有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:19397987 阅读:40 留言:0更新日期:2018-11-10 05:20
一种有机发光二极管显示面板、具有该有机发光二极管显示面板的显示装置以及该有机发光二极管显示面板的制造方法。所述有机发光二极管显示面板具有多个像素,每个像素包括子像素区(SR)和子像素间区(ISR)。所述有机发光二极管显示面板包括:衬底基板(1);衬底基板(1)上的第一电极层(2);子像素区(SR)中位于第一电极层(2)的远离衬底基板的一侧的发光层(3a);位于发光层(3a)的远离第一电极层(2)的一侧的第二电极层(4);以及子像素间区(ISR)中与第二电极层(4)位于同一层的辅助电极层(5),辅助电极层(5)与第二电极层(4)彼此接触;辅助电极层(5)的厚度大于第二电极层(4)的厚度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置
本专利技术涉及有机发光二极管显示面板、具有该有机发光二极管显示面板的显示装置以及该有机发光二极管显示面板的制造方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)显示装置是自发光器件,并且不需要背光。与传统的液晶显示(LCD)装置相比,OLED显示装置还提供了更鲜艳的颜色和更大的色域。此外,与典型的LCD相比,OLED显示装置可以制造得更柔性、更薄、且更轻。OLED显示装置通常包括阳极、包括发光层的有机层和阴极。OLED可以是底发射型OLED或者顶发射型OLED。在底发射型OLED中,从阳极侧提取光。在底发射型OLED中,阳极通常是透明的,而阴极通常是反射性的。在顶发射型OLED中,从阴极侧提取光。阴极是光学透明的,而阳极是反射性的。
技术实现思路
一方面,本专利技术提供了一种有机发光二极管显示面板,其具有多个像素,每个像素包括子像素区和子像素间区,所述有机发光二极管显示面板包括:衬底基板;衬底基板上的第一电极层;子像素区中位于第一电极层的远离衬底基板的一侧的发光层;位于发光层的远离第一电极层的一侧的第二电极层;以及子像素间区中与第二电极层位于同一层的辅助电极层,辅助电极层与第二电极层彼此接触;辅助电极层的厚度大于第二电极层的厚度。可选地,辅助电极层的横截面实质上为倒梯形形状;该倒梯形形状的短底边位于辅助电极层的靠近第一电极层的一侧。可选地,第二电极层包括实质上在子像素区中的第一部分和实质上在子像素间区中的第二部分;第一部分通过第二部分与辅助电极层电连接。可选地,所述有机发光二极管显示面板还包括子像素间区中位于辅助电极层的远离衬底基板的一侧的像素限定层。可选地,所述有机发光二极管显示面板包括:子像素区中位于第一电极层的远离衬底基板的一侧的有机层,有机层包括发光层;以及子像素间区中位于辅助电极层的靠近衬底基板的一侧的绝缘层;其中有机层的厚度不大于绝缘层的厚度。可选地,有机层还包括一个或多个有机功能层。可选地,所述第二电极层是由透明金属材料制成的透明电极层。可选地,辅助电极层是由非透明金属材料制成的非透明电极层。可选地,第二电极层的第一部分的厚度在约5nm至约20nm的范围内。可选地,辅助电极层的厚度在约50nm至约500nm的范围内。可选地,所述有机发光二极管显示面板是顶发射型显示面板,第一电极层是阳极层,第二电极层是阴极层,辅助电极层是辅助阴极层。另一方面,本专利技术提供了一种制造有机发光二极管显示面板的方法,所述有机发光二极管显示面板具有多个像素,每个像素包括子像素区和子像素间区,所述方法包括:在衬底基板上形成第一电极层;在子像素间区中与第二电极层相同的层中形成辅助电极层,辅助电极层与第二电极层彼此接触;辅助电极层的厚度大于第二电极层的厚度;在子像素区中第一电极层的远离衬底基板的一侧形成发光层;以及在发光层的远离第一电极层的一侧形成第二电极层。可选地,辅助电极层形成为具有实质上为倒梯形形状的横截面;所述倒梯形形状的短底边位于辅助电极层的靠近第一电极层的一侧。可选地,所述方法还包括在子像素间区中辅助电极层的远离衬底基板的一侧形成像素限定层。可选地,在形成发光层的步骤之后执行形成第二电极层的步骤;所述形成第二电极层的步骤包括:在发光层的远离第一电极层的一侧气相沉积金属材料,从而形成第二电极层的实质上在子像素区中的第一部分和实质上在子像素间区中的第二部分,第一部分通过第二部分与辅助电极层电连接。可选地,第二电极层的第一部分形成为具有在约5nm至约20nm范围内的厚度;并且辅助电极层形成为具有约50nm至约500nm范围内的厚度。可选地,所述方法包括:在子像素区中第一电极层的远离衬底基板的一侧形成包括发光层的有机层;以及在子像素间区中辅助电极层的靠近衬底基板的一侧以及第一电极层的远离衬底基板的一侧形成绝缘层;其中有机层形成为具有不大于绝缘层的厚度的厚度。可选地,通过喷墨打印工艺来形成有机层。可选地,由透明金属材料形成第二电极层。另一方面,本专利技术提供了一种显示装置,其包括本文所述的或通过本文所述的方法制造的有机发光二极管显示面板。附图说明以下附图仅是根据所公开的各种实施例的用于示出目的的示例,并非旨在限制本专利技术的范围。图1是示出一些实施例中的有机发光二极管显示面板的结构的图。图2是示出一些实施例中的有机发光二极管显示面板的结构的图。图3是示出一些实施例中的有机发光二极管显示面板的结构的图。图4是示出一些实施例中的制造辅助电极层的过程的图。图5A至图5D示出了一些实施例中的制造有机发光二极管显示面板的过程。具体实施方式现在将参照以下实施例更加具体地描述本公开。应注意的是,仅出于示出和描述目的而在本文中呈现了一些实施例的以下描述。其并非旨在为穷举性的,或将本专利技术限制为所公开的具体形式。在顶发射型OLED中,可以由诸如氧化铟锡之类的透明导电材料和/或诸如镁和银之类的薄透明金属来形成阴极。与由氧化铟锡形成的阴极相比,金属阴极可具有更好的导电性。然而,为了使金属阴极是光学透明的,金属阴极必须制造得非常薄。在薄的金属层中,薄层电阻与具有更大厚度的金属层(例如,阳极)相比相对较大。由于大的薄层电阻,可能需要较大的功率来使顶发射型OLED工作。