半导体发光装置制造方法及图纸

技术编号:19398509 阅读:22 留言:0更新日期:2018-11-10 05:28
本发明专利技术包括:发光元件群,设有多列串联连接的多个发光元件,是将多列的多个发光元件的一端共连至电源而构成;多个电流控制元件,与所述多列对应而设,连接于各列的所述多个发光元件的另一端,对流经所述多个发光元件的电流进行控制;正向电压监控电路,对各列的每一列监控所述多个发光元件的合计正向电压;以及控制电路,基于由所述正向电压监控电路所检测的各列的每一列的所述多个发光元件的合计正向电压来控制所述电流控制元件,以使所述多列的所述多个发光元件的合计正向电压的偏差成为阈值以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体发光装置
本专利技术涉及一种具有将串联连接的多个发光元件并联连接而成的发光元件模块(module)的半导体发光装置,尤其涉及对用于控制发光元件的电流的晶体管(transistor)的发热进行抑制的技术。
技术介绍
专利文献1所记载的半导体激光装置中,将多列串联连接的多个激光二极管(laserdiode)进一步并联连接,并将多列的多个激光二极管的阳极(anode)共连,将多列的多个激光二极管的阴极(cathode)共连,构成多个并联条(line)。由此,能够通过一个电流控制元件来对各激光二极管供给电流。因此,能够以简便的结构来实现半导体激光装置。然而,各并联条的多个激光二极管的电位差虽相同,但各激光二极管的正向电压存在个体差异。因此,流经各并联条的多个激光二极管的电流不同,因此电流会集中在任一并联条。其结果,电流集中的激光二极管的寿命变短。而且,专利文献2所记载的半导体激光装置是设置多列串联连接的多个激光二极管(条),将多列条的一端共连,在多列条的另一端连接电流控制元件,通过各电流控制元件来控制各条的电流。此时,若将各条的激光二极管数设定为相同,则因各条的激光二极管的正向电压差而电流控制元件的发热变大。而且,作为以往的公知文献,已知有专利文献3、专利文献4。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利特开2009-123833号公报专利文献2:日本专利特开2005-129877号公报专利文献3:日本专利特开平11-87818号公报专利文献4:日本专利特开平6-275895号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题但是,在专利文献2中存在下述问题,即:若为了吸收各条的正向电压差而变更激光二极管数,则激光二极管的总输出将发生变化。本专利技术提供一种半导体发光装置,当将多个发光元件串联连接且并联连接时,能够获得所期望的光输出,并且能够抑制电流控制元件的发热,且延长发光元件的寿命。解决问题的技术手段为了解决所述问题,本专利技术的半导体发光装置包括:发光元件群,设有多列串联连接的多个发光元件,是将多列的多个发光元件的一端共连至电源而构成;多个电流控制元件,与所述多列对应而设,连接于各列的所述多个发光元件的另一端,对流经所述多个发光元件的电流进行控制;正向电压监控电路,对各列的每一列监控所述多个发光元件的合计正向电压;以及控制电路,基于由所述正向电压监控电路所检测的各列的每一列的所述多个发光元件的合计正向电压来控制所述电流控制元件,以使所述多列的所述多个发光元件的合计正向电压的偏差成为阈值以下。专利技术的效果根据本专利技术,控制电路基于由正向电压监控电路所检测的各列的每一列的多个发光元件的合计正向电压来控制电流控制元件,以使多列的多个发光元件的合计正向电压的偏差成为阈值以下,因此能够获得所期望的光输出,并且能够抑制电流控制元件的发热,且延长发光元件的寿命。附图说明图1是本专利技术的实施例1的半导体发光装置的电路结构图。图2是本专利技术的实施例2的半导体发光装置的电路结构图。图3是本专利技术的实施例3的半导体发光装置的电路结构图。图4是本专利技术的实施例4的半导体发光装置的电路结构图。具体实施方式实施例1以下,一边参照附图,一边详细说明本专利技术的实施方式的半导体发光装置。图1是本专利技术的实施例1的半导体发光装置的电路结构图。半导体发光装置如图1所示,包括激光二极管群1、多个电流控制元件Q1~电流控制元件Qm、正向电压监控电路11及激光二极管(laserdiode,LD)电流量控制电路12。激光二极管群1对应于本专利技术的发光元件群,包含多个发光元件。本实实施例中,使用激光二极管(LD)来作为发光元件,但也能够使用发光二极管(LightEmittingDiode,LED)来作为发光元件。激光二极管群1是设有m列(LD11~LD1n、LD21~LD2n…LDm1~LDmn)串联连接的n个激光二极管而构成,m列的n个激光二极管LD11~LD1n、LD21~LD2n、…LDm1~LDmn的阳极共连至电源Vcc。