一种温度测量装置、发光器件及显示阵列制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种温度测量装置、发光器件及显示阵列，其中，所述温度测量装置包括第一电极层、连接层和第二电极层，所述连接层的一端覆盖在所述第一电极层上，所述第二电极层覆盖在所述连接层的另一端上，所述第一电极层和第二电极层之间还连接设置有电压测量装置，根据第一电极层和第二电极层之间的电压值以及第二电极层处的温度值得出第一电极层处的温度值，通过若干薄膜层组成一热电回路，能将该热电回路集成在发光器件的电极上，通过读取电信号从而精确获知发光像素的温度，达到直接测量微米尺度下像素温度的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种温度测量装置、发光器件及显示阵列
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种温度测量装置、发光器件及显示阵列。
技术介绍
有机发光二极管（OLED）和量子点发光二极管（QLED）是具有高显示性能和印刷显示适应性的下一代显示技术。结合图1，以QLED为例，一个QLED单元器件通常包括电极1，空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输、注入层和电极2。根据电极1和电极2的相对位置，即背电极和顶电极，QLED的结构可以分为正型器件和反型器件两种。根据光出射的方向，从顶电极出射的器件（顶电极在发射波段内为透明电极）称为顶发射器件；从底电极出射（底电极和基板在发射波段内为透明）的器件称为底发射器件。空穴注入、传输层用于从外电路向发光层提供可迁移空穴，电子传输层用于提供可迁移电子。电子-空穴在量子点中形成激子，激子通过辐射复合输出光子。QLED显示技术的发光效率已经接近显示应用的要求，然而，器件的发光寿命仍然需要提高。尤其是蓝色发光器件与红、绿色器件的发光寿命差距悬殊，还不足以支持消费电子水平的应用。从原因分析，可粗略分为器件在恒定外部条件（比如温度、湿度）下的稳定性以及外部条件变化时对器件衰减的加速作用。前者主要涉及高电流驱动下各功能层材料的可靠度、器件中电场分布、复合区分布的稳定程度；后者涉及温度、湿度变化时对上述因素产生的负面影响。高温下，更多声子被激发，降低复合区内辐射复合的几率；功能层中玻璃化温度较低的有机材料会发生相变，其电学性质被完全改变；载流子传输层的电学性质变化（比如电阻增加）会反馈出更高的驱动电压以保证驱动电流不降低，从而进一步升高器件温度，产生恶性循环。一个外量子效率在10%左右的蓝光器件，为了输出1000cd/m2的亮度，通常需要120mW/cm2的电路输入功率，即至少100mW/cm2的功率以各种形式转换成热能耗散在器件中。热源产生的热量通过热导率非常低的有机（λ~0.1WK-1m-1）无机纳米晶材料（1~10WK-1m-1）传导至电极后再与外部环境达到动态平衡。任何提高发光外量子效率的方法都可以降低热耗散。比如提高发光材料的辐射复合几率，降低器件的电阻（包括材料自身电阻、界面电阻—注入势垒、电极电阻）等等。尤其是蓝光器件，由于电子，空穴都有非常高的注入势垒，即使在材料发光效率相同的情况下，二极管在正向导通状态下有非常高的界面电阻，其发热情况会比红、绿器件更严重。因此测量发光单元器件的温度是评估器件工作条件的先决条件，实验室中可以使用红外热成像技术对非集成的器件样品进行初略的测量，而在实际显示产品中情况则不同。首先高性能显示器的像素的尺寸线度在100微米以下，热成像技术的解析率未必能达到要求，对局部温度的测量可能产生很大误差；其次发光单元器件集成在驱动电路面板上，面板的热传导率热导率较低，空间内且填充大量导热率极低的绝缘材料，使从下方散热更加困难，且发光器件上方会继续覆盖导热率极低的绝缘材料，从器件上方散热也很困难。因此如何直接测量发光像素温度的问题还亟待解决。因而现有技术还有待改进和提高。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于提供一种温度测量装置、发光器件及显示阵列，通过若干薄膜层组成一热电回路，能将该热电回路集成在发光器件的电极上，通过读取电信号从而精确获知发光像素的温度，达到直接测量微米尺度下像素温度的目的。为了达到上述目的，本专利技术采取了以下技术方案：一种温度测量装置，其包括第一电极层、连接层和第二电极层，所述连接层的一端覆盖在所述第一电极层上，所述第二电极层覆盖在所述连接层的另一端上，所述第一电极层和第二电极层之间还连接设置有电压测量装置，根据第一电极层和第二电极层之间的电压值以及第二电极层处的温度值得出第一电极层处的温度值。所述的温度测量装置中，所述连接层的热电系数大于第一电极层、第二电极层的热电系数。