量子点偏光片以及其制备方法、液晶面板及电子设备技术

本发明专利技术提供一种量子点偏光片以及其制备方法、液晶面板及电子设备。所述量子点偏光片包括一偏光层以及一补偿层，所述补偿层贴合至所述偏光层的一侧，所述补偿层包括定向排列的量子点纳米棒。所述量子点偏光片的制备方法，包括：材料制备步骤、涂布步骤、预处理步骤、拓印步骤以及固化步骤。本发明专利技术的技术效果为：量子点纳米棒定向排列，保证量子点的优点的同时，又具有较强的偏光性，大大地提高了光学效率。

【技术实现步骤摘要】
量子点偏光片以及其制备方法、液晶面板及电子设备
本专利技术涉及显示器领域，特别涉及一种量子点偏光片以及其制备方法、液晶面板及电子设备。
技术介绍
随着科技的发展和社会的进步，人们对于信息交流和传递等方面的依赖程度日益增加。而显示器件作为信息交换和传递的主要载体和物质基础，现已成为众多从事信息光电研究科学家争相抢占的热点和高地。量子点(QuantumDots，简称QD)准零维的纳米材料，由少量的原子构成，是肉眼看不到的，极其微小的无机纳米晶体。每当受到光或电的刺激，量子点便会发出有色光线，光线的颜色由量子点的组成材料和大小形状决定，一般颗粒若越小，会吸收长波，颗粒越大，会吸收短波。量子点，可吸收短波的蓝色，激发出呈现出长波段光色。这一特性使得量子点能够改变光源发出的光线颜色。量子点显示技术在色域覆盖率、色彩控制精确性、红绿蓝色彩纯净度等各个维度已全面升级，被视为全球显示技术的制高点，也被视为影响全球的显示技术革命。革命性的实现全色域显示，最真实还原图像色彩。三星、LG、苹果等企业均表示正在积极推进量子点显示技术研发，而亚马逊、华硕等企业也不同程度采用量子点技术来提高其产品画质。随着TCL率先发布量子点电视，国际量子点显示阵营已初具规模。量子点是由有限数目的原子组成，三个维度尺寸均在纳米数量级。量子点一般为球形或类球形，是由半导体材料(通常由IIB～ⅥB或IIIB～VB元素组成)制成的、稳定直径在2～20nil2的纳米粒子。量子点是在纳米尺度上的原子和分子的集合体，既可由一种半导体材料组成，如由II.VI族元素(如CdS、CdSe、CdTe、ZnSe等)或III.V族元素(如InP、InAs等)组成，也可以由两种或两种以上的半导体材料组成。作为一种新颖的半导体纳米材料，量子点具有许多独特的纳米性质。由于量子限域效应，其内部的电子和空穴的运输受到限制，使得连续的能带结构变成分离的能级结构。当量子点的尺寸不同时，电子与空穴的量子限域程度不一样，分立的能级结构不同。在受到外来能量激发后，不同尺寸的量子点即发出不同波长的光，也就是各种颜色的光。量子点的优势在于：通过调控量子点的尺寸，可以实现发光波长范围覆盖到红外及整个可见光波段，且发射光波段窄，色彩饱和度高；量子点材料量子转换效率高；材料性能稳定；制备方法简单多样，可以从溶液中制备，资源丰富。但是光线经过量子点后，出射方向是随机的，当经过量子点后的发散光线穿过液晶时，不再能很好的控制相应像素点位的所有光线，LCD就会发生漏光现象。而LCD显示器件工作原理是利用液晶的旋光性和双折射，通过电压控制液晶的转动，使经过上偏振片后的线偏振光随之发生旋转，从下偏振片(与上偏片垂直)出来。从而偏光片加上液晶盒起到光开关的作用。显然，这种光学开关对量子点发出的光线无法完全起到作用。为了避免将量子点置于液晶盒中而发生光偏振消除的现象，之前已经提出了一种方案，即提供一种量子点偏光片(QDPOL)，即将量子点置于偏光片中。众所周知，偏光片是由多层膜组合而成的。其中一类具有提高背光亮度利用率的偏光片其基本结构包括：最中间的PVA(聚乙烯醇)，两层TAC(三醋酸纤维素)，PSAfilm(压敏胶)，Releasefilm(离型膜)和Protectivefilm(保护膜)以及其他功能膜结构等。所谓QDPOL即将量子点制备成膜，插入偏光片功能层位置之间，这样这一层既提升了背光的光能利用率，同时也提升面板的色域，提升了偏光片的作用同时简化成型制备中的工艺。但是这么做有一个弊端，即LCD背光发出的光型依赖于光源和背光架构具有特定的形状，其不同角度的亮度存在差异，例如一种典型的Lambert型背光，L(θ)＝L(0)*cos(θ)，即斜视方向的亮度与正视方向的亮度比值为夹角的余弦。一般情况下，量子点受激发射的光是非偏振的，这使得量子点发光经过POL后，至少损失一半亮度。当量子点发光具有一定偏振性时，可大幅提高透过偏振片的光强。业内对此进行了研究，发现量子点纳米棒(QDRod)定向排列时，受激辐射的光具有一定的偏振性。在现有的量子点偏光片的研究中，已经利用这种特性制备量子点偏光片，但是未能明确在于盘状液晶共混时，纳米棒如何定向排列。无序排列的纳米棒实际效果与量子点类似，并不能很好达成提高透过的效果。同时，量子点分散在盘状液晶补偿层中存在一定的分散性困难。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种量子点偏光片以及其制备方法、液晶面板及电子设备，用以解决现有技术中存在的量子点无序排列造成的光线透过量子点偏光片后损失一半亮度，导致光效率低下，用料浪费等技术问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种量子点偏光片，包括：一偏光层；以及一补偿层，贴合至所述偏光层的一侧，所述补偿层包括定向排列的量子点纳米棒。其中，所述补偿层远离所述偏光层的一侧面被拓印有两个以上长条形印记结构，所述量子点纳米棒的排列方向与所述印记结构的长条形方向保持一致。进一步地，所述量子点偏光片还包括：一保护层，贴合至所述偏光层远离所述补偿层的一侧；以及一表面保护膜，贴合至所述保护层远离所述偏光层的一侧。进一步地，所述量子点偏光片还包括：一黏着层，贴合至所述补偿层远离所述偏光层的一侧；以及一剥离保护膜，贴合至所述黏着层远离所述补偿层的一侧。进一步地，所述量子点偏光片中，所述黏着层的厚度小于所述印记结构的高度，或者，所述黏着层的厚度大于等于所述印记结构的高度。为实现上述目的，本专利技术还提供一种液晶面板，包括所述量子点偏光片。为实现上述目的，本专利技术还提供一种电子设备，包括所述液晶面板。为实现上述目的，本专利技术还提供一种量子点偏光片的制备方法，包括如下步骤：S1材料制备步骤，制备一种量子点纳米棒材料，所述量子点纳米棒材料包括胶体材料及分散于所述胶体材料中的量子点纳米棒；S2涂布步骤，涂布所述量子点纳米棒材料至一偏光层的一侧，获得一量子点层；S3预处理步骤，对所述量子点层进行预处理，获得半液半固状态的量子点层；S4拓印步骤，对所述半液半固状态的量子点层进行机械式拓印处理；以及S5固化步骤，对所述半液半固状态的量子点层进行固化处理，获得一补偿层，使得所述量子点纳米棒在所述补偿层中定向排列，所述量子点纳米棒的排列方向与所述印记结构的长条形方向保持一致。进一步地，在所述拓印步骤中，利用具有图案的滚轮或者毛刷对所述半液半固状态的量子点层进行机械式拓印处理。进一步地，所述量子点偏光片的制备方法还可以包括如下步骤：S6保护层贴合步骤，一保护层，被贴合至所述偏光层远离所述补偿层的一侧；以及S7表面保护膜贴合步骤，一表面保护膜被贴合至所述保护层远离所述偏光层的一侧。进一步地，所述量子点偏光片的制备方法还可以包括如下步骤：S8黏着层贴合步骤，一黏着层被贴合至所述补偿层远离所述偏光层的一侧；以及S9剥离保护膜贴合步骤，一剥离保护膜被贴合至所述黏着层远离所述补偿层的一侧。进一步地，在所述拓印步骤中，利用具有图案的滚轮或者毛刷对所述半液半固状态的量子点层进行机械式拓印处理；和/或，在所述黏着层贴合步骤中，在所述半液半固状态的量子点层尚未完全固化时，所述黏着层被贴合至所述补偿层。本专利技术的技术效果在于：提供一种偏光片，其补偿层中量子点纳米棒可定向排列，在保证量子点的优点的同时，又具有较本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点偏光片，其特征在于，包括：一偏光层；以及一补偿层，贴合至所述偏光层的一侧，所述补偿层包括定向排列的量子点纳米棒；其中，所述补偿层远离所述偏光层的一侧面被拓印有两个以上长条形印记结构，所述量子点纳米棒的排列方向与所述印记结构的长条形方向保持一致。

