的晶体管和所述电路区域中的晶体管可以是不同种类的晶体管。可选地，在所述微型显示装置，所述像素阵列区域中的晶体管和所述电路区域中的晶体管可以是相同种类的晶体管。在这种情形中，所述电路区域中的晶体管的掺杂浓度和所述像素阵列区域中的晶体管的掺杂浓度可彼此不同。可选地，所述电路区域中的晶体管的沟道特性值(或半导体特性值)和所述像素阵列区域中的晶体管的沟道特性值(或半导体特性值)彼此不同。可选地，所述电路区域中的晶体管的掺杂浓度和所述像素阵列区域中的晶体管的掺杂浓度可彼此不同，并且所述像素阵列区域中的晶体管的沟道特性值(或半导体特性值)和所述电路区域中的晶体管的沟道特性值(或半导体特性值)也可彼此不同。所述沟道特性值可包括沟道长度(或半导体长度)、沟道宽度(或半导体宽度)和沟道厚度(或半导体厚度)中的一个或多个。所述电路区域中的晶体管可以是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，所述像素阵列区域中的晶体管可以是薄膜晶体管(TFT)。所述电路区域中的晶体管和所述像素阵列区域中的晶体管可以是具有不同电流-电压传输特性的MOSFET。在这种情形中，所述电路区域中的晶体管的掺杂浓度和所述像素阵列区域中的晶体管的掺杂浓度可彼此不同。所述电路区域中的晶体管的掺杂浓度可高于所述像素阵列区域中的晶体管的掺杂浓度。所述电路区域中的晶体管的沟道长度或半导体长度与所述像素阵列区域中的晶体管的沟道长度或半导体长度可彼此不同。所述电路区域中的晶体管的沟道长度或半导体长度可小于所述像素阵列区域中的晶体管的沟道长度或半导体长度。在所述硅基板上在所述电路区域与所述像素阵列区域之间可存在虚拟区域，并且在所述硅基板的虚拟区域中可存在虚拟像素，所述虚拟像素包括像素电极和与所述像素阵列区域中的晶体管具有相同的电流-电压传输特性的晶体管。在另一个方面中，一种显示集成电路，包括：硅基板；布置在所述硅基板的像素阵列区域中的多个子像素；和设置在所述硅基板的电路区域中的驱动器电路。在所述显示集成电路中，所述电路区域可位于所述像素阵列区域的周围。在所述显示集成电路中，所述像素阵列区域中的晶体管的电流-电压传输特性可与所述电路区域中的晶体管的电流-电压传输特性不同。在所述显示集成电路中，所述像素阵列区域中的晶体管和所述电路区域中的晶体管可以是不同种类的晶体管。在所述显示集成电路中，所述像素阵列区域中的晶体管和所述电路区域中的晶体管可以是相同种类的晶体管。在这种情形中，所述电路区域中的晶体管的掺杂浓度和所述像素阵列区域中的晶体管的掺杂浓度可彼此不同。可选地，所述像素阵列区域中的晶体管的沟道长度或半导体长度与所述电路区域中的晶体管的沟道长度或半导体长度可彼此不同。可选地，所述电路区域中的晶体管的掺杂浓度和所述像素阵列区域中的晶体管的掺杂浓度可彼此不同，并且所述像素阵列区域中的晶体管的沟道长度或半导体长度与所述电路区域中的晶体管的沟道长度或半导体长度也可彼此不同。上述实施方式可提供一种微型显示装置和显示集成电路。实施方式可提供一种具有出色驱动能力和显示性能的微型显示装置和显示集成电路。实施方式提供一种像素阵列和驱动电路全都设置在硅基板上的微型显示装置和显示集成电路。实施方式可提供一种具有多晶体管特性的微型显示装置和显示集成电路。实施方式可提供一种具有多晶体管结构的微型显示装置和显示集成电路。应当理解，前面的大体性描述和下面的详细描述都是示例性的和解释性的，旨在对所要求保护的本专利技术构思提供进一步的解释。附图说明被包括用来给本专利技术提供进一步理解并且并入本申请组成本申请一部分的附图图解了本专利技术的实施方式，并与说明书一起用于解释各种原理。