多个电流控制元件Q1~电流控制元件Qm包含金属氧化物半导体场效晶体管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET),是与m列的n个激光二极管LD11~激光二极管LD1n、激光二极管LD21~激光二极管LD2n、…激光二极管LDm1~激光二极管LDmn对应而设,连接于各列的n个激光二极管LD11~激光二极管LD1n、激光二极管LD21~激光二极管LD2n…激光二极管LDm1~激光二极管LDmn的阴极,对流经各列的n个激光二极管LD11~激光二极管LD1n、激光二极管LD21~激光二极管LD2n…激光二极管LDm1~激光二极管LDmn的电流进行控制。正向电压监控电路11对n个激光二极管LD11~激光二极管LD1n的合计正向电压、n个激光二极管LD21~激光二极管LD2n的合计正向电压、…、n个激光二极管LDm1~激光二极管LDmn的合计正向电压进行监控。此处,所谓正向电压,是指激光二极管LD的阳极-阴极间的电压。LD电流量控制电路12对应于本专利技术的控制电路,基于由正向电压监控电路11所检测的n个激光二极管LD11~激光二极管LD1n的合计正向电压、n个激光二极管LD21~激光二极管LD2n的合计正向电压、…、n个激光二极管LDm1~激光二极管LDmn的合计正向电压,来控制电流控制元件Q1~电流控制元件Qm,以使n个激光二极管LD11~激光二极管LD1n的合计正向电压、n个激光二极管LD21~激光二极管LD2n的合计正向电压、…、n个激光二极管LDm1~激光二极管LDmn的合计正向电压的偏差成为阈值以下。即,LD电流量控制电路12控制电流控制元件Q1~电流控制元件Qm,以减少合计正向电压大的列的n个激光二极管的电流,增加合计正向电压小的列的n个激光二极管电流。接下来,一边参照图1,一边详细说明这样构成的实施例1的半导体发光装置的动作。此处,将m列的m设为例如3来进行说明。另外,m并不限定于3。首先,正向电压监控电路11对n个激光二极管LD11~激光二极管LD1n的合计正向电压Vd1、n个激光二极管LD21~激光二极管LD2n的合计正向电压Vd2、n个激光二极管LD31~激光二极管LD3n的合计正向电压Vd3进行监控。此处,例如假设为Vd1>Vd2>Vd3。接下来,LD电流量控制电路12基于由正向电压监控电路11所检测的n个激光二极管LD11~激光二极管LD1n的合计正向电压Vd1、n个激光二极管LD21~激光二极管LD2n的合计正向电压Vd2、n个激光二极管LD31~激光二极管LD3n的合计正向电压Vd3来控制电流控制元件Q1~电流控制元件Qm,以使三个合计正向电压Vd1、合计正向电压Vd2、合计正向电压Vd3的偏差成为阈值以下。本例中,由于合计正向电压Vd1为最大的电压,因此LD电流量控制电路12使对电流控制元件Q1的栅极(gate)施加的电压减少,从而使流经n个激光二极管LD11~激光二极管LD1n的电流减少。因此,n个激光二极管LD11~激光二极管LD1n的合计正向电压Vd1减少而合计正向电压Vd1接近合计正向电压Vd2。并且,LD电流量控制电路12调整流经n个激光二极管LD11~激光二极管L本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光装置,包括:发光元件群,设有多列串联连接的多个发光元件,是将多列的多个发光元件的一端共连至电源而构成;多个电流控制元件,与所述多列对应而设,连接于各列的所述多个发光元件的另一端,对流经所述多个发光元件的电流进行控制;正向电压监控电路,对各列的每一列监控所述多个发光元件的合计正向电压;以及控制电路,基于由所述正向电压监控电路所检测的各列的每一列的所述多个发光元件的合计正向电压来控制所述电流控制元件,以使所述多列的所述多个发光元件的合计正向电压的偏差成为阈值以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体发光装置,包括:发光元件群,设有多列串联连接的多个发光元件,是将多列的多个发光元件的一端共连至电源而构成;多个电流控制元件,与所述多列对应而设,连接于各列的所述多个发光元件的另一端,对流经所述多个发光元件的电流进行控制;正向电压监控电路,对各列的每一列监控所述多个发光元件的合计正向电压;以及控制电路,基于由所述正向电压监控电路所检测的各列的每一列的所述多个发光元件的合计正向电压来控制所述电流控制元件,以使所述多列的所述多个发光元件的合计正向电压的偏差成为阈值以下...

【专利技术属性】
技术研发人员:宇野进吾广木知之东条公资齐川次郎石垣直也坂本隼规
申请(专利权)人:株式会社岛津制作所
类型:发明
国别省市:日本,JP

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