微同轴结构的制备方法及微同轴结构技术

本发明专利技术适用于半导体技术领域，提供了一种微同轴结构的制备方法及微同轴结构，微同轴结构的制备方法包括：制备第一结构，制备第二结构，连接所述第一结构和所述第二结构，其中，所述第一结构的外导体中层外墙层与所述第二结构的外导体上层外墙层接触，最后去除第一结构的第一衬底和第二结构的第二衬底，从而制备出微同轴结构。本发明专利技术能够提高成品率、降低工艺难度，并缩短工艺周期。

【技术实现步骤摘要】
微同轴结构的制备方法及微同轴结构
本专利技术属于半导体
，尤其涉及微同轴结构的制备方法及微同轴结构。
技术介绍
为适应小型化和多功能化发展，电子器件都在向三维结构发展。对于三维器件结构的实现，芯片封装级技术手段很多且技术较为成熟，如芯片堆叠配合键合，芯片倒装，芯片键合等。对于芯片封装领域，在毫米波及太赫兹频段，对于信号的传输损耗、隔离度以及集成度方面都有较高要求。空气矩形微同轴结构在以上方面都具有独特的优势。现有的制备空气矩形微同轴结构的方法是通过串行工艺，通过光刻图形、电镀、平坦化等工艺步骤依次制作微同轴结构中的多层结构，这种方法制备的微同轴结构的成品率很低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种微同轴结构的制备方法及微同轴结构，以解决现有技术中微同轴结构成品率低的问题。本专利技术实施例的第一方面提供了一种微同轴结构的制备方法，包括：制备第一结构，所述第一结构包括第一衬底，所述第一衬底上表面设有外导体底层，所述外导体底层的上表面依次设有外导体下层外墙层和外导体中层外墙层，所述外导体下层外墙层与所述外导体中层外墙层之间设有预设数量的内导体下层支撑层；所述内导体下层支撑层的上表面设有内导体层；制备第二结构，所述第二结构包括第二衬底，所述第二衬底的上表面设有外导体顶层，所述外导体顶层的上表面设有外导体上层外墙层；连接所述第一结构和所述第二结构，其中，所述外导体中层外墙层与所述外导体上层外墙层接触；分别去除所述第一衬底和所述第二衬底。可选的，所述外导体下层外墙层包括第一侧墙和与所述第一侧墙相对的第二侧墙，所述内导体下层支撑层的一端与所述第一侧墙的上表面相连，所述内导体下层支撑层的另一端与所述第二侧墙的上表面相连。可选的，所述制备第一结构，包括：在所述第一衬底的上表面涂覆光刻胶，露出外导体底层区，并在所述外导体底层区沉积外导体底层；在沉积外导体底层后的第一衬底的上表面涂覆光刻胶，露出外导体下层外墙层区，并在所述外导体下层外墙层区沉积外导体下层外墙层；在沉积外导体下层外墙层后的第一衬底的上表面沉积内导体下层支撑层；在沉积内导体下层支撑层后的第一衬底的上表面涂覆光刻胶，露出外导体中层外墙层区和内导体层区，并在所述外导体中层外墙层区沉积外导体中层外墙层，在所述内导体层区沉积内导体层；去除光刻胶。可选的，所述制备第二结构，包括：在所述第二衬底的上表面涂覆光刻胶，露出外导体顶层区，并在所述外导体顶层区沉积外导体顶层；在沉积外导体顶层后的第二衬底的上表面涂覆光刻胶，露出外导体上层外墙层区，并在所述外导体上层外墙层区沉积外导体上层外墙层；去除光刻胶。可选的，所述在沉积外导体底层后的第一衬底的上表面涂覆光刻胶之前，还包括：进行平坦化处理；所述在沉积外导体下层外墙层后的第一衬底的上表面沉积内导体下层支撑层之前，还包括：进行平坦化处理；去除光刻胶之前，还包括：进行平坦化处理。可选的，所述在沉积外导体顶层后的第二衬底的上表面涂覆光刻胶之前，还包括：进行平坦化处理；去除光刻胶之前，还包括：进行平坦化处理。可选的，所述第一衬底与所述外导体底层之间还设有第一种子层；所述在所述第一衬底的上表面涂覆光刻胶，露出外导体底层区，并在所述外导体底层区沉积外导体底层，包括：在所述第一衬底的上表面沉积第一种子层，在所述第一种子层的上表面涂覆光刻胶，露出外导体底层区，并在所述外导体底层区电镀外导体底层；去除所述第一衬底，包括：去除所述第一衬底和所述第一种子层。可选的，所述第二衬底与所述外导体顶层之间还设有第二种子层；所述在所述第二衬底上表面涂覆光刻胶，露出外导体顶层区，并在所述外导体顶层区沉积外导体顶层，包括：在所述第二衬底上表面沉积第二种子层，在所述第二种子层的上表面涂覆光刻胶，露出外导体顶层区，并在所述外导体顶层区电镀外导体顶层；去除所述第二衬底，包括：去除所述第二衬底和所述第二种子层。可选的，所述分别去除所述第一衬底和所述第二衬底，包括：将所述第一衬底与所述外导体底层剥离；将所述第二衬底与所述外导体顶层剥离。本专利技术实施例第二方面提供了一种微同轴结构，通过如本专利技术实施例第一方面所述的微同轴结构的制备方法制备得到。本专利技术实施例与现有技术相比存在的有益效果是：本专利技术实施例通过在第一衬底上制备第一结构，在第二衬底上制备第二结构，并将第一结构与第二结构连接在一起，使第一结构的外导体中层外墙层与第二结构的外导体上层外墙层接触，最后去除第一结构的第一衬底和第二结构的第二衬底，从而制备出微同轴结构，能够提高成品率、降低工艺难度，并缩短工艺周期。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例一提供的微同轴结构的制备方法的实现流程示意图；图2是本专利技术实施例一提供的第一结构的结构剖视图；图3是本专利技术实施例一提供的第二结构的结构剖视图；图4是本专利技术实施例一提供的第一结构与第二结构连接后的结构剖视图；图5是本专利技术实施例一提供的微同轴结构的结构剖视图；图6是本专利技术实施例一提供的微同轴结构制备方法中的一个步骤的结构示意图；图7是本专利技术实施例一提供的微同轴结构制备方法中的一个步骤的结构示意图；图8是本专利技术实施例一提供的微同轴结构制备方法中的一个步骤的结构示意图；图9是本专利技术实施例一提供的微同轴结构制备方法中的一个步骤的结构示意图；图10是本专利技术实施例一提供的微同轴结构制备方法中的一个步骤的结构示意图；图11是本专利技术实施例一提供的微同轴结构制备方法中的一个步骤的结构示意图；图12是本专利技术实施例一提供的微同轴结构制备方法中的一个步骤的结构示意图；图13是本专利技术实施例一提供的第一结构的结构剖视图。具体实施方式以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本专利技术实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本专利技术。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本专利技术的描述。为了说明本专利技术所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。微同轴结构包括外导体层、内导体层和用来支撑内导体的内导体下层支撑层，外导体层与内导体层之间具有一定间隔，且设置在内导体层周围，内导体下层支撑层与内导体层接触，且封装在外导体层之内。为便于描述，本专利技术实施例将外导体层分为外导体底层、外导体下层外墙层、外导体中层外墙层、外导体上层外墙层和外导体顶层，它们共同构成外导体层。实施例一请参考图1，微同轴结构的制备方法，包括：步骤S101，制备第一结构，所述第一结构包括第一衬底，所述第一衬底上表面设有外导体底层，所述外导体底层的上表面依次设有外导体下层外墙层和外导体中层外墙层，所述外导体下层外墙层与所述外导体中层外墙层之间设有预设数量的内导体下层支撑层；所述内导体下层支撑层的上表面设有内导体层层。在本专利技术实施例中，如图2所示，第一衬底101的材质包括但不限于陶瓷、半导体、金属和聚合物，且第一衬底101的表面经过机械研磨或化学机械抛光处理，以便于后续工艺中进行平本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微同轴结构的制备方法，其特征在于，包括：制备第一结构，所述第一结构包括第一衬底，所述第一衬底上表面设有外导体底层，所述外导体底层的上表面依次设有外导体下层外墙层和外导体中层外墙层，所述外导体下层外墙层与所述外导体中层外墙层之间设有预设数量的内导体下层支撑层；所述内导体下层支撑层的上表面设有内导体层；制备第二结构，所述第二结构包括第二衬底，所述第二衬底的上表面设有外导体顶层，所述外导体顶层的上表面设有外导体上层外墙层；连接所述第一结构和所述第二结构，其中，所述外导体中层外墙层与所述外导体上层外墙层接触；分别去除所述第一衬底和所述第二衬底。