在附图中：图1是示意性显示根据实施方式的微型显示装置的示图；图2是显示根据实施方式的微型显示装置的硅基板的两个区域的示图；图3是显示根据实施方式的微型显示装置和硅晶片的示图；图4是显示根据实施方式的微型显示装置的子像素的结构的示例图；图5是显示根据实施方式的微型显示装置的子像素的结构的另一示例图；图6是图解根据实施方式的微型显示装置的多晶体管特性的示图；图7是显示根据实施方式的微型显示装置中的电路区域中的晶体管的电流-电压特性(晶体管特性)的I-V传输曲线；图8是显示根据实施方式的微型显示装置中的像素阵列区域中的晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型显示装置，包括：硅基板；包括布置在所述硅基板的像素阵列区域中的多个子像素的像素阵列；和设置在所述硅基板的电路区域中的驱动器电路，其中所述电路区域位于所述硅基板的像素阵列区域的周围，并且所述像素阵列区域中的晶体管的全部或一些与所述电路区域中的晶体管具有不同的电流‑电压传输特性。

【技术特征摘要】
2017.05.02 KR 10-2017-00561871.一种微型显示装置，包括：硅基板；包括布置在所述硅基板的像素阵列区域中的多个子像素的像素阵列；和设置在所述硅基板的电路区域中的驱动器电路，其中所述电路区域位于所述硅基板的像素阵列区域的周围，并且所述像素阵列区域中的晶体管的全部或一些与所述电路区域中的晶体管具有不同的电流-电压传输特性。2.根据权利要求1所述的微型显示装置，其中所述电路区域中的晶体管的电流-电压传输特性被定义为表明根据电压变化的电流变化的第一电流-电压传输曲线，所述像素阵列区域中的晶体管的电流-电压传输特性被定义为表明根据电压变化的电流变化的第二电流-电压传输曲线，并且所述第二电流-电压传输曲线中的电流变化区段中的斜度小于所述第一电流-电压传输曲线中的电流变化区段中的斜度。3.根据权利要求1所述的微型显示装置，其中所述电路区域中的晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，所述像素阵列区域中的晶体管是薄膜晶体管(TFT)。4.根据权利要求1所述的微型显示装置，其中所述像素阵列区域中的晶体管是非晶硅TFT、多晶硅TFT、氧化物TFT和有机TFT的其中之一。5.根据权利要求1所述的微型显示装置，其中所述电路区域中的晶体管和所述像素阵列区域中的晶体管是具有不同电流-电压传输特性的MOSFET。6.根据权利要求1所述的微型显示装置，其中所述电路区域中的晶体管的掺杂浓度和所述像素阵列区域中的晶体管的掺杂浓度彼此不同。7.根据权利要求6所述的微型显示装置，其中所述电路区域中的晶体管的掺杂浓度高于所述像素阵列区域中的晶体管的掺杂浓度。8.根据权利要求1所述的微型显示装置，其中所述电路区域中的晶体管的沟道特性值和所述像素阵列区域中的晶体管的沟道特性值彼此不同，并且所述沟道特性值包括沟道长度、沟道宽度和沟道厚度中的一个或多个。9.根据权利要求8所述的微型显示装置，其中所述电路区域中的晶体管的沟道长度小于所述像素阵列区域中的晶体管的沟道长度，并且所述电路区域中的晶体管的沟道宽度或沟道厚度大于所述像素阵列区域中的晶体管的沟道宽度或沟道厚度。10.根据权利要求1所述的微型显示装置，其中在所述硅基板上在所述电路区域与所述像素阵列区域之间存在虚拟区域，并且在所述硅基板的虚拟区域中存在虚拟像素...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘彦相，金豪鎭，金勁旼，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR