本实用新型专利技术涉及一种阵列基板和包括该阵列基板的液晶显示装置，该阵列基板包括：衬底基板、形成在衬底基板上的第一金属层、栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的半导体层、补偿层和第二金属层、以及形成在栅绝缘层上的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上的第一电极层、形成在第一绝缘层上的第二绝缘层和形成在第二绝缘层上的第二电极层；第二金属层包括漏极、源极和数据线，漏极与源极彼此分隔并分别与半导体层接触，漏极与补偿层相连，漏极与补偿层部分重叠；未被漏极覆盖部分的补偿层位于像素单元内。在第一绝缘层于对应漏极的位置蚀刻形成第一接触孔，第一电极层形成在第一绝缘层上，通过第一接触孔与漏极接触实现电连接。
【技术实现步骤摘要】
阵列基板和液晶显示装置
本技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板和液晶显示装置。
技术介绍
随着信息社会的发展，人们对液晶显示设备的需求越来越高，因而推动了液晶显示面板行业的快速发展，高分辨率成为显示面板发展的主要方向之一。然而随着分辨率的提升，会导致开口率下降，同等亮度下需要更亮的背光，导致显示面板功耗增加。液晶显示面板通常包括阵列基板，其中，阵列基板的制作过程最为复杂，制作成本也较高。一般来说阵列基板包括设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、半导体层、源/漏极、像素电极、公共电极和钝化层。由于像素电极与源/漏极位于不同层且在垂直于衬底基板的方向上相互错位，需要使用过孔将像素电极与源/漏极进行电气连接。由于阵列基板中形成的过孔的形状及形成过孔的工艺使得过孔所占用的面积较大，且位于像素区域，过孔与源/漏极极区域均为不透光区域。对于高分辨率显示面板来说，过孔以及不透光的源/漏极占用的面积尤为突出，大大降低了像素开口率，使得高分辨率显示面板的显示亮度较暗。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种阵列基板和液晶显示装置，能够减小不透光的漏极以及过孔的占用的区域，提高像素开口率。本技术解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。本技术实施例具体公开了一种阵列基板，从下至上依次设有衬底基板、第一金属层、栅绝缘层、半导体层、第二金属层、第一绝缘层和第一电极层；该第一金属层包括栅极和扫描线；该栅绝缘层覆盖该第一金属层；该半导体层形成在该栅绝缘层上并位于该栅极上方；该第二金属层形成在该栅绝缘层上，该第二金属层包括漏极、源极和数据线，该漏极与该源极彼此分隔并分别与该半导体层接触；该第一绝缘层形成在该栅绝缘层上并覆盖该第二金属层，在该第一绝缘层于对应该漏极的位置设有第一接触孔；该第一电极层形成在该第一绝缘层上，通过该第一接触孔与该漏极接触实现电连接；其特征在于，该阵列基板还包括补偿层，该补偿层形成在该栅绝缘层上并与该漏极相连接。进一步地，该漏极覆盖该补偿层的部分区域。进一步地，该补偿层与该半导体层间隔设置。进一步地，该补偿层与该半导体层的材料相同。进一步地，该补偿层与该半导体层由同一道光蚀刻工艺制作完成。进一步地，该补偿层的材料是透明的ITO、IZO、ITZO或IGZO。进一步地，该第一电极层为像素电极。进一步地，该阵列基板还包括第二绝缘层和第二电极层，该第二绝缘层形成在该第一绝缘层上并覆盖该第一电极层；该第二电极层形成在该第二绝缘层上。进一步地，该第二电极层为公共电极。一种液晶显示装置，包括上述的阵列基板。本技术实施例提供的阵列基板和液晶显示装置，通过将薄膜晶体管的漏极缩小，缩小部分由补偿层代替，避免在形成通孔时使漏极与第一电极层电连接时发生过蚀将底层的栅绝缘层刻穿，同时漏极图案缩小，像素区域内的透光面积增大，使得具有该阵列基板的液晶显示装置的开口率和穿透率得到大幅度提高。附图说明图1为本技术第一实施例的阵列基板的平面示意图。图2为图1所示的阵列基板沿II-II线的剖面示意图。图3a至图3g为图1所示的阵列基板的制作流程的平面结构示意图。图4为本技术另一实施例的阵列基板的剖面示意图。具体实施方式为更进一步阐述本技术为达成预定目的所采取的技术方式及功效，以下结合附图及实施例，对本技术的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。[第一实施例]图1为本技术第一实施例的阵列基板的平面示意图。图2为图1所示的阵列基板沿II-II线的剖面示意图。图3a至图3g为图1所示的阵列基板的制作流程的平面结构示意图。需要说明的是，阵列基板包括多条扫描线和多条数据线，且多条扫描线与多条数据线相互交叉限定形成多个像素区域，扫描线和数据线交叉位置处设置有薄膜晶体管，此为本领域技术人员所熟知技术，在此不再赘述。为例图示简洁，图1至图3g仅绘示对应阵列基板的一个像素区域的局部结构示意图。并且为了方便直观地体现像素区域内由不透光材料形成的各个元件之间的关系，图1至图3g未绘示出由透明材料形成的衬底基板10、栅绝缘层12、第一绝缘层16和第二绝缘层18，有关衬底基板10、栅绝缘层12、第一绝缘层16和第二绝缘层18的位置关系可参考图1及图4。阵列基板100包括衬底基板10、形成于衬底基板10上的第一金属层11、栅绝缘层12、半导体层13、补偿层14、第二金属层15、第一绝缘层16、第一电极层17、第二绝缘层18和第二电极层19。