【技术特征摘要】
1.一种微同轴结构的制备方法，其特征在于，包括：制备第一结构，所述第一结构包括第一衬底，所述第一衬底上表面设有外导体底层，所述外导体底层的上表面依次设有外导体下层外墙层和外导体中层外墙层，所述外导体下层外墙层与所述外导体中层外墙层之间设有预设数量的内导体下层支撑层；所述内导体下层支撑层的上表面设有内导体层；制备第二结构，所述第二结构包括第二衬底，所述第二衬底的上表面设有外导体顶层，所述外导体顶层的上表面设有外导体上层外墙层；连接所述第一结构和所述第二结构，其中，所述外导体中层外墙层与所述外导体上层外墙层接触；分别去除所述第一衬底和所述第二衬底。2.如权利要求1所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，所述外导体下层外墙层包括第一侧墙和与所述第一侧墙相对的第二侧墙，所述内导体下层支撑层的一端与所述第一侧墙的上表面相连，所述内导体下层支撑层的另一端与所述第二侧墙的上表面相连。3.如权利要求1所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，所述制备第一结构，包括：在所述第一衬底的上表面涂覆光刻胶，露出外导体底层区，并在所述外导体底层区沉积外导体底层；在沉积外导体底层后的第一衬底的上表面涂覆光刻胶，露出外导体下层外墙层区，并在所述外导体下层外墙层区沉积外导体下层外墙层；在沉积外导体下层外墙层后的第一衬底的上表面沉积内导体下层支撑层；在沉积内导体下层支撑层后的第一衬底的上表面涂覆光刻胶，露出外导体中层外墙层区和内导体层区，并在所述外导体中层外墙层区沉积外导体中层外墙层，在所述内导体层区沉积内导体层；去除光刻胶。4.如权利要求1所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，所述制备第二结构，包括：在所述第二衬底的上表面涂覆光刻胶，露出外导体顶层区，并在所述外导体顶层区沉积外导体顶层；在沉积外导体顶层后的第二衬底的上表面涂覆光刻胶，露出外导体上层外墙层区，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：史光华，徐达，常青松，周彪，王健，杨阳阳，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北,13