【技术实现步骤摘要】
内部集成电路电阻校准
本专利技术通常但不限于集成电路领域,并且特别涉及校准内部集成电路电阻。
技术介绍
为了减小电路的尺寸,可以减小电路元件的尺寸以便将电路安装在集成电路上。这可能导致电路的元件值不准确。例如,集成电阻的电阻值可能不像外部电阻的电阻值那样精确,其中电阻可以被更准确地选择用于期望的电路性能。但是,这无法通过集成组件来减小电路尺寸。
技术实现思路
其中,专利技术人已经认识到当传感器耦合到传感器集成电路时需要测量和校准内部负载和反馈电阻。一个例子包括一种使用激励电流来测量目标电阻器的集成电路(IC)电阻值的方法,所述激励电流在到达所述目标电阻器之前经历外部传感器泄漏电流或其他泄漏电流而降低。所述方法包括响应于施加到具有指定校准电阻值的校准电阻器的不同的第一和第二规定激励电压而产生不同的第一和第二激励电流。在所述目标电阻器上测量不同的第一和第二响应电压,分别响应于相应的不同的第一和第二激励电流。使用测量的第一和第二响应电压之间的差值、第一和第二规定激励电压之间的差值、和所述指定校准电阻值来确定所述目标电阻器的集成电路电阻值。另一个例子包括传感器接口集成电路(IC),用于使用激励电流来测量目标电阻器的电阻值,所述激励电流经历耦合到所述IC的传感器的外部传感器泄漏电流而降低。所述传感器接口IC包括:电流传感器电路,包括用于感测所述传感器产生的响应电流的至少一个目标电阻器。电阻值测量电路与所述目标电阻器耦合以测量所述目标电阻器的电阻值。所述电阻值测量电路包括电压激励电路,用于将一个或多个规定激励电压施加到具有指定校准电阻值的校准电阻器,以响应地针对每个规定激 ...
【技术保护点】
1.一种使用激励电流来测量目标电阻器的集成电路(IC)电阻值的方法,所述激励电流在到达所述目标电阻器之前经历外部传感器泄漏电流或其他泄漏电流而降低,所述方法包括:响应于施加到具有指定校准电阻值的校准电阻器的不同的第一和第二规定激励电压而产生不同的第一和第二激励电流;在所述目标电阻器上测量不同的第一和第二响应电压,分别响应于相应的不同的第一和第二激励电流;和使用测量的第一和第二响应电压之间的差值、第一和第二规定激励电压之间的差值、和所述指定校准电阻值来确定所述目标电阻器的集成电路电阻值。
【技术特征摘要】
2017.05.04 US 15/586,8771.一种使用激励电流来测量目标电阻器的集成电路(IC)电阻值的方法,所述激励电流在到达所述目标电阻器之前经历外部传感器泄漏电流或其他泄漏电流而降低,所述方法包括:响应于施加到具有指定校准电阻值的校准电阻器的不同的第一和第二规定激励电压而产生不同的第一和第二激励电流;在所述目标电阻器上测量不同的第一和第二响应电压,分别响应于相应的不同的第一和第二激励电流;和使用测量的第一和第二响应电压之间的差值、第一和第二规定激励电压之间的差值、和所述指定校准电阻值来确定所述目标电阻器的集成电路电阻值。2.权利要求1所述的方法,还包括使用确定的目标电阻器的集成电阻值来校准目标电阻器的集成电阻值,包括调整目标电阻器的积分电阻值。3.权利要求2所述的方法,其中校准集成电阻值包括产生、测量和确定的一个或多个进一步的相互作用。4.权利要求1所述的方法,其中所述第一和第二规定激励电压包括一个或多个指定频率。5.权利要求4所述的方法,其中所述目标电阻器耦合到IC外部的传感器,其中所述一个或多个指定频率高于传感器对由传感器感测的参数的标称频率响应。6.权利要求4所述的方法,其中所述目标电阻器包括将电压感测节点耦合到放大器电路的放大器输入的第一电阻器组件、和将所述放大器电路的放大器输出馈送到所述放大器输入的第二电阻器组件,所述方法还包括相对于第二电阻组件的电阻值改变第一电阻器组件的电阻值。7.权利要求4所述的方法,其中传感器的感测电极(SE)耦合到所述目标电阻器,该方法还包括浮动传感器的参考电极(RE)和反电极(CE)。8.一种用于使用激励电流来测量目标电阻器的电阻值的传感器接口集成电路(IC),所述激励电流经历耦合到所述IC的传感器的外部传感器泄漏电流而降低,所述传感器接口IC包括:电流传感器电路,包括用于感测所述传感器产生的响应电流的至少一个目标电阻器;和电阻值测量电路,与所述目标电阻器耦合以测量所述目标电阻器的电阻值,所述电阻值测量电路包括:电压激励电路,用于将一个或多个规定激励电压施加到具有指定校准电阻值的校准电阻器,以响应地针对每个规定激励电压产生不同的相应激励电流;电压测量电路,响应于每个相应的不同激励电流分别测量所述目标电阻器上的不同的相应响应电压;和计算电路,使用测量的不同的相应响应电压之间的差值、所述一个或多个规定激励电压之间的差值和所述指定校准电阻值来确定所述目标电阻器的电阻值。9.权利要求8所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:曲光阳,陈雷铖,M·鲁尼,
申请(专利权)人:亚德诺半导体集团,
类型:发明
国别省市:百慕大群岛,BM
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