【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法本申请是基于2014年4月16日提交的、申请号为201410151913.3、专利技术创造名称为“半导体器件及其制造方法”的中国专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求于2013年7月15日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2013-0082936的优先权,其内容全文以引用方式并入本文中。
本专利技术构思的示例性实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
随着半导体制造商减小半导体器件的几何形状以便继续在越来越小的封装件中提供更多的功能和性能,减小的特征尺寸可影响半导体器件的性能。例如,MOS器件的栅极区的尺寸可减小,并且因此形成在栅极区的相对侧部的源极与漏极区之间的距离也将减小。这种减小可影响这种器件的多种性能特征。
技术实现思路
根据本专利技术构思的原理的示例性实施例包括一种半导体器件,其包括:衬底,其包括第一有源区、第二有源区和在所述第一有源区和所述第二有源区之间并直接接触所述第一有源区和所述第二有源区的场区;以及栅极结构,其形成在所述衬底上,以跨越所述第一有源区、所述第二有源区和所述场区,其中所述栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极,其中所述p型金属栅电极形成在所述第一有源区上,并且所述n型金属栅电极形成在所述第二有源区上,并且其中所述p型金属栅电极和所述n型金属栅电极之间的接触表面更靠近所述第一有源区而非所述第二有源区。根据本专利技术构思的原理的示例性实施例包括一种半导体器件,其中所述场区具有与所述第一有源区和所述第二有源区等距间隔开的中心线,并且所述p型金属栅电极没有延伸至所述中心线 ...
【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括步骤:形成设置在衬底上或上方且包括沟槽的层间介电层,所述衬底包括第一鳍型有源图案、第二鳍型有源图案和场图案,所述场图案设置在所述第一鳍型有源图案与所述第二鳍型有源图案之间,所述场图案直接接触所述第一鳍型有源图案和所述第二鳍型有源图案两者;沿着所述沟槽的侧壁和底表面形成栅极介电层;在所述栅极介电层上形成预栅电极,所述预栅电极填充所述沟槽并设置在所述层间介电层的顶表面上;以及暴露所述层间介电层的顶表面以在所述沟槽中形成栅极结构,其中,所述栅极结构包括位于所述第一鳍型有源图案上或上方的p型金属栅电极以及位于所述第二鳍型有源图案上或上方的n型金属栅电极,所述p型金属栅电极与所述n型金属栅电极直接接触,并且所述p型金属栅电极与所述n型金属栅电极之间的接触表面更靠近所述第一鳍型有源图案而非所述第二鳍型有源图案。
【技术特征摘要】
2013.07.15 KR 10-2013-00829361.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括步骤:形成设置在衬底上或上方且包括沟槽的层间介电层,所述衬底包括第一鳍型有源图案、第二鳍型有源图案和场图案,所述场图案设置在所述第一鳍型有源图案与所述第二鳍型有源图案之间,所述场图案直接接触所述第一鳍型有源图案和所述第二鳍型有源图案两者;沿着所述沟槽的侧壁和底表面形成栅极介电层;在所述栅极介电层上形成预栅电极,所述预栅电极填充所述沟槽并设置在所述层间介电层的顶表面上;以及暴露所述层间介电层的顶表面以在所述沟槽中形成栅极结构,其中,所述栅极结构包括位于所述第一鳍型有源图案上或上方的p型金属栅电极以及位于所述第二鳍型有源图案上或上方的n型金属栅电极,所述p型金属栅电极与所述n型金属栅电极直接接触,并且所述p型金属栅电极与所述n型金属栅电极之间的接触表面更靠近所述第一鳍型有源图案而非所述第二鳍型有源图案。2.根据权利要求1所述的方法,其中,形成预栅电极的步骤包括:形成与所述第一鳍型有源图案重叠的预导电衬垫;以及在所述预导电衬垫上形成预填充层。3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述预导电衬垫沿着所述场图案的顶表面的一部分延伸。4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述栅极结构包括位于所述第一鳍型有源图案上的导电衬垫以及形成在所述导电衬垫上并与所述第一鳍型有源图案和所述第二鳍型有源图案交叉的填充电极,并且所述第一鳍型有源图案上的填充电极的深度小于所述第二鳍型有源图案上的填充电极的深度。5.根据权利要求1所述的方法,其中,暴露所述层间介电层的顶表面的步骤包括:去除所述层间介电层的顶表面上的栅极介电层。6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述接触表面设置在所述场图案上或上方。7.根据权利要求1所述的方法,其中,暴露所述层间介电层的顶表面的步骤包括:去除所述层间介电层的顶表面上的预栅电极。8.根据权利要求1所述的方法,其中,沿着所述沟槽的侧壁延伸的栅极介电层不直接接触所述层间介电层。9.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括步骤:形成设置在衬底上或上方且包括沟槽的层间介电层,所述衬底包括第一鳍型有源图案、第二鳍型有源图案和场图案,所述场图案设置在所述第一鳍型有源图案与所述第二鳍型有源图案之间,所述场图案直接接触所述第一鳍型有源图案和所述第二鳍型有源图案两者;沿着所述沟槽的侧壁和底表面形成栅极介电层;在所述栅极介电层上形成预栅电极,所述预栅电极填充所述沟槽并设置在所述层间介电层的顶表面上;以及暴露所述层间介电层的顶表面以在所述沟槽中形成栅极结构,其中,所述栅极结构包括导电衬垫和电极层,所述导电衬垫与所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:金柱然,张亨淳,尹钟密,河泰元,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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