封装结构制造技术

本发明专利技术提供了一种封装结构，其包括重分布层以及晶粒。重分布层包括开关电路部与重分布部，开关电路部包括晶体管，重分布部邻近于开关电路部，晶粒重迭于重分布部的至少一部分，其中晶体管电连接晶粒。

【技术实现步骤摘要】
封装结构
本专利技术涉及一种封装结构，特别是涉及一种重分布层中设置有晶体管的封装结构。
技术介绍
随着电子产品的演进与发展，电子产品在现今社会中已成为不可或缺的物品，其中芯片(Chip)更是广泛应用于电子产品中。而在晶粒(Die)制造完成后，为了保护晶粒使其减少结构上的伤害，会对晶粒进行封装工艺以形成芯片，并且，还可在封装的同时通过设置导电膜层使晶粒电连接至外部组件(例如连接晶粒各接合垫的连接垫)的路径更加弹性。然而，随着封装结构的日益缩小以及芯片功能的复杂度日益提升，如何同时达到封装结构的微缩以及准确的在晶粒完成封装前可先完成测试是产业界的一大课题。
技术实现思路
在一实施例中，本专利技术提供了一种封装结构，其包括重分布层(redistributionlayer,RDL)以及晶粒(die)。重分布层包括开关电路部与重分布部，开关电路部包括晶体管，重分布部邻近于开关电路部，晶粒重迭于重分布部的至少一部分，其中晶体管电连接晶粒。在另一实施例中，本专利技术提供了一种封装结构，其包括晶粒、第一晶体管、第二晶体管、第一控制端、第二控制端以及至少一输入/输出端。晶粒包括多个晶粒端，其中晶粒端包含第一晶粒端以及第二晶粒端。第一晶体管包括开关控制端、第一端以及第二端，其中第一晶体管的第一端电连接到第一晶粒端。第二晶体管包括开关控制端、第一端以及第二端，其中第二晶体管的第一端电连接到第二晶粒端。第一控制端电连接到第一晶体管的开关控制端，第二控制端电连接到第二晶体管的开关控制端。至少一输入/输出端包含第一输入/输出端，电连接到第一晶体管的第二端与第二晶体管的第二端。附图说明图1所示为本专利技术第一实施例的封装结构的剖面示意图。图2所示为本专利技术第一实施例的封装结构的电路示意图。图3所示为本专利技术第二实施例的封装结构的剖面示意图。图4所示为本专利技术第三实施例的封装结构的剖面示意图。图5所示为本专利技术第四实施例的封装结构的剖面示意图。图6所示为本专利技术第四实施例的封装结构切除开关电路部的切面示意图。图7所示为本专利技术第五实施例的封装结构的电路示意图。图8所示为本专利技术第六实施例的封装结构的电路示意图。图9所示为本专利技术第七实施例的封装结构的电路示意图。附图标记说明：100、200、300、400、500、600、700-封装结构；110-第一绝缘层；120-第一导电层；130-第二绝缘层；140-第二导电层；150-第三绝缘层；160-第三导电层；162-导电垫；170-第四导电层；182-外部连接垫；184、184’测试连接垫；190-晶粒；192-接合垫；192a-第一晶粒端；192b-第二晶粒端；192c-第三晶粒端；192d-第四晶粒端；194-接合材料；702-静电防护电路；C-电容；C1-下电极；C2-上电极；CH-半导体通道层；CP-导电图案；CP1-第一导电图案；CP2-第二导电图案；CR1-第一控制端；CR2-第二控制端；D、D1、D2、D3、D4、D5、D6-漏极；DV-俯视方向；G、G1、G2、G3、G4、G5、G6-栅极；GO-栅极绝缘层；IO1-第一输入/输出端；IO2-第二输入/输出端；ML-封胶层；RDL-重分布层；RDP-重分布部；S、S1、S2、S3、S4、S5、S6-源极；SB-锡球；SL-半导体层；SWP-开关电路部；T-晶体管；T1-第一晶体管；T2-第二晶体管；T3-第三晶体管；T4-第四晶体管；T5-第五晶体管；T6-第六晶体管。具体实施方式为使本领域技术人员能更进一步了解本专利技术，以下特列举本专利技术的实施例，并配合附图详细说明本专利技术的构成内容及所欲达成的功效。须注意的是，附图均为简化的示意图，因此，仅显示与本专利技术有关之组件与组合关系，以对本专利技术的基本架构或实施方法提供更清楚的描述，而实际的组件与布局可能更为复杂。另外，为了方便说明，本专利技术的各附图中所示之组件并非以实际实施的数目、形状、尺寸做等比例绘制，其详细的比例可依照设计的需求进行调整。另外，当在本说明书中使用术语"包括(含)"和/或"具有"时，其指定了所述特征、区域、步骤、操作和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、区域、步骤、操作、组件和/或其组合的存在或增加。当诸如层或区域的组件被称为在另一组件(或其变型)"上"或延伸到另一组件"上"时，它可以直接在另一组件上或直接延伸到另一组件上，或者两者之间还可以存在插入的组件。另一方面，当称一组件"直接在"另一组件(或其变型)上或者"直接"延伸到另一组件"上"时，两者间不存在插入组件。并且，当一组件被称作"电连接"到另一组件(或其变型)时，它可以直接连接到另一组件或通过一或多个组件间接地连接到另一组件。请参考图1，图1所示为本专利技术第一实施例的封装结构的剖面示意图。如图1所示，本实施例的封装结构100包括重分布层(redistributionlayer)RDL以及晶粒(die)190，重分布层RDL包括重分布部(redistributionportion)RDP以及开关电路部SWP，且开关电路部SWP包括晶体管T，并邻近于重分布部RDP，举例可设置在重分布部RDP的一侧，但不以此为限。为清楚绘示封装结构100，图1仅显示一晶体管T，并举例为薄膜晶体管(thinfilmtransistor)，但本专利技术不以此为限。本专利技术的晶体管T的数量可依据不同的需求来决定，详细可参考下述不同实施例。在本实施例中，重分布部RDP与开关电路部SWP分别为重分布层RDL的不同部分，且彼此相邻，但不以此为限。晶粒190位于重分布层RDL上，并固接于重分布层RDL上，且晶粒190在重分布层RDL的俯视方向DV上重迭于重分布部RDP，其中晶粒190具有多个接合垫192。通过重分布层RDL，输入至晶粒190的信号接点或从晶粒190接收的信号接点可被重新配置或被扩大，以助于后续与晶粒190的信号连接。重分布层RDL可包括多个导电膜层与多个绝缘膜层，用以达到信号接点的重新配置或扩大的功用。在本实施例中，重分布部RDP可包括有多个导电图案CP，且导电图案CP与晶体管T是通过重分布层RDL中的导电膜层与绝缘膜层所形成，其中晶体管T是通过导电图案CP电连接到晶粒190。详细而言，在本实施例中，重分布层RDL可包括第一绝缘层110、第一导电层120、第二绝缘层130、半导体层SL以及第二导电层140，第一导电层120设置在第一绝缘层110上，第二绝缘层130设置在第一导电层120上，半导体层SL设置在第二绝缘层130上，且第二导电层140设置在第二绝缘层130上。本实施例的第二导电层140还设置在半导体层SL上，但不限于此。于变化实施例中，部分第二导电层140也可设置在半导体层SL与第二绝缘层130之间。在本实施例的图1中，开关电路部SWP的晶体管T以底栅型晶体管(bottomgatetransistor)为例，因此，晶体管T的栅极G可由第一导电层120所形成，栅极绝缘层GO可由第二绝缘层130所形成，半导体通道层CH可由半导体层SL所形成，而源极S与漏极D可由第二导电层140所形成，但形成膜层与晶体管T类型不以此为限。在变化实施例中，开关电路部SWP的晶体管T可为其他类型的晶体管，例如可为顶栅型晶体管(topgatetransistor)。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：一重分布层，包括：一开关电路部，包括一晶体管；以及一重分布部，邻近于所述开关电路部；以及一晶粒，重迭于所述重分布部，其中所述晶体管电连接所述晶粒。

