半导体器件制造技术

一个实施例包括：衬底；第一导电半导体层，设置在衬底上；第二导电半导体层，设置在第一导电半导体层上；以及有源层，设置在第一和第二导电半导体层之间，其中第一导电半导体层包括第一导电半导体层的一部分暴露其中的第一区域，并且包括设置在第一区域的上表面与第二导电半导体层上表面之间的倾斜部分，其中倾斜部分包括与第二导电半导体层上表面接触的第一边缘和与第一导电半导体层的第一区域上表面接触的第二边缘，其中第一和第二长度的比率为1：0.87至1：4.26，其中第一长度是第一和第二边缘之间沿第一方向的长度，第二长度是第一和第二边缘之间沿第二方向的长度，其中第一和第二方向是彼此垂直的方向。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件
实施例涉及一种半导体器件。
技术介绍
包括诸如GaN的III-V族化合物的半导体器件由于其物理和化学性质，作为半导体光学器件(诸如发光二极管(LED)、光接收器件、激光二极管(LD)和太阳能电池)的基本材料而备受关注。氮化物半导体光学器件用作各种产品的光源，例如蜂窝电话、键盘、显示板和照明设备的背光。特别是，随着数字产品的发展，对具有更高亮度和更高可靠性的氮化物半导体光学器件的需求增加。此外，当使用III-V族或II-VI族化合物的半导体材料制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，随着器件材料的发展，可以通过吸收各种波长的光并产生光电流来利用从伽马射线到无线电波长带的各种波长区域的光。另外，这种半导体器件具有诸如响应速度快、安全、环境友好或易于控制器件材料的优点，因此可以容易地用于功率控制或微波电路或通信模块。因此，半导体器件适用于光通信装置的传输模块、代替构成液晶显示器(LCD)背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光、可代替荧光灯或白炽灯的白色发光二极管照明设备、车头灯和交通灯以及用于感测气体或火灾的传感器。另外，半导体器件适用于高频电路、其他电源控制设备和通信模块。
技术实现思路
技术问题实施例提供一种能够确保可靠性并抑制工作电压增加的半导体器件。技术方案在一个实施例中，一种半导体器件包括：衬底；第一导电类型半导体层，设置在所述衬底上；第二导电类型半导体层，设置在所述第一导电类型半导体层上；以及有源层，设置在所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间。所述第一导电类型半导体层包括第一区域，所述第一导电类型半导体层的一部分暴露在所述第一区域中，倾斜部分设置在所述第一区域的上表面与所述第二导电类型半导体层的上表面之间，所述倾斜部分包括与所述第二导电类型半导体层的所述上表面接触的第一边缘和与所述第一导电类型半导体层的所述第一区域的所述上表面接触的第二边缘，所述第一长度与所述第二长度的比率为1：0.87至1：4.26，以及所述第一长度是所述第一边缘与所述第二边缘之间沿第一方向的长度，所述第二长度是所述第一边缘与所述第二边缘之间沿第二方向的长度，并且所述第一方向和所述第二方向彼此垂直。所述倾斜部分与所述第二边缘处的所述第一区域的所述上表面之间的角度可以为115°至139°。所述第一长度为0.47μm至1.15μm，所述第二长度可以为1μm至2μm。所述半导体器件还可以包括设置在所述倾斜部分上的钝化层。所述第一长度可以为0.93μm至1.15μm。所述倾斜部分与所述第二边缘处的所述第一区域的所述上表面之间的角度可以为115°至120。所述第一导电类型半导体层可以是n-AlyGa(1-y)N，所述第二导电类型半导体层可以是p-AlxGa(1-x)N，并且所述第一导电类型半导体层中Al的含量y可以为0.4至0.6。所述半导体器件还可以包括：第一电极，设置在所述第一导电类型半导体层的所述第一区域中；以及第二电极，设置在所述第二导电类型半导体层上，所述第一电极可以与所述第二边缘间隔开，以及所述第二电极可以与所述第一边缘间隔开。第二边缘与所述第一电极之间的距离可以为至少10μm，所述第一边缘与所述第二边缘之间的距离可以为至少10μm。所述倾斜部分的第一内角可以不同于第一侧表面的第二内角，所述第一侧表面包括所述第一导电类型半导体层的侧表面、所述有源层的侧表面和所述第二导电的侧表面半导体层的侧表面，以及所述第一侧表面可以相对于所述衬底的所述上表面倾斜，所述第一侧表面的一端可以与所述衬底接触，所述第一侧表面的另一端可以与所述第二导电类型半导体层的所述上表面接触。有益效果实施例可以确保可靠性并抑制工作电压的增加。附图说明图1是根据实施例的半导体器件的透视图。图2是沿图1的半导体器件的线A-B截取的截面图。图3是图2中所示的虚线部分的放大图。图4是根据另一实施例的半导体器件的截面图。图5是示出在倾斜侧表面中发生的底切的视图。图6是示出形成在图5中所示的倾斜侧表面的表面上的钝化层的视图。图7a是示出根据倾斜侧表面的阶梯差和水平方向上的距离示出是否发生底切的第一实验结果的视图。图7b是示出根据倾斜侧表面的阶梯差和水平方向上的距离示出是否发生底切的第二实验结果的视图。图8a至图8e是示出根据倾斜侧表面的内角在倾斜侧表面中是否发生底切的视图。图9是示出根据实施例的半导体器件封装的截面图。图10是示出根据实施例的照明设备的视图。图11是示出根据实施例的显示设备的视图。具体实施方式在下文中，将通过附图及与实施例相关的描述来清楚地理解实施例。