电路编码方法与电路架构的辨识方法技术

本发明专利技术揭露了电路编码方法与电路架构的辨识方法。电路编码方法应用于一电路的电路架构辨识流程。电路编码方法包含：将该电路所有电晶体逐一选取为目标电晶体；当该目标电晶体的一端点电性连接(DC Connect)该电压源或接地埠，将该端点的一端点值加上一第一数值；当该目标电晶体的该端点电性连接该电压源及该参考电压以外的端点，将该端点的该端点值加上一第二数值；以及以该目标电晶体的复数个端点值的集合作为该目标电晶体的一电晶体特征码。

【技术实现步骤摘要】
电路编码方法与电路架构的辨识方法
本专利技术关于电路设计，尤其是关于电路编码与辨识方法。
技术介绍
现今的电路设计大都在电子设计自动化(ElectronicDesignAutomation,EDA)及电脑辅助设计(Computer-AidedDesign,CAD)的协助下完成。当想要从一个电路的元件连线关系描述档(例如以积体电路为重点的模拟程式(SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis,以下简称SPICE)所产出的电路网表(netlist))辨识电路的架构时，通常根据元件连线关系描述档建立电路的架构阶层树(hierarchytree)，并且以递回(recursive)方法找出架构阶层树的分支所对应的子电路，之后再对子电路进行比对。此方法缺点是建立架构阶层树及递回方法耗时。
技术实现思路
鉴于先前技术的不足，本专利技术之一目的在于提供一种电路编码方法与电路架构的辨识方法。本专利技术揭露一种电路架构的辨识方法，应用于一元件连线关系描述档，该元件连线关系描述档对应一电路并记录该电路的复数个电晶体的连接关系。该方法包含：对各电晶体产生一电晶体特征码，该电晶体特征码与各电晶体及电压源(power)、接地埠(ground)的连接关系有关；依据该些电晶体的子电路宣告(例如SPICE的「Subckt」)、汲极或源极电性连线将该电路划分为复数个电晶体群组；依据各电晶体群组的复数个电晶体的电晶体特征码，对各电晶体群组产生一电晶体群组特征码；将该些电晶体群组特征码与一预设群组特征码做比对；以及当该些电晶体群组特征码的一目标电晶体群组特征码等于该预设群组特征码，将对应于该目标电晶体群组特征码的一目标电晶体群组辨识为对应于该预设群组特征码的一预设子电路架构。本专利技术另揭露一种电路编码方法，应用于一电路的电路架构辨识流程。该方法包含：将该电路所有电晶体逐一选取为目标电晶体；当该目标电晶体的一端点电性连接该电压源及接地埠的其中之一，将该端点的一端点值加上一第一数值；当该目标电晶体的该端点电性连接该电压源及该参考电压以外的端点，将该端点的该端点值加上一第二数值；以及以该目标电晶体的复数个端点值的集合作为该目标电晶体的一电晶体特征码。本专利技术的电路架构的辨识方法依据电路中的汲极或源极电性连线将电路划分为复数个子电路，能够快速地对电路作初步的划分及判断。电路编码方法提供简单的编码演算法，能够快速地对电路进行编码，且有助提高电路架构的辨识方法中子电路比对的效率及准确性。相较于习知技术以递回方法找出子电路，本专利技术大幅缩短电路架构的辨识时间。有关本专利技术的特征、实作与功效，兹配合图式作实施例详细说明如下。附图说明图1为本专利技术的电路架构的辨识方法的一实施例的流程图；图2为本专利技术的编码程序的详细步骤；图3A～3C为本专利技术的一编码范例；图4为比对特征码的详细步骤的流程图；图5为本专利技术的电路划分操作的详细步骤；图6为本专利技术的电路划分操作的一个范例；图7为根据表1的编码规则来得到电晶体群组的电晶体群组特征码，以及个别电晶体的电晶体特征码的另一范例；以及图8为说明「电性连接」的示意图。【符号说明】M1～M8：电晶体；S105～S190、S210～S270、S415～S460、S510～S570：步骤。具体实施方式本专利技术的揭露内容包含电路编码方法与电路架构的辨识方法，以提升电路架构辨识的速度及准确度。以下说明内容的技术用语是参照本
的习惯用语，如本说明书对部分用语有加以说明或定义，该部分用语的解释是以本说明书的说明或定义为准。图1是本案之电路架构的辨识方法的一实施例的流程图。本案的电路架构辨识方法应用于一电路的元件连线关系描述档，元件连线关系描述档记录该电路的复数个电晶体的连接关系。电路架构的辨识方法首先对电路进行编码(步骤S105)。详言之，此步骤依据电路的复数个电晶体的连接关系对电路进行编码，编码后每个电晶体将得到一个电晶体特征码。在一个实施例中，编码程序针对一个电晶体的端点(包含闸极、源极、汲极及基体)各产生一个端点值，而该电晶体的电晶体特征码为即为该电晶体的复数个端点值的集合。每一端点的端点值依据该端点所连接的一或多个端点的种类而决定。在一个实施例中，当端点连接至一外部端点时，步骤S105给予该端点一外部数值；当端点连接至一内部端点时，步骤S105给予该端点一内部数值。外部端点例如是电路的电压源或接地埠，内部端点例如是该电晶体本身的其他端点或电路中其他电晶体的端点。表1显示端点种类与数值的对应关系的一种实施例。在这个实施例中，对应于外部端点的数值为奇数，对应于内部端点的数值为偶数。表1仅用于例示，非用于限制本专利技术。表1图2为编码程序的详细步骤，以下配合图3A～3C的编码范例说明图2的流程。图3A为一个反相器(inverter)，包含两个串接的电晶体M1及M2。首先，自电路中选取一目标电晶体(步骤S210)，例如选取M1。接下来，视目标电晶体的各个端点所电性连接的端点的种类，而将各端点的端点值(预设值为0)加上对应的数值(步骤S220及S230)。详言之，当目标电晶体的一端点电性连接电压源或参考电压(即外部端点)，将该端点的端点值加上外部数值(例如表1的数值1或3)(步骤S220)；当目标电晶体的该端点电性连接电压源及接地埠以外的端点(即内部端点)，将该端点的端点值加上内部数值(例如表1的数值2、4、6或8)(步骤S230)。步骤S220及S230的顺序可交换。举例来说，对M1而言，其汲极(D)只电性连接M2的汲极，因此编码后汲极的端点值成为2(步骤S230)；其闸极(G)只电性连接M2的闸极，因此编码后闸极的端点值成为4(步骤S230)；其源极(S)电性连接电压源及基体，因此编码后源极的端点值成为11(＝3+8)(步骤S220及S230)；其基体(B)电性连接电压源及源极，因此编码后基体的端点值为9(＝3+6)(步骤S220及S230)。接下来，依据目标电晶体为P型金氧半场效电晶体(PMOS)或N型金氧半场效电晶体(NMOS)，赋予该目标电晶体一型态码(步骤S240)。举例来说，型态码可以以(P,N)表示(P为1代表PMOS，N为1代表NMOS)，则M1的型态码(P,N)＝(1,0)，M2的型态码(P,N)＝(0,1)。目标电晶体的复数个端点值及型态码的集合即为目标电晶体的电晶体特征码(步骤S250)。如图3B所示，一个集合包含D、G、S、B、P、N等六个元素(element)，M1的电晶体特征码{D,G,S,B,P,N}＝{2,4,11,9,1,0}，M2的则为{D,G,S,B,P,N}＝{2,4,9,7,0,1}。因为图3A的电晶体群组由M1及M2构成，所以将复数个电晶体相对应的端点值及型态码相加(步骤S260)，即可以该些加总后的端点值及型态码的集合作为电晶体群组的电晶体群组特征码(步骤S270)。如图3B所示，电晶体群组特征码{D,G,S,B,P,N}＝{4,8,20,16,1,1}为M1及M2的电晶体特征码的相对应的元素加总后的结果。在另一实施例中，电晶体特征码及电晶体群组特征码仅为端点值的集合，而不包含型态码，亦即步骤S240～S270中忽略型态码，则此实施例的电晶体特征码及电晶体群组特本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电路架构的辨识方法，应用于一元件连线关系描述档，该元件连线关系描述档对应一电路并记录该电路的复数个电晶体的连接关系，该方法包含：对各电晶体产生一电晶体特征码，该电晶体特征码与各电晶体的连接关系有关；依据该些电晶体的汲极或源极电性连线将该电路划分为复数个电晶体群组；依据各电晶体群组的复数个电晶体的电晶体特征码，对各电晶体群组产生一电晶体群组特征码；将该些电晶体群组特征码与一预设群组特征码做比对；以及当该些电晶体群组特征码的一目标电晶体群组特征码等于该预设群组特征码，将对应于该目标电晶体群组特征码的一目标电晶体群组辨识为对应于该预设群组特征码的一预设子电路单元。

