高频加热装置制造方法及图纸

技术编号:19399978 阅读:34 留言:0更新日期:2018-11-10 05:52
本公开的高频加热装置具有:加热室(3),其收纳被加热物,在前表面具有开口部(4);高频产生部(11),其向加热室供给高频而对被加热物进行加热;以及门(5),其开闭自如地将开口部覆盖,在与开口部的周缘面(6)对置的位置具有电波密封部(30)。电波密封部具有:开孔(31),其形成在与开口部的周缘面对置的位置;以及轭流槽(32),其相对于开孔向加热室侧弯曲。轭流槽是通过将多个导体(33、34)接合起来而形成的。多个导体具有第1导体,该第1导体在多个导体进行接合的接合部(35)的附近具有向加热室里侧突出的凸部(36)。凸部的背面侧空间(74)构成轭流槽的一部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高频加热装置
本公开涉及微波炉等高频加热装置,尤其涉及具有电波密封部的高频加热装置,该电波密封部对将要从加热室与门之间向外部泄漏的电波(特别是高频的微波)进行屏蔽。
技术介绍
以往,作为与用于高频加热装置的电波密封部相关的最基本思想,提出了在高频加热装置的门上形成轭流槽而使用λ/4阻抗反转方法的方案。图14是示出作为以往的高频加热装置的微波炉的外观的立体图。图15是从15-15观察图14的微波炉中的配置在加热室103与门102之间的电波密封部时的剖视图。由配设在微波炉主体101内的加热室103的内部振荡出的高频穿过开口部周缘面105与门102之间的间隙106而欲从图15的右侧向左侧(z方向)传播,该开口部周缘面105以与门102对置的方式位于加热室103的开口部104的外周。在上述以往的微波炉中,由导体107弯折而形成的轭流槽108配置在门102,轭流槽108的深度L被设定为使用频率的波长λ的1/4(=大约30mm)。由此,从轭流槽108开口部侧观察时的阻抗Zin为无限大,z方向上的高频发生衰减(例如,参照专利文献1)。在上述以往的结构中,与开口部周缘面105对置地配置有轭流槽108的入口部的开孔109和间隙106,可称为有利于使开口部周缘面105的宽度(z方向)尺寸变小的情况的结构。然而,由于轭流槽108的深度L较深,所以很难使门102的宽度(y方向)变薄。并且,作为用于使轭流槽108的深度变浅的结构,在专利文献1中示出了图16、图17所示的电波密封部。提出了通过以这种方式使轭流槽108弯曲而在维持着电波屏蔽性能的同时使轭流槽108的深度L变浅即小型化的方案。在图16所示的结构中,使1张导体板弯折5次而形成死胡同状的轭流槽108。关于该结构,仅通过使1张导体板弯折便能够制作出形成轭流槽的导体110。因此,因量产性好而被广泛采用。并且,关于图17所示的结构,将凹状导体111与L字状导体112接合而使轭流槽108向加热室103侧弯曲。该结构与图15所示的结构同样,与开口部周缘面105对置地配置有轭流槽108的入口部的开孔109和间隙106,能够使开口部周缘面105的宽度(z方向)尺寸变小。此外,提出了如下的微波炉:在加热室103的内壁面117侧设置有由开口部周缘面105与门102之间的间隙形成的高频传播路径118,从而提高电波屏蔽性能(例如,参照专利文献2)。在专利文献2中提出了具有门102的微波炉,如图18所示,该门102在外周内部设置有将1张导体板弯折4次而形成的轭流槽114。在门102的加热室103侧的外周部内壁115配设有向加热室103侧突出的凸部116。在门102被关闭的状态下,在高频进入到轭流槽114之前的阶段,由凸部116和加热室103的内壁面117形成使高频衰减的高频传播路径118。根据该结构,由于在高频到达轭流槽114之前在高频传播路径118中充分衰减,所以不必只依赖轭流槽114的电波屏蔽性能。此外,在专利文献3、专利文献4中提出了如下的微波炉:通过在加热室内表面117形成图18所示的高频传播路径118,能够缩小开口部周缘面105的宽度,使微波炉主体101的壁厚变薄。由此,即使加热室容量相同,也能够使主体小型化,或者即使主体的大小相同,也能够使加热容量大型化。这里,例如,在图17所示的以往的抗流构造中,由于轭流槽108向加热室103侧弯曲,所以不仅能够使L尺寸(y方向)变小,还能够使开口部周缘面105的z方向的尺寸变小。但是,由于L字状导体112是在将门102关闭的状态下构成加热室103的内表面并且接近平面的构造,所以强度容易变弱。而且,根据重量和成本的关系,L字状导体112的板厚无法变厚。因此,在将L字状导体112与导体111接合时,由于焊接或铆接等产生的应力,L字状导体112容易出现翘曲或起伏。因此,存在组装偏差较大或有损美观的问题。另一方面,在图18所示的结构中,由于能够使开口部周缘面105与导体113之间的间隙变窄,所以相应地能够使开口部周缘面105的宽度尺寸变小。