一种像素电极的制备方法、像素电极和显示面板技术

本发明专利技术提供了一种像素电极的制备方法，该制备方法简单高效，成本低，可用于大规模工业化生产。本发明专利技术还提供了一种的像素电极，包括：基底，和设置在所述基底的像素区上的多个支电极，所述多个支电极包括交替间隔设置的第一支电极和第二支电极构成，所述第一支电极包括依次层叠在所述基底上的第一透明导电层和第一透明金属氧化物层，所述第二支电极包括依次层叠在所述基底上的第二透明导电层和第二透明金属氧化物层。该像素电极具有高穿透率和高解析度。本发明专利技术还提供了一种显示面板。

【技术实现步骤摘要】
一种像素电极的制备方法、像素电极和显示面板
本专利技术涉及显示面板
，尤其涉及一种像素电极的制备方法、像素电极和显示面板。
技术介绍
随着薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)的应用越来越广泛，人们对液晶显示器的显示效果(如分辨率)要求也不断提高。其中，像素电极的穿透率和解析度高低对液晶显示器的显示效果具有重要影响。受设备(例如曝光机的解析度，光阻的解析度)限制，传统工艺制备的如RGB条纹(Stripe)排列的像素电极的结构中的支电极宽度(Line)，以及支电极与支电极间的间隔宽度(Space)有限，目前的主流设计只能做到Line/Space在4/2μm～3/3μm之间，造成像素电极整体的穿透率和解析度不能更进一步地提高，严重束缚提高液晶显示器的高分辨率、高质量的显示效果。然而，使用更高解析度的曝光机和更高解析度的光阻既大大增加了生产成本，又不能大规模生产。因此，有必要提出一种像素电极的制备方法，以提高像素电极的穿透率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种像素电极的制备方法、像素电极和显示面板，该制备方法简便高效，成本低，制备得到的像素电极具有高穿透率和高解析度。第一方面，本专利技术提供了一种像素电极的制备方法，包括：提供一基底，在所述基底上依次沉积透明导电层和金属薄膜层；在所述金属薄膜层上涂布光阻材料，图案化处理并在像素区形成依次交替设置的多个第一光阻层和多个第二光阻层，所述第一光阻层的厚度小于所述第二光阻层的厚度，刻蚀非像素区的所述金属薄膜层和所述透明导电层至暴露所述基底；对所述第一光阻层和所述第二光阻层进行灰化处理，去除所述第一光阻层，并将所述第一光阻层覆盖的所述金属薄膜层氧化形成第一透明金属氧化物层；部分灰化所述第二光阻层，使所述第二光阻层两端都缩短距离X以使所述金属薄膜层部分暴露，刻蚀部分暴露的所述金属薄膜层及下方的所述透明导电层，使所述透明导电层形成交替间隔设置的第一透明导电层和第二透明导电层，所述第一透明导电层与所述第一透明金属氧化物层构成第一支电极；剥离所述部分灰化的所述第二光阻层，并将暴露的所述金属薄膜层氧化形成第二透明金属氧化物层，所述第二透明导电层与所述第二透明金属氧化物层构成第二支电极，所述第一支电极和所述第二支电极交替间隔设置，所述间隔的宽度大小为距离X。可选地，所述在所述金属薄膜层上涂布光阻材料，图案化处理并在像素区形成依次交替设置的多个第一光阻层和多个第二光阻层的过程还包括形成第三光阻层，灰化所述第三光阻层并刻蚀以形成像素边框结构和/或像素主干结构。可选地，所述第一支电极与所述第二支电极的宽度大小相等。可选地，所述第一支电极和所述第二支电极的截面形状包括矩形、平行四边形或其他形状。可选地，所述透明导电层的材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物和铟镓锌氧化物中的一种或多种。可选地，所述金属薄膜层的材质包括铝。本专利技术第一方面所述像素电极的制备方法，通过增设金属薄膜层，并通过光罩图案化处理形成依次交替设置的多个第一光阻层和多个第二光阻层，分步灰化第一光阻层和第二光阻层，经过氧化和刻蚀过程在基底的像素区形成包括交替间隔设置的第一支电极和所述第二支电极的像素电极。该制备方法简单高效，成本低，可用于大规模工业化生产；由所述制备方法制备得到像素电极具有高穿透率和高解析度。本专利技术所述制备方法制备得到像素电极中支电极间隔的宽度可达微米级(例如1微米)，甚至纳米级，所述像素电极具有高穿透率和高解析度。第二方面，本专利技术还提供了一种像素电极，包括：基底，和设置在所述基底的像素区上的多个支电极，所述多个支电极包括交替间隔设置的第一支电极和第二支电极构成，所述第一支电极包括依次层叠在所述基底上的第一透明导电层和第一透明金属氧化物层，所述第二支电极包括依次层叠在所述基底上的第二透明导电层和第二透明金属氧化物层。可选地，所述第一支电极和所述第二支电极间隔的宽度大小为距离X。可选地，还包括像素边框和/或像素主干，所述第一支电极与所述像素边框和/或像素主干相连，所述第二支电极与所述像素边框和/或像素主干相连。本专利技术第二方面所述的像素电极结构组成上包括透明导电层和透明金属氧化物层，具有良好的透光率；同时，所述像素电极中的第一支电极和第二支电极间隔的宽度(Space)大小可调，支电极的宽度(Line)大小可调，可以实现极小的Line/Space，使其具有高穿透率和高解析度。第三方面，本专利技术还提供了一种显示面板，包括本专利技术第一方面所述的制备方法制得的像素电极。所述显示面板还包括背光模组、TFT阵列基板和彩膜基板。本专利技术的优点将会在下面的说明书中部分阐明，一部分根据说明书是显而易见的，或者可以通过本专利技术实施例的实施而获知。附图说明图1为本专利技术实施例所述的像素电极的制备工艺流程图；图2为本专利技术一实施例提供的像素电极的制备方法的S10步骤的示意图；图3为本专利技术一实施例提供的像素电极的制备方法的S20步骤的部分示意图；图4为本专利技术一实施例提供的像素电极的制备方法的S20步骤的部分示意图；图5为本专利技术一实施例提供的像素电极的制备方法的S30步骤的示意图；图6为本专利技术一实施例提供的像素电极的制备方法的S40步骤的部分示意图；图7为本专利技术一实施例提供的像素电极的制备方法的S40步骤的部分示意图；图8为本专利技术一实施例提供的像素电极的制备方法的S50步骤的部分示意图；图9为本专利技术一实施例提供的像素电极的制备方法的S50步骤的部分示意图；图10为本专利技术另一实施例提供的像素电极的结构示意图。具体实施方式以下所述是本专利技术实施例的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术实施例原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本专利技术实施例的保护范围。本申请说明书、权利要求书和附图中出现的术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外，术语“第一”、“第二”和“第三”等是用于区别不同的对象，而并非用于描述特定的顺序。参见图1，本专利技术实施例提供了一种制备方法，包括：S10、见图2所示，提供一基底10，在所述基底10上依次沉积透明导电层20和金属薄膜层30；S20、在所述金属薄膜层20上涂布光阻材料，图案化处理并在像素区形成依次交替设置的多个第一光阻层401和多个第二光阻层402，所述第一光阻层401的厚度小于所述第二光阻层402的厚度，刻蚀非像素区的所述金属薄膜层30和所述透明导电层20至暴露所述基底10，一并参见图3和图4；S30、对所述第一光阻层401和所述第二光阻层402进行灰化处理，去除所述第一光阻层401，见图5所示，并将所述第一光阻层401覆盖的所述金属薄膜层301氧化形成第一透明金属氧化物层303；S40、一并参见图6和图7，部分灰化所述第二光阻层402，使所述第二光阻层402两端都缩短距离X以使所述金属薄膜层302部分暴露，刻蚀部分暴露的所述金属薄膜层302及下方的所述透明导电层201本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素电极的制备方法，其特征在于，包括：提供一基底，在所述基底上依次沉积透明导电层和金属薄膜层；在所述金属薄膜层上涂布光阻材料，图案化处理并在像素区形成依次交替设置的多个第一光阻层和多个第二光阻层，所述第一光阻层的厚度小于所述第二光阻层的厚度，刻蚀非像素区的所述金属薄膜层和所述透明导电层至暴露所述基底；对所述第一光阻层和所述第二光阻层进行灰化处理，去除所述第一光阻层，并将所述第一光阻层覆盖的所述金属薄膜层氧化形成第一透明金属氧化物层；部分灰化所述第二光阻层，使所述第二光阻层两端都缩短距离X以使所述金属薄膜层部分暴露，刻蚀部分暴露的所述金属薄膜层及下方的所述透明导电层，使所述透明导电层形成交替间隔设置的第一透明导电层和第二透明导电层，所述第一透明导电层与所述第一透明金属氧化物层构成第一支电极；剥离所述部分灰化的所述第二光阻层，并将暴露的所述金属薄膜层氧化形成第二透明金属氧化物层，所述第二透明导电层与所述第二透明金属氧化物层构成第二支电极，所述第一支电极和所述第二支电极交替间隔设置，所述间隔的宽度大小为距离X。

【技术特征摘要】
1.一种像素电极的制备方法，其特征在于，包括：提供一基底，在所述基底上依次沉积透明导电层和金属薄膜层；在所述金属薄膜层上涂布光阻材料，图案化处理并在像素区形成依次交替设置的多个第一光阻层和多个第二光阻层，所述第一光阻层的厚度小于所述第二光阻层的厚度，刻蚀非像素区的所述金属薄膜层和所述透明导电层至暴露所述基底；对所述第一光阻层和所述第二光阻层进行灰化处理，去除所述第一光阻层，并将所述第一光阻层覆盖的所述金属薄膜层氧化形成第一透明金属氧化物层；部分灰化所述第二光阻层，使所述第二光阻层两端都缩短距离X以使所述金属薄膜层部分暴露，刻蚀部分暴露的所述金属薄膜层及下方的所述透明导电层，使所述透明导电层形成交替间隔设置的第一透明导电层和第二透明导电层，所述第一透明导电层与所述第一透明金属氧化物层构成第一支电极；剥离所述部分灰化的所述第二光阻层，并将暴露的所述金属薄膜层氧化形成第二透明金属氧化物层，所述第二透明导电层与所述第二透明金属氧化物层构成第二支电极，所述第一支电极和所述第二支电极交替间隔设置，所述间隔的宽度大小为距离X。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述金属薄膜层上涂布光阻材料，图案化处理并在像素区形成依次交替设置的多个第一光阻层和多个第二光阻层的过程还包括形成第三光阻层，灰化所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟小龙，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44