【技术特征摘要】
1.一种量子点偏光片，其特征在于，包括：一偏光层；以及一补偿层，贴合至所述偏光层的一侧，所述补偿层包括定向排列的量子点纳米棒；其中，所述补偿层远离所述偏光层的一侧面被拓印有两个以上长条形印记结构，所述量子点纳米棒的排列方向与所述印记结构的长条形方向保持一致。2.如权利要求1所述的量子点偏光片，其特征在于，还包括：一保护层，贴合至所述偏光层远离所述补偿层的一侧；以及一表面保护膜，贴合至所述保护层远离所述偏光层的一侧。3.如权利要求1所述的量子点偏光片，其特征在于，还包括：一黏着层，贴合至所述补偿层远离所述偏光层的一侧；以及一剥离保护膜，贴合至所述黏着层远离所述补偿层的一侧。4.如权利要求3所述的量子点偏光片，其特征在于，还包括：所述黏着层的厚度小于所述印记结构的高度，或者，所述黏着层的厚度大于等于所述印记结构的高度。5.一种液晶面板，包括如权利要求1-4中任一项所述的量子点偏光片。6.一种电子设备，包括如权利要求5所述的液晶面板。7.一种量子点偏光片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1材料制备步骤，制备一种量子点纳米棒材料，所述量子点纳米棒材料包括胶体材料及分散于所述胶体材料中的量子点纳米棒；S2涂布步骤，涂布所述量子点纳米棒材...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈黎暄，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44