在描述实施例时，应当理解，当诸如层(膜)、区域、图案或结构的元件被称为形成在另一元件，例如层(膜)、区域、垫或图案的“上方”或“下方”时，术语“上方”或“下方”指元件直接在另一元件上方或下方，或者可以存在中间元件。还应该理解，“上方”或“下方”是基于附图确定的。在附图中，为了便于描述和清楚起见，可夸大、省略或示意性地示出元件的尺寸。此外，元件的尺寸并不意味着元件的实际尺寸。只要有可能，在整个附图中将使用相同的附图标记来表示相同的部件。半导体器件可以包括各种电子器件，例如发光器件或光接收器件。发光器件和光接收器件中的每一个可以包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。例如，根据实施例的半导体器件可以是发光器件。发光器件通过电子和空穴的复合发光，并且光的波长由材料固有的能带隙确定。因此，所发射的光可以根据材料的成分而变化。图1是根据实施例的半导体器件的透视图，图2是沿图1的半导体器件的线A-B截取的截面图。参照图1和图2，半导体器件100包括衬底110、设置在衬底110上的发光结构120、电连接到发光结构120的第一电极132和第二电极134、以及钝化层140。衬底110可以是例如蓝宝石衬底、硅(Si)衬底、氧化锌(ZnO)衬底或氮化物半导体衬底，作为适于生长氮化物半导体单晶的衬底。发光结构120设置在衬底110的一个表面上，并且包括顺序堆叠的第一导电类型半导体层122、有源层124和第二导电类型半导体层126。尽管未在图1和图2中示出，缓冲层可以设置在衬底110和第一导电类型半导体层122之间，以便减轻由于衬底110和发光结构120之间的晶格常数差异引起的晶格失配。缓冲层可以由包括III族元素和V族元素的氮化物半导体形成。例如，缓冲层可以包括InAlGaN、GaN、AlN、AlGaN和InGaN中的至少一种。缓冲层可以具有单层或多层结构，并且可以掺杂有II族元素或IV族作为杂质。第一导电类型半导体层122可以由III-V族或II-VI族化合物半导体形成，并且可以掺杂有第一导电类型掺杂剂。第一导电类型半导体层122可以由具有化学式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体形成并且可以掺杂有n型掺杂剂(例如，Si、Ge、Se、Te等)。例如，第一导电类型半导体层122可以是n型AlyGa(1-y)N，并且Al的含量y可以是0.4至0.6。有源层124可以设置在第一导电类型半导体层122和第二导电类型半导体层126之间。有源层124可以通过在重新组合由第一导电类型半导体层122和第二半导体层126提供的电子和空穴的过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：衬底；第一导电类型半导体层，设置在所述衬底上；第二导电类型半导体层，设置在所述第一导电类型半导体层上；以及有源层，设置在所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间，其中所述第一导电类型半导体层包括第一区域，所述第一导电类型半导体层的一部分暴露在所述第一区域中，其中倾斜部分设置在所述第一区域的上表面与所述第二导电类型半导体层的上表面之间，其中所述倾斜部分包括与所述第二导电类型半导体层的所述上表面接触的第一边缘和与所述第一导电类型半导体层的所述第一区域的所述上表面接触的第二边缘，其中所述第一长度与所述第二长度的比率为1：0.87至1：4.26，以及其中所述第一长度是所述第一边缘与所述第二边缘之间沿第一方向的长度，所述第二长度是所述第一边缘与所述第二边缘之间沿第二方向的长度，并且所述第一方向和所述第二方向彼此垂直。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.08 KR 10-2016-00024771.一种半导体器件，包括：衬底；第一导电类型半导体层，设置在所述衬底上；第二导电类型半导体层，设置在所述第一导电类型半导体层上；以及有源层，设置在所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间，其中所述第一导电类型半导体层包括第一区域，所述第一导电类型半导体层的一部分暴露在所述第一区域中，其中倾斜部分设置在所述第一区域的上表面与所述第二导电类型半导体层的上表面之间，其中所述倾斜部分包括与所述第二导电类型半导体层的所述上表面接触的第一边缘和与所述第一导电类型半导体层的所述第一区域的所述上表面接触的第二边缘，其中所述第一长度与所述第二长度的比率为1：0.87至1：4.26，以及其中所述第一长度是所述第一边缘与所述第二边缘之间沿第一方向的长度，所述第二长度是所述第一边缘与所述第二边缘之间沿第二方向的长度，并且所述第一方向和所述第二方向彼此垂直。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述倾斜部分与所述第二边缘处的所述第一区域的所述上表面之间的角度为115°至139°。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一长度为0.47μm至1.15μm，所述第二长度为1μm至2μm。4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：成演准，李容京，崔光龙，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR