可挠性电子装置及其制造方法制造方法及图纸

一种可挠性电子装置，包括可挠性基板、导线结构以及弹性层。可挠性基板具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。可挠性基板的第二表面上包括多个沟渠。导线结构位于可挠性基板的第一表面上。弹性层填充于可挠性基板的沟渠内。弹性层的杨氏模量小于可挠性基板的杨氏模量。另提出一种可挠性电子装置的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
可挠性电子装置及其制造方法
本专利技术涉及一种电子装置及其制造方法，且特别涉及一种可挠性(柔性)电子装置及其制造方法。
技术介绍
随着电子技术的高度发展，电子产品不断推陈出新。电子产品为了可应用于不同领域，可挠曲、轻薄以及外型不受限的特性逐渐受到重视。也就是说，电子产品逐渐被要求需要依据不同的应用方式以及应用环境而有不同的外型，且常因为使用者需求而需被加以挠曲或弯曲。然而，在可挠式电子产品在挠曲或弯曲的状态下，有可能会因为应力而造成结构上的断裂，而可能进一步造成内部线路的断路。因此，如何使可挠式电子产品仍具有良好的制造良率(yield)及产品可靠度(reliability)，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种可挠性电子装置及其制造方法，具有较佳的良率或可靠度。本专利技术的可挠性电子装置包括可挠性基板、导线结构以及弹性层。可挠性基板具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面，且可挠性基板的第二表面上包括多个沟渠。导线结构位于可挠性基板的第一表面上。弹性层填充于可挠性基板的沟渠内，且弹性层的杨氏模量(Young'sModulus)小于可挠性基板的杨氏模量。本专利技术的可挠性电子装置的制造方法包括以下步骤。提供载板。于载板上形成离形层。于离形层上形成具有图案化的弹性层。弹性层为具有第一延伸方向且彼此平行的多个细长条状。于离形层上形成可挠性基板。可挠性基板包覆弹性层，且弹性层的杨氏模量小于可挠性基板的杨氏模量。于可挠性基板上形成图案化介电层，图案化介电层具有第一延伸方向的凹槽。于可挠性基板上形成导线结构于凹槽内并跨过凹槽两端。导线结构具有第二延伸方向，且第一延伸方向不同于第二延伸方向。分离载板和可挠性基板。基于上述，在本专利技术的可挠性电子装置中，可挠性基板具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。可挠性基板在第二表面上具有沟渠，以降低位于可挠性基板的第一表面上的膜层或构件因应力而造成损坏的可能。另外，可挠性基板的沟渠内可以填入弹性层，以降低可挠性基板损坏的可能。如此一来，可以提升可挠性电子装置的挠曲性，也可以提升可挠性电子装置的良率或可靠度。附图说明图1A至图1F是依照本专利技术的第一实施例的一种可挠性电子装置的制造方法的部分剖面示意图。图1G为图1E的部分俯视图。图1H为图1F的部分俯视图。图1I是沿图1H中剖线A-A’的剖面示意图。图2A是依照本专利技术的第二实施例的一种可挠性电子装置的部分俯视图。图2B是沿图2A中剖线B-B’的剖面示意图。图2C是沿图2A中剖线C-C’的剖面示意图。图3A是依照本专利技术的第三实施例的一种可挠性电子装置的部分俯视图。图3B是沿图3A中剖线D-D’的剖面示意图。图3C是沿图3A中剖线E-E’的剖面示意图。图4A是依照本专利技术的第四实施例的一种可挠性电子装置的部分俯视图。图4B是沿图4A中剖线F-F’的剖面示意图。图5A至图5D是依照本专利技术的第五实施例的一种可挠性电子装置的制造方法的部分剖面示意图。图6A是依照本专利技术的第一比较例的部分剖面示意图。图6B是图6A的第一比较例的应力分布图。图7A是依照本专利技术的第二比较例的部分剖面示意图。图7B是图7A的第二比较例的应力分布图。图8A是依照本专利技术的第一测试例的部分剖面示意图。图8B是图8A的第一测试例的应力分布图。图9A是依照本专利技术的第二测试例的部分剖面示意图。图9B是图9A的第二测试例的应力分布图。附图标记说明：100、200、300、400、500：可挠性电子装置10：载板11：图案化光刻胶层12：离型层110、110'：可挠性基板110a：第一表面110b、110'b：第二表面110c：基板厚度111：沟渠111a：沟渠深度111b：沟渠宽度111c：沟渠间距112：元件区113：可弯折区114：周边区120：弹性层121：条状结构120a：第一延伸方向120'：硬质材料130：介电层130a：第一部分130b：最小厚度130c：第二部分130d：最小厚度131：第一介电层132：第二介电层133：第三介电层134：第四介电层140：主动元件141：半导体层141S：源极区141D：漏极区142：闸介电层G：栅极S：源极D：漏极O1：第一开口O2：第一开口O3：第三开口O4：第四开口20：第一绝缘层30：导电层40：第二绝缘层41：绝缘表面150：凹槽151：底部160、260、360、460：导线结构160a、460：第二延伸方向261、361：条型导线262、362：转折点263、363：相交点461：弯曲型导线462：鞍点463：反曲点50：第三绝缘层61：第一保护层62：第二保护层171：第一电极172：第二电极70：电子装置71：保护膜R1、R2：区域X、Y、Z：方向P1、P2、P3、P4：最大应力处P3'、P4'：局部应力最大处具体实施方式为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例，而不脱离本专利技术的精神或范围。在附图中，为了清楚起见，放大了各元件等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在“另一元件上”、或“连接到另一元件”、“重叠于另一元件”时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电连接。应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非内容清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在包括多个形式，包括“至少一个”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的，术语“及/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”及/或“包括”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一个或多个其它特征、区域整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。此外，诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将被定向在其他元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向，取决于附图的特定取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“下方”的元件将被定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。本文使用的“约”、“实质上”、或“近似”包括所述值和在本领域普通技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可挠性电子装置，包括：一可挠性基板，具有一第一表面以及相对于该第一表面的一第二表面，且该可挠性基板的该第二表面上包括多个沟渠；一导线结构，位于该可挠性基板的该第一表面上；以及一弹性层，填充于该可挠性基板的该些沟渠内，且该弹性层的杨氏模量小于该可挠性基板的杨氏模量。

【技术特征摘要】
2018.03.16 TW 1071091781.一种可挠性电子装置，包括：一可挠性基板，具有一第一表面以及相对于该第一表面的一第二表面，且该可挠性基板的该第二表面上包括多个沟渠；一导线结构，位于该可挠性基板的该第一表面上；以及一弹性层，填充于该可挠性基板的该些沟渠内，且该弹性层的杨氏模量小于该可挠性基板的杨氏模量。2.如权利要求1所述的可挠性电子装置，其中相邻的该些沟渠之间的间距大于或等于5微米，该些沟渠的宽度大于或等于2微米。3.如权利要求1所述的可挠性电子装置，其中该些沟渠的深度小于该可挠性基板的厚度。4.如权利要求1所述的可挠性电子装置，其中该些沟渠具有一第一延伸方向，该导线结构具有一第二延伸方向，且该第二延伸方向垂直于该第一延伸方向。5.如权利要求4所述的可挠性电子装置，其中该导线结构包括相连于多个接点的多个条型导线，且于该可挠性基板的一垂直方向上该些接点与该弹性层不重叠。6.如权利要求4所述的可挠性电子装置，其中该些沟渠具有一第一延伸方向，该导线结构包括一弯曲型导线，且该弯曲型导线沿该第二延伸方向上具有多个反曲点。7.如权利要求4所述的可挠性电子装置，其中该可挠性基板具有一可弯折区以及与该可弯折区相接的一元件区，该可弯折区具有与该些沟渠相同的该第一延伸方向，该导线结构自该元件区延伸至该可弯折区，且该可挠性电子装置还包括：一介电层，位于该导线结构和该可挠性基板之间，该介电层为单层或多层结构；以及一主动元件，位于该介电层上且与该导线结构电性连接，且该主动元件对应于该可挠性基板的该元件区设置。8.如权利要求7所述的可挠性电子装置，其中该介电层包括一第一部分以及一第二部分，该第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧翔允，林恭正，许庭毓，江丞伟，陈佳楷，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71