一种新型的高速电源调制器制造技术

技术编号:19416223 阅读:125 留言:0更新日期:2018-11-14 02:11
本实用新型专利技术具体涉及一种新型的高速电源调制器,涉及电源技术领域。包括:PMOS管,相互并联的限流电阻和加速电容组成的作用电路的一端和所述PMOS管的G极串联;所述作用电路的另一端和一个驱动器串联。提升了PMOS管的响应速度。

【技术实现步骤摘要】
一种新型的高速电源调制器
本技术涉及电源
,具体涉及一种新型的高速电源调制器。
技术介绍
在雷达收发导引头中,有许多场合会需要用到高速电源调制器,其中较为典型的一种是给射频脉冲功率放大器的供电电源调制器。随着雷达的灵敏度、反应速度等指标的提高,带来的突出性问题在于电压调制的速度不够快、电压调制的上升沿/下降沿延时较大。对于脉冲功率放大器,为了保证其调制速度及稳定工作,在传统的电源调制器的基础上,需减小其上升沿/下降沿时间。传统的电源调制器一般由脉冲TTL—限流电阻—PMOS管组成。在该电路中,当TTL信号为低电位(0V)时,PMOS管G极即为0V电位,此时S极和G极之间有5V压差,PMOS管S—D处于开通状态,D极输出所需的+5V电压。当TTL信号为高电位(+5V)时,PMOS管G极为+5V电位,此时PMOS管S极和G极之间没有压差,PMOS管S-D处于关闭状态。该传统电路作为电压调制时,由于PMOS管的开通及关断取决于S极和G极之间的压差以及G极的电流大小。TTL信号驱动能力弱,提供电流的能力较小,一般不足5mA,因此使PMOS管开通及关断时间较长,上升沿时间和下降沿时间较大,难以满足越来越高的需求。
技术实现思路
鉴于此,本技术的目的是提供一种新型的高速电源调制器,提升了PMOS管的响应速度。本技术采用的技术方案如下:一种新型的高速电源调制器,包括:PMOS管,相互并联的限流电阻和加速电容组成的作用电路的一端和所述PMOS管的G极串联;所述作用电路的另一端和一个驱动器串联。进一步的,所述PMOS管的S极为5V电压的输入端;所述PMOS管的D极为5V电压的输出端。进一步的,所述加速电容的容量为:680PF。与现有技术相比,本技术的有益效果是:驱动器信号为-5V/+5V模拟信号,作用在PMOS管G极的高电位为+5V,低电位为-5V。开通PMOS管时,G极电位直接从+5V电位转换为-5V电位,由正而负,切换时间加快,使得PMOS管速度得到一定程度的提高。同时,驱动器可以提供约40mA的电流,远大于TTL信号可提供的电流,PMOS管的开通和关断时间可以得到很大程度的提升。另外,在限流电阻处并联了一个电容,可以起到加速的作用,使信号转换更为迅速,再一次提高PMOS管的开关速度。附图说明图1为本本技术的高速电源调制器的结构示意图。图2为本技术的现有技术中高速电源调制器的结构示意图。具体实施方式为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案,下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步的详细说明。实施例1:如图1所示,一种新型的高速电源调制器,包括:PMOS管,相互并联的限流电阻和加速电容组成的作用电路的一端和所述PMOS管的G极串联;所述作用电路的另一端和一个驱动器串联。具体的,新电路将0/5V的TTL信号通过驱动器转换为-5V/+5V模拟信号之后,再通过加速电容及限流电阻之后作用在PMOS管的G极。实施例2:在实施例1的基础上,所述PMOS管的S极为5V电压的输入端;所述PMOS管的D极为5V电压的输出端。实施例3:在实施例1的基础上,所述加速电容的容量为:680PF。以上仅是本技术的优选实施方式,应当指出的是,上述优选实施方式不应视为对本技术的限制,本技术的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本
的普通技术人员来说,在不脱离本技术的精神和范围内,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种新型的高速电源调制器,包括:PMOS管,其特征在于,相互并联的限流电阻和加速电容组成的作用电路的一端和所述PMOS管的G极串联;所述作用电路的另一端和一个驱动器串联。

【技术特征摘要】
1.一种新型的高速电源调制器,包括:PMOS管,其特征在于,相互并联的限流电阻和加速电容组成的作用电路的一端和所述PMOS管的G极串联;所述作用电路的另一端和一个驱动器串联。2.如权利要求1所述的新型...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄涤生
申请(专利权)人:四川欣科奥电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:四川,51

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