所述的温度测量装置中，所述连接层为单层结构或多层结构。所述的温度测量装置中，所述多层结构包括若干个周期的第一半导体层/第二半导体层，所述第一半导体层与第二半导体层间隔设置。所述的温度测量装置中，所述单层结构或所述第一半导体层采用的材料的热电系数大于等于50μVK-1。所述的温度测量装置中，所述第二半导体层的能带隙宽于第一半导体层的能带隙。所述的温度测量装置中，所述第一电极层的材料为金、银、铜、钽、铅、铝、碳、铂中的至少一种。所述的温度测量装置中，所述第二电极层的材料为金、银、铜、钽、铅、铝、碳、铂中的至少一种。一种发光器件，包括依次叠层设置的底电极、发光层和顶电极，其还包括如上所述的温度测量装置，所述第一电极层与底电极或顶电极接触设置；或者所述第一电极层直接作为发光器件的底电极或顶电极。一种显示阵列，其包括若干个如上所述的发光器件。相较于现有技术，本专利技术提供的温度测量装置、发光器件及显示阵列中，所述温度测量装置包括第一电极层、连接层和第二电极层，所述连接层的一端覆盖在所述第一电极层上，所述第二电极层覆盖在所述连接层的另一端上，所述第一电极层和第二电极层之间还连接设置有电压测量装置，根据第一电极层和第二电极层之间的电压值以及第二电极层处的温度值得出第一电极层处的温度值，通过若干薄膜层组成一热电回路，能将该热电回路集成在发光器件的电极上，通过读取电信号从而精确获知发光像素的温度，达到直接测量微米尺度下像素温度的目的。附图说明图1为现有技术中的QLED器件结构示意图。图2为本专利技术提供的温度测量装置第一实施例的结构示意图。图3为本专利技术提供的温度测量装置第二实施例的结构示意图。图4为本专利技术提供的温度测量装置中连接层采用的铟镓锌氧化物的热电系数-电导率图。图5为本专利技术提供的温度测量装置优选实施例中的热电电压-温差曲线图。图6为本专利技术提供的发光器件第三实施例的结构示意图。图7为本专利技术提供的发光器件第四实施例的结构示意图。图8为本专利技术提供的显示阵列的部分电路示意图。具体实施方式鉴于现有技术无法直接测量发光像素温度等缺点，本专利技术的目的一种温度测量装置、发光器件及显示阵列，通过若干薄膜层组成一热电回路，能将该热电回路集成在发光器件的电极上，通过读取电信号从而精确获知发光像素的温度，达到直接测量微米尺度下像素温度的目的。为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参阅图2，本专利技术提供的温度测量装置包括第一电极层1、连接层2和第二电极层3，所述连接层2的一端覆盖在所述第一电极层1上，所述第二电极层3覆盖在所述连接层2的另一端上，所述第一电极层1和第二电极层3之间还连接设置有电压测量装置10，根据第一电极层1和第二电极层3之间的电压值以及第二电极层3处的温度值得出第一电极层1处的温度值。本专利技术通过若干薄膜层组成一热电回路，通过读取电信号从而精确获知发光像素的温度，达到了直接测量微米尺度下像素温度的目的具体地，所述第一电极层1为热电系数较低的、具有金属级别导电率和导热率的材料，其包括但不限于为金、银、铜、钽、铅、铝、碳、铂等金属材料，且第一电极层1可为上述一种金属材料制备而成的单一电极层或至少两种金属材料制备而成复合电极层。类似地，所述第二电极层3同样为热电系本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种温度测量装置，其特征在于，包括第一电极层、连接层和第二电极层，所述连接层的一端覆盖在所述第一电极层上，所述第二电极层覆盖在所述连接层的另一端上，所述第一电极层和第二电极层之间还连接设置有电压测量装置，根据第一电极层和第二电极层之间的电压值以及第二电极层处的温度值得出第一电极层处的温度值。

【技术特征摘要】
1.一种温度测量装置，其特征在于，包括第一电极层、连接层和第二电极层，所述连接层的一端覆盖在所述第一电极层上，所述第二电极层覆盖在所述连接层的另一端上，所述第一电极层和第二电极层之间还连接设置有电压测量装置，根据第一电极层和第二电极层之间的电压值以及第二电极层处的温度值得出第一电极层处的温度值。2.根据权利要求1所述的温度测量装置，其特征在于，所述连接层的热电系数大于第一电极层、第二电极层的热电系数。3.根据权利要求1所述的温度测量装置，其特征在于，所述连接层为单层结构或多层结构。4.根据权利要求3所述的温度测量装置，其特征在于，所述多层结构包括若干个周期的第一半导体层/第二半导体层，所述第一半导体层与第二半导体层间隔设置。5.根据权利要求4所述的温度测量装置，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈崧，钱磊，杨一行，曹蔚然，向超宇，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44