该问题在大尺寸显示面板中变得尤为严峻。在一些实施例中,阴极可由透明氧化铟锡材料制成。因为氧化铟锡是透明材料,所以由氧化铟锡制成的阴极可具有相对较大的厚度。但是,通常氧化铟锡只有通过溅射才能有效地沉积在衬底上。本公开中发现,氧化铟锡的溅射处理会损坏有机层,导致寿命缩短以及性能变差。在一些实施例中,可在阴极层的顶部上的层中添加辅助电极,其通过过孔与阴极电连接。但是,本公开中发现,在使用掩膜板形成辅助电极的过程中,有时会覆盖或阻塞过孔中的至少一些过孔。结果,辅助电极并未与阴极电连接,从而导致图像显示方面的缺陷,例如,mura缺陷。因此,本专利技术特别提供了一种具有新型结构的有机发光二极管显示面板、具有该有机发光二极管显示面板的显示装置、以及该有机发光二极管显示面板的制造方法,其基本消除了由于现有技术的局限和缺点而导致的问题中的一个或多个。一方面,本专利技术提供了一种有机发光二极管显示面板,其具有多个像素,每个像素包括子像素区和子像素间区。在一些实施例中,该有机发光二极管显示面板包括:衬底基板;衬底基板上的第一电极层;子像素区中的位于第一电极层的远离衬底基板的一侧的发光层;位于发光层的远离第一电极层的一侧的第二电极层;以及子像素间区中的与第二电极层位于同一层的辅助电极层。辅助电极层与第二电极层彼此接触;并且辅助电极层的厚度大于第二电极层的厚度。可选地,辅助电极层的横截面为基本倒梯形形状。倒梯形形状的短底边位于辅助电极层的靠近第一电极层的一侧,即,倒梯形形状的长底边位于辅助电极层的远离第一电极层的一侧。如本文中所用,子像素区是指子像素的发光区,诸如与有机发光二极管显示器中的发光层对应的区。可选地,像素可包括与该像素中的若干子像素对应的若干单独的发光区。可选地,子像素区是红色子像素的发光区。可选地,子像素区是绿色子像素的发光区。可选地,子像素区是蓝色子像素的发光区。可选地,子像素区是白色子像素的发光区。如本文中所用,子像素间区是指相邻的子像素区之间的区,诸如与有机发光二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管显示面板,其具有多个像素,每个像素包括子像素区和子像素间区,所述有机发光二极管显示面板包括:衬底基板;所述衬底基板上的第一电极层;所述子像素区中位于所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧的发光层;位于所述发光层的远离所述第一电极层的一侧的第二电极层;以及所述子像素间区中与所述第二电极层位于同一层的辅助电极层,所述辅助电极层与所述第二电极层彼此接触;所述辅助电极层的厚度大于所述第二电极层的厚度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机发光二极管显示面板,其具有多个像素,每个像素包括子像素区和子像素间区,所述有机发光二极管显示面板包括:衬底基板;所述衬底基板上的第一电极层;所述子像素区中位于所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧的发光层;位于所述发光层的远离所述第一电极层的一侧的第二电极层;以及所述子像素间区中与所述第二电极层位于同一层的辅助电极层,所述辅助电极层与所述第二电极层彼此接触;所述辅助电极层的厚度大于所述第二电极层的厚度。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中所述辅助电极层的横截面实质上为倒梯形形状;所述倒梯形形状的短底边位于所述辅助电极层的靠近所述第一电极层的一侧。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中所述第二电极层包括实质上在所述子像素区中的第一部分和实质上在所述子像素间区中的第二部分;所述第一部分通过所述第二部分与所述辅助电极层电连接。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,还包括所述子像素间区中位于所述辅助电极层的远离所述衬底基板的一侧的像素限定层。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,包括:所述子像素区中位于所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧的有机层,所述有机层包括所述发光层;以及所述子像素间区中位于所述辅助电极层的靠近所述衬底基板的一侧的绝缘层;其中所述有机层的厚度不大于所述绝缘层的厚度。6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示面板,其中所述有机层还包括一个或多个有机功能层。7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中所述第二电极层是由透明金属材料制成的透明电极层。8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示面板,其中所述辅助电极层是由非透明金属材料制成的非透明电极层。9.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示面板,其中所述第二电极层的第一部分的厚度在约5nm至约20nm的范围内。10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中所述辅助电极层的厚度在约50nm至约500nm的范围内。11.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中所述有机发光二极管显示面板是顶发射型显示面板...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵德江
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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