【技术特征摘要】
2017.05.05 US 62/501,7581.一种封装结构，其特征在于，包括：一重分布层，包括：一开关电路部，包括一晶体管；以及一重分布部，邻近于所述开关电路部；以及一晶粒，重迭于所述重分布部，其中所述晶体管电连接所述晶粒。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述重分布部包括多个导电图案，且所述晶体管包括：一绝缘层；一半导体层，设置于所述绝缘层上；一导电层，设置于所述绝缘层上；其中所述重分布部的所述导电图案的其中至少之一包括与所述导电层相同的材料。3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述重分布部的所述导电图案的其中至少之一与所述半导体层为相同的材料。4.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述半导体层的厚度不同于所述导电图案的其中之一的厚度。5.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述开关电路部还包括一被动元件。6.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述被动元件为一电容，所述电容具有一电极，且所述电极的材料包括所述导电层的材料。7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述重分布部包括多个导电图案，且所述晶体管包括：一导电层；一绝缘层，设置于所述导电层上；一半导体层，设置于所述绝缘层上；其中所述重分布部的所述导电图案的其中至少之一包括与所述导电层相同的材料。8.如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述重分布部的所述导电图案的其中至少之一与所述导电层为同一膜层。9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述晶粒重迭于所述开关电路部。10.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括一封胶层，封胶层覆盖于所述晶粒与所述重分布部上。11.如权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述封胶层覆盖于所述开关电路部上。12.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该重分布部还包括多个导电垫，多个导电垫面对所述晶粒设置，用以与所述晶粒接合。13.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述开关电路部还包括一静电防护电路，且所述静电防护电路包括所述晶体管。14.一种封装结构，其特征在于，包括：一晶粒，包括多个晶粒端，其中所述晶粒端包含一第一晶粒端以及一第二晶粒端；一第一晶体管，包括一开关控制端、一第一端以及一第二端，其中所述第一晶体管的所述第一端电连接到所述第一晶粒端；一第二晶体管，包括一开关控制端、一第一端以及一第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：林宜宏，卢建彰，吴震乙，宋立伟，王程麒，丁景隆，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71