但是,由于轭流槽114向外侧弯曲,所以需要使轭流槽114整体宽度与开口部周缘面105对置。因此,无法在与轭流槽114对置的部位使开口部周缘面105的宽度尺寸变小。另外,作为与上述现有技术关联的文献,列举了日本特开昭58-066285(专利文献5)、日本特开昭58-066287(专利文献6)、日本特开昭58-066288(专利文献7)、日本特开昭58-150292(专利文献8)、日本特开昭58-194290(专利文献9)、日本特开昭58-201289(专利文献10)以及日本特开昭58-201290(专利文献11)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平6-132078号公报专利文献2:日本特许第4647548号公报专利文献3:日本特开昭62-5595号公报专利文献4:日本实公昭51-9083号公报专利文献5:日本特开昭58-066285号公报专利文献6:日本特开昭58-066287号公报专利文献7:日本特开昭58-066288号公报专利文献8:日本特开昭58-150292号公报专利文献9:日本特开昭58-194290号公报专利文献10:日本特开昭58-201289号公报专利文献11:日本特开昭58-201290号公报
技术实现思路
本公开解决了上述课题,其目的在于,提供能够使电波屏蔽构造牢固稳定、并且能够使主体的外箱与加热室的内壁面之间的壁厚变薄的高频加热装置。为了解决上述以往的课题,本公开的高频加热装置具有:加热室,其收纳被加热物,在前表面具有开口部;高频产生部,其向加热室供给高频而对被加热物进行加热;以及门,其开闭自如地将开口部覆盖,在与开口部的周缘面对置的位置具有电波密封部。电波密封部具有:开孔,其形成在与开口部的周缘面对置的位置;以及轭流槽,其相对于开孔向加热室侧弯曲。轭流槽是通过将多个导体接合起来而形成的。多个导体具有第1导体,该第1导体在多个导体的接合部的附近具有向加热室内侧突出的凸部。凸部的背面侧空间构成轭流槽的一部分。由于在导体进行接合的接合部附近配设有凸部,所以对构成轭流槽的导体进行立体加强以提高强度。由此,能够抑制接合部的变形或组装偏差。并且,能够通过使轭流槽向加热室侧弯曲而在加热室侧形成谐振空间,因此能够使轭流槽与开口部周缘面对置的面积减小。此外,通过使凸部向加热室内部侧突出,在加热室侧面与凸部之间形成间隙空间。由于该间隙空间作为用于使高频衰减的高频传播路径来发挥功能,所以相应地能够使开口部周缘面与导体之间的间隙减小。由于能够以这种方式使开口部周缘面的宽度大幅减小,所以能够使主体外轮廓与加热室内壁面之间的壁厚大幅变薄。本公开的高频加热装置能够提供使电波屏蔽构造牢固稳定、并且能够使主体的外箱与加热室的内壁面之间的壁厚变薄的高频加热装置。附图说明图1是本公开的实施方式1的将门打开的状态下的高频加热装置的立体图。图2是本公开的实施方式1的将门关闭的状态下的高频加热装置的纵剖视图。图3是示出本专利技术的实施方式1的高频加热装置的电波密封部的局部剖视图。图4是本公开的实施方式1的高频加热装置的电波密封部的局部剖面立体图。图5是本公开的实施方式1的高频加热装置的电波泄漏特性图。图6是本公开的实施方式本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种高频加热装置,该高频加热装置具有:加热室,其收纳被加热物,在前表面具有开口部;高频产生部,其向所述加热室供给高频而对所述被加热物进行加热;以及门,其开闭自如地将所述开口部覆盖,在与所述开口部的周缘面对置的位置具有电波密封部,其中,所述电波密封部具有:开孔,其形成在与所述开口部的所述周缘面对置的位置;以及轭流槽,其相对于所述开孔向所述加热室侧弯曲,所述轭流槽是通过将多个导体接合起来而形成的,所述多个导体具有第1导体,该第1导体在所述多个导体的接合部的附近具有向所述加热室里侧突出的凸部,所述凸部的背面侧空间构成所述轭流槽的一部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.10 JP 2016-0464141.一种高频加热装置,该高频加热装置具有:加热室,其收纳被加热物,在前表面具有开口部;高频产生部,其向所述加热室供给高频而对所述被加热物进行加热;以及门,其开闭自如地将所述开口部覆盖,在与所述开口部的周缘面对置的位置具有电波密封部,其中,所述电波密封部具有:开孔,其形成在与所述开口部的所述周缘面对置的位置;以及轭流槽,其相对于所述开孔向所述加热室侧弯曲,所述轭流槽是通过将多个导体接合...

【专利技术属性】
技术研发人员:国本启次郎细川大介大森义治
申请(专利权)人:松下知识产权经营株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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