一种CSP制造技术

一种CSP，包括芯片和设置在芯片顶面的包覆层，所述包覆层的一侧边缘设有凹槽，所述凹槽呈长方形，凹槽的长度与包覆层侧边缘长度相等。本实用新型专利技术提供一种CSP，其方便用户识别正负极，安装方便，不会对发光造成影响。

【技术实现步骤摘要】
一种CSP
本技术涉及芯片封装
，具体涉及一种CSP。
技术介绍
CSP是芯片级封装的意思。CSP封装作为最新一代的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比小于1:1.14，已经相当接近1:1的理想情况。CSP主要有以下三种类型：1、如图1，芯片100除了底面外的五个面被荧光粉层200包裹住，可以实现五个面发光，结构简单。2、如图2，芯片100的四个侧面被挡光层300包覆，顶面覆盖有荧光层200，只实现顶面发光。3、如图3，芯片100除了底面外的五个面被荧光粉层200包覆住，在荧光粉层200的基础上增加透明硅胶层400。但是无论是上述的那种类型的CSP，其芯片除底面外的五个面都是被包覆着，而CSP的正负极是位于芯片的底面，因此CSP在安装时难以区分CSP的正负极，这也就对CSP的安装使用造成一些难度；而在荧光层上进行正负极的粘贴标志，则会造成CSP的发光损失，发光不均匀。
技术实现思路
本技术提供一种CSP，其方便用户识别正负极，安装方便，不会对发光造成影响。为实现上述目的，本技术所采用的技术方案是：一种CSP，包括芯片和设置在芯片顶面的包覆层，所述包覆层的一侧边缘设有凹槽，所述凹槽呈长方形，凹槽的长度与包覆层侧边缘长度相等。进一步地，所述凹槽宽度为0.05mm~0.1mm，所述凹槽的深度为0.05mm~0.1mm。进一步地，所述的凹槽为切槽；本技术中凹槽通过切刀一次成型。进一步地，所述凹槽的宽度为0.05mm，所述凹槽的深度为0.1mm。进一步地，所述包覆层包括荧光层和透明硅胶层，所述荧光层包覆在芯片外，所述透明硅胶层设置在荧光层上，所述凹槽设置在透明硅胶层上。进一步地，所述包覆层为荧光层。本技术中的CSP通过包覆层上的凹槽来区分CSP的正负极，提高安装的效率，而且凹槽是切槽，加工方便，可以在CSP切割生产时一次成型。本技术与现有技术相比产生的有益效果是：通过设置在包覆层一侧边缘的凹槽来区分芯片的安装正负极，提高安装使用效率，而且凹槽为切槽，在CSP生产时可以一次成型，加工方便。附图说明图1为现有技术中第一类型的CSP横截面示意图。图2为现有技术中第二类型的CSP横截面示意图。图3为现有技术中第三类型的CSP横截面示意图。图4为本技术的俯视图。图5为本技术实施例1的横截面示意图。图6为本技术实施例2的横截面示意图。图7为本技术实施例3的横截面示意图。图8为本技术用于切槽的刀具示意图。具体实施方式下面结合附图说明和具体实施方式对本技术作进一步地说明。实施例1如图4和图5所示，一种CSP，包括芯片1和设置在芯片1顶面的包覆层，所述包覆层的一侧边缘设有凹槽21，所述凹槽21呈长方形，凹槽21的长度与包覆层侧边缘长度相等。本实施例中，所述包覆层为荧光层2，所述芯片的四周也设有荧光层2，所述凹槽21设置在芯片顶面的荧光层2上。所述凹槽为切槽；所述切槽可以用来区分CSP的正负极，便于CSP的安装使用。如图8所示，所述CSP生产时通过切刀一次成型，所述切刀包括用于切割CSP的主切刀5和设置在主切刀5一侧用于切槽的副切刀51，所述切刀在工作时主切刀进行CSP的切割分离，副切刀在主切刀分离切割的同时切出CSP一侧边缘的凹槽，完成本技术的一次成型，加工方便。