【技术实现步骤摘要】
半导体器件封装和半导体设备相关申请的交叉引用本公开要求2017年4月26日在韩国知识产权局提交的题为“SemiconductorDevicePackageandMethodforFabricatingtheSame”的韩国专利申请No.10-2017-0053633的优先权,其全部公开通过引用合并于此。
本文所述的一个或多个实施例涉及一种半导体器件封装和用于制造半导体器件封装的方法。
技术介绍
减小电子器件的大小仍然是系统设计人员的目标。一种减小电子器件大小的方法是减小这些器件中的半导体器件封装的厚度。减小半导体器件封装的厚度带来了这些封装中半导体芯片所产生的热量的有效散逸的问题。
技术实现思路
根据一个或多个实施例,一种半导体器件封装包括:第一半导体封装,所述第一半导体封装包括第一半导体封装衬底和第一半导体芯片;第二半导体封装,所述第二半导体封装包括第二半导体封装衬底和第二半导体芯片;以及内插板,位于所述第一半导体封装和所述第二半导体封装之间以将所述第一半导体封装电连接到所述第二半导体封装,其中所述内插板包括穿过所述内插板的第一内插板孔,并且其中所述第一半导体芯片包括第一部分和从第一部分突出并插入到所述第一内插板孔中的第二部分。根据一个或多个其他实施例,一种半导体器件封装包括:第一半导体封装,所述的一半导体封装包括第一半导体封装衬底和第一半导体芯片,所述第一半导体芯片包括第一部分和从所述第一部分突出的第二部分;第二半导体封装,所述第二半导体封装包括第二半导体封装衬底和第二半导体芯片;内插板,位于所述第一半导体封装和所述第二半导体封装之间,所述内插板包括暴露所 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件封装,包括:第一半导体封装,包括第一半导体封装衬底和第一半导体芯片;第二半导体封装,包括第二半导体封装衬底和第二半导体芯片;以及内插板,位于所述第一半导体封装和所述第二半导体封装之间以将所述第一半导体封装电连接到所述第二半导体封装,其中所述内插板包括穿过所述内插板的第一内插板孔,并且其中所述第一半导体芯片包括第一部分和从第一部分突出并插入到所述第一内插板孔中的第二部分。
【技术特征摘要】
2017.04.26 KR 10-2017-00536331.一种半导体器件封装,包括:第一半导体封装,包括第一半导体封装衬底和第一半导体芯片;第二半导体封装,包括第二半导体封装衬底和第二半导体芯片;以及内插板,位于所述第一半导体封装和所述第二半导体封装之间以将所述第一半导体封装电连接到所述第二半导体封装,其中所述内插板包括穿过所述内插板的第一内插板孔,并且其中所述第一半导体芯片包括第一部分和从第一部分突出并插入到所述第一内插板孔中的第二部分。2.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中:所述内插板包括位于所述内插板上的连接器,所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度,以及所述第一部分的一部分与所述连接器重叠。3.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中:所述第二半导体封装位于所述第一半导体封装上,并且所述第一部分位于所述第二部分与所述第一半导体封装衬底之间。4.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中:所述第一半导体封装位于所述第二半导体封装上,所述第一半导体封装衬底包括穿过所述第一半导体封装衬底的第一衬底孔,所述第二部分通过所述第一衬底孔插入到所述第一内插板孔中,以及所述第二部分位于所述第一部分和所述第二半导体芯片之间。5.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中:所述第二半导体封装位于所述第一半导体封装上,所述第二半导体封装衬底包括穿过所述第二半导体封装衬底的至少一部分的第二衬底孔,所述第一半导体芯片的所述第二部分包括要插入到所述第一内插板孔中的部分和要插入到所述第二衬底孔中的部分,以及要插入到所述第一内插板孔中的部分和要插入到所述第二衬底孔中的部分位于所述第一部分和所述第二半导体芯片之间。6.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中:所述第二半导体封装位于所述第一半导体封装上,所述第二半导体封装衬底包括穿过所述第二半导体封装衬底的第二衬底孔,所述第二半导体芯片包括第三部分和从所述第三部分突出并插入到所述第二衬底孔中的第四部分,所述第三部分的宽度大于所述第四部分的宽度,以及所述第二部分位于所述第四部分和所述第一部分之间。7.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中:所述第一半导体封装包括与所述第一半导体芯片间隔开的第三半导体芯片,以及所述第三半导体芯片的一部分没有插入到所述内插板中。8.根据权利要求7所述的半导体器件封装,其中:第一半导体封装衬底包括第一腔体和与所述第一腔体间隔开的第二腔体,所述第一部分位于所述第一腔体中,所述第三半导体芯片位于所述第二腔体中,以及所述第三半导体芯片的一部分没有插入到所述内插板中。9.根据权利要求1所述的半导体器件封装,还包括:第三半导体封装,包括第三半导体封装衬底和第四半导体芯片,所述第三半导体封装与所述第一半导体封装和所述第二半导体封...
【专利技术属性】
技术研发人员:任允赫,李稀裼,申宅均,赵汊济,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。