该衬底基板10例如为透明玻璃衬底基板10。该第一金属层11包括栅极111和扫描线，栅极111可以为扫描线的一部分。栅绝缘层12形成于该衬底基板10上并覆盖第一金属层11的栅极111和扫描线。该半导体层13形成在该栅绝缘层12上并位于该栅极111上方，该半导体层13为非晶硅层(a-Si)。第二金属层15形成在栅绝缘层12上，该第二金属层15包括漏极152、源极154和数据线156，该漏极152与源极154彼此分隔并分别与半导体层13直接接触，即半导体层13的中间部分从漏极152与源极154之间暴露出来。本实施例中，数据线156与源极154连接。由多条扫描线与多条数据线156交叉形成多个像素单元。该补偿层14与该半导体层13间隔设置。其中，漏极152在满足第一电极层17与漏极152电连接且不会对栅绝缘层12造成过蚀的前提下被设置的最小。补偿层14形成在该栅绝缘层12上，漏极152与补偿层14相连，并且漏极152与补偿层14部分重叠。未被漏极152覆盖部分的补偿层14位于像素单元内。具体地，补偿层14位于漏极152远离该源极154一侧并与漏极152电连接。本实施例中，补偿层14为与半导体层13相同材料制成，例如是非晶硅(a-Si)半导体。本实施例中，由于补偿层14与半导体层13为相同材料制成且均为设置与栅绝缘层12上，即补偿层14与半导体层13可以在同一道光蚀刻工艺制作完成。第一绝缘层16形成在栅绝缘层12上并覆盖该漏极152、该源极154、该数据线156、从该漏极152和该源极154之间露出的部分该半导体层13以及未被该漏极152覆盖部分的该补偿层14。第一绝缘层16例如是由氮化硅(SiNx)形成的钝化层(PV，Passivation)或者是由有机树脂形成的保护层(OC，Overcoat)，其中第一绝缘层16对应于该漏极152或该补偿层14的位置形成有第一接触孔162以漏出部分的漏极152或者漏出部分的漏极152和部分的补偿层14，即第一接触孔162穿过该第一绝缘层16将下方的该漏极152或者该漏极152和该补偿层14部分地暴露出来。第一电极层17形成在该第一绝缘层16上，该第一电极层17例如是由氧化铟锡(ITO)等透明导电材料制成，但不以此为限。本实施例中该第一电极层17例如为像素电极，通过该第一接触孔162与该漏极152导电连接。第二绝缘层18形成在该第一绝缘层16上并覆盖该第一电极层17，该第二绝缘层18例如是由氮化硅(SiNx)形成的钝化层(PV，Passivation)或者是由有机树脂形成的保护层(OC，Overcoat)。第二电极层19上形成有第二电极层19，本实施例中，该第二电极层19例如为公共电极，该第二电极层19例如是由氧化铟锡(ITO)等透明导电材料制本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种阵列基板(100)，从下至上依次设有衬底基板(10)、第一金属层(11)、栅绝缘层(12)、半导体层(13)、第二金属层(15)、第一绝缘层(16)和第一电极层(17)；该第一金属层(11)包括栅极(111)和扫描线；该栅绝缘层(12)覆盖该第一金属层(11)；该半导体层(13)形成在该栅绝缘层(12)上并位于该栅极(111)上方；该第二金属层(15)形成在该栅绝缘层(12)上，该第二金属层(15)包括漏极(152)、源极(154)和数据线(156)，该漏极(152)与该源极(154)彼此分隔并分别与该半导体层(13)接触；该第一绝缘层(16)形成在该栅绝缘层(12)上并覆盖该第二金属层(15)，在该第一绝缘层(16)于对应该漏极(152)的位置设有第一接触孔(162)；该第一电极层(17)形成在该第一绝缘层(16)上，通过该第一接触孔(162)与该漏极(152)接触实现电连接；其特征在于，该阵列基板(100)还包括补偿层(14)，该补偿层(14)形成在该栅绝缘层(12)上并与该漏极(152)相连接。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板(100)，从下至上依次设有衬底基板(10)、第一金属层(11)、栅绝缘层(12)、半导体层(13)、第二金属层(15)、第一绝缘层(16)和第一电极层(17)；该第一金属层(11)包括栅极(111)和扫描线；该栅绝缘层(12)覆盖该第一金属层(11)；该半导体层(13)形成在该栅绝缘层(12)上并位于该栅极(111)上方；该第二金属层(15)形成在该栅绝缘层(12)上，该第二金属层(15)包括漏极(152)、源极(154)和数据线(156)，该漏极(152)与该源极(154)彼此分隔并分别与该半导体层(13)接触；该第一绝缘层(16)形成在该栅绝缘层(12)上并覆盖该第二金属层(15)，在该第一绝缘层(16)于对应该漏极(152)的位置设有第一接触孔(162)；该第一电极层(17)形成在该第一绝缘层(16)上，通过该第一接触孔(162)与该漏极(152)接触实现电连接；其特征在于，该阵列基板(100)还包括补偿层(14)，该补偿层(14)形成在该栅绝缘层(12)上并与该漏极(152)相连接。2.如权利要求1所述的阵列基板(100)，其特征在于，该漏极(1...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵哲，吴佳星，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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