所述凹槽宽度为0.05mm~0.1mm，所述凹槽的深度为0.05mm~0.1mm，凹槽的宽度与深度会对CSP的发光造成影响，经过多次的实验，本实施例中优选的凹槽宽度与深度均为0.05mm~0.1mm，不会对CSP的发光造成影响，损失光效，本技术中凹槽的宽度和深度分别为0.05mm和0.1mm。实施例2如图4和图6所示，一种CSP，包括芯片1和设置在芯片1顶面的包覆层，所述包覆层的一侧边缘设有凹槽21，所述凹槽21呈长方形，凹槽21的长度与包覆层侧边缘长度相等。所述包覆层荧光层2，所述芯片的四个侧面还设有挡光层3，所述荧光层2设置在芯片以及保护层3的顶面，所述凹槽21设置在荧光层2上，所述凹槽为切槽；所述切槽可以用来区分CSP的正负极，便于CSP的安装使用。如图8所示，所述CSP生产时通过切刀一次成型，所述切刀包括用于切割CSP的主切刀5和设置在主切刀5一侧用于切槽的副切刀51，所述切刀在工作时主切刀进行CSP的切割分离，副切刀在主切刀分离切割的同时切出CSP一侧边缘的凹槽，完成本技术的一次成型，加工方便。所述凹槽宽度为0.05mm~0.1mm，所述凹槽的深度为0.05mm~0.1mm，凹槽的宽度与深度会对CSP的发光造成影响，经过多次的实验，本实施例中优选的凹槽宽度与深度均为0.05mm~0.1mm，不会对CSP的发光造成影响，损失光效，本技术中凹槽的宽度和深度分别为0.05mm和0.1mm。实施例3如图4和图7所示，一种CSP，包括芯片1和设置在芯片1顶面的包覆层，所述包覆层的一侧边缘设有凹槽21，所述凹槽21呈长方形，凹槽21的长度与包覆层侧边缘长度相等。所述包覆层包括荧光层2和透明硅胶层4，所述荧光层1包覆在芯片外，所述透明硅胶层4设置在荧光层2上，所述凹槽21设置在透明硅胶层4上。所述凹槽21为切槽；所述切槽可以用来区分CSP的正负极，便于CSP的安装使用。如图8所示，所述CSP生产时通过切刀一次成型，所述切刀包括用于切割CSP的主切刀5和设置在主切刀5一侧用于切槽的副切刀51，所述切刀在工作时主切刀进行CSP的切割分离，副切刀在主切刀分离切割的同时切出CSP一侧边缘的凹槽，完成本技术的一次成型，加工方便。所述凹槽宽度为0.05mm~0.1mm，所述凹槽的深度为0.05mm~0.1mm，凹槽的宽度与深度会对CSP的发光造成影响，经过多次的实验，本实施例中优选的凹槽宽度与深度均为0.05mm~0.1mm，不会对CSP的发光造成影响，损失光效，本技术中凹槽的宽度和深度分别为0.05mm和0.1mm。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CSP，包括芯片和设置在芯片顶面的包覆层，其特征在于：所述包覆层的一侧边缘设有凹槽，所述凹槽呈长方形，凹槽的长度与包覆层侧边缘长度相等；所述凹槽宽度为0.05mm~0.1mm，所述凹槽的深度为0.05mm~0.1mm。

【技术特征摘要】
1.一种CSP，包括芯片和设置在芯片顶面的包覆层，其特征在于：所述包覆层的一侧边缘设有凹槽，所述凹槽呈长方形，凹槽的长度与包覆层侧边缘长度相等；所述凹槽宽度为0.05mm~0.1mm，所述凹槽的深度为0.05mm~0.1mm。2.根据权利要求1所述的一种CSP，其特征在于：所述的凹槽为切槽。3.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫宜颖，王芝烨，黄巍，王跃飞，
申请(专利权)人：鸿利智汇集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44