【技术特征摘要】
1.一种电路架构的辨识方法，应用于一元件连线关系描述档，该元件连线关系描述档对应一电路并记录该电路的复数个电晶体的连接关系，该方法包含：对各电晶体产生一电晶体特征码，该电晶体特征码与各电晶体的连接关系有关；依据该些电晶体的汲极或源极电性连线将该电路划分为复数个电晶体群组；依据各电晶体群组的复数个电晶体的电晶体特征码，对各电晶体群组产生一电晶体群组特征码；将该些电晶体群组特征码与一预设群组特征码做比对；以及当该些电晶体群组特征码的一目标电晶体群组特征码等于该预设群组特征码，将对应于该目标电晶体群组特征码的一目标电晶体群组辨识为对应于该预设群组特征码的一预设子电路单元。2.根据权利要求1所述的方法，其中，该电路是耦接一电压源及一参考电压，该对各电晶体产生该电晶体特征码的步骤包含：当该些电晶体中的一目标电晶体的一端点电性连接该电压源及该参考电压的其中之一，将该端点的一端点值加上一第一数值；以及当该目标电晶体的该端点电性连接该电压源及该参考电压以外的端点，将该端点的该端点值加上一第二数值；其中该目标电晶体的该电晶体特征码是该目标电晶体的复数个端点值的集合。3.根据权利要求2所述的方法，其中该第一数值及该第二数值的其中一者为奇数，另一者为偶数。4.根据权利要求2所述的方法，其中，该对各电晶体产生该电晶体特征码的步骤更包含：依据该目标电晶体为一N型金氧半场效电晶体或一P型金氧半场效电晶体，赋予该目标电晶体一型态码；其中，该目标电晶体的该电晶体特征码是该目标电晶体的该些端点值与该型态码的集合。5.根据权利要求1所述的方法，其中，该依据该些电晶体的复数个闸极将该电路划分为复数个电晶体群组的步骤包含：找出一第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林筠菁，李孟蓉，罗幼岚，高淑怡，刘建男，楼禹慷，林庆和，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71