电路板、半导体装置、摄像装置、固态摄像元件、制造固态摄像元件的方法以及电子设备制造方法及图纸

本公开涉及一种抑制特性和产量降低的电路板、半导体装置、成像装置、固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法以及电子设备。形成在衬底表面上的台阶部分以分割状态配置。采用此配置，在光刻工艺中滴落的光致抗蚀剂液体流过分割的台阶部分之间的间隙，使得光致抗蚀剂液体在成像表面上均匀流动，由此可以抑制由于涂布不均匀所致的特性和产量的降低。本公开可以应用于固态图像传感器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电路板、半导体装置、摄像装置、固态摄像元件、制造固态摄像元件的方法以及电子设备
本公开涉及一种电路板、半导体装置、成像装置、固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法以及电子设备。具体地，本公开涉及一种抑制特性降低并且抑制产量降低的电路板、半导体装置、成像装置、固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法以及电子设备。
技术介绍
近年来，已知一种具有分层结构的背照射互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，其中除其上形成有光电转换器的传感器板以外还准备其上形成有驱动电路的电路板，并且电路板结合到与传感器板的光接收表面相对的表面。在此CMOS图像传感器中，所述分层结构是通过连接传感器板的布线层的表面和电路板的布线层的表面而形成的。此外，提供用于电连接传感器板和电路板的连接部分。在所述连接部分中，穿透传感器板的半导体层并且连接到传感器板的布线层的导通孔和穿透传感器板并且连接到电路板的布线层的另一个导通孔通过形成在传感器板的半导体层的光接收表面的上部部分上的布线部分彼此连接。此外，对应于每个像素的滤色器和芯片上透镜提供在传感器板的半导体层的光接收表面侧上。此处，滤色器与光电转换器之间的距离变得越短，灵敏度和颜色混合特性就变得越好。此外，光接收表面侧上半导体层的厚度(垂直于传感器板方向上的长度)优选地较小，以便放松对电路布线和对齐标记的限制、传感器板的应力等等。因此，使布线部分周围的区域的厚度比布线部分薄，并且布线部分在半导体层的光接收表面侧上形成台阶。因此，在形成布线部分之后涂布滤色器的情况下，由于台阶而导致滤色器的涂层不均匀。此外，对于固态成像装置，例如前照射CMOS图像传感器以及电荷耦合装置(CCD)图像传感器，在布线部分形成在半导体基板上形成像素的区域周围的情况下，以布线部分的厚度大于该区域的厚度的方式形成，由于布线部分的台阶而引起滤色器的涂层不均匀。鉴于以上内容，已经提出一种技术(参见专利文献1)，其中使成为台阶结构的端部区域的拐角部分具有弯曲形状，作为用于抑制由设置在背照射CMOS图像传感器的成像区域周围的台阶结构而导致的抗蚀剂涂布不均匀(上述涂层不均匀)的方法。此外，在专利文献1中公开的技术中，拐角部分的形状并不限于弯曲形状，并且还提出通过添加钝角拐角来使拐角部分具有钝角形状或圆角和钝角组合的形状。此外，已经提出一种技术(参见专利文献2)，其中通过在纵向或横向方向上在仅一个方向上设置穿芯片导通孔(ThroughChipVia，TCV)并且减小台阶区域的面积来减少涂布不均匀。引用列表专利文献专利文献1：国际公开号2014/156657专利文献2：国际公开号2015/133324
技术实现思路
本专利技术要解决的问题顺便提及，堆叠CMOS图像传感器(CIS)包含CIS衬底和逻辑衬底，并且衬底通过称为穿硅导通孔(TSV)的通孔连接。TSV在两个衬底结合和薄化之后形成。TSV主要形成在CIS衬底的成像区域周围的位置处。通过蚀刻钻孔的TSV镀覆有高导电材料，例如Cu。为了防止这些材料在晶片表面上的扩散，TSV覆盖有膜，例如SiON和SiN。由于对成像区域的分层结构来说是不必要的，因此去除覆盖膜。因此，对应于覆盖膜厚度的台阶结构形成在形成TSV的区域中。由于台阶相邻于成像区域存在，因此在TSV形成工艺之后，在光刻工艺中的抗蚀剂涂布工艺中引起由于台阶结构导致的抗蚀剂涂层不均匀。在专利文献1中公开的技术中，执行针对涂层不均匀的对策，例如将弯曲形状应用到拐角部分并且降低台阶的高度。然而，根据专利文献1和2中公开的技术，抑制涂布不均匀的效果不充分，并且存在装置特性受损并且产量降低的风险。考虑到此情况构思本公开，并且具体地，通过减少由台阶导致的涂布不均匀来抑制特性的降低并且抑制产量的降低。问题的解决方案根据本公开的一方面的固态图像传感器是一种衬底表面上的台阶结构处于分割状态的固态图像传感器。衬底表面上的台阶结构可以处于分割成相同形状的状态。处于分割状态的台阶结构可以包括预定宽度的间隙。在分割的台阶结构在平面方向上的尺寸设置为1的情况下，间隙的预定宽度可以大于0.2。处于分割状态下的台阶结构在几何上相对于一个预定轴向以间隙的预定宽度设置。处于分割状态下的台阶结构可以以如下方式在几何上相对于一个预定轴向以间隙的预定宽度设置：在其中流体滴落到衬底表面上的情况下，在其上形成有多个固态图像传感器的晶片旋转使得流体在衬底表面上流动的状态下，因台阶结构所致的间隙而改变的流体速度整体上被抵消。多个处于分割状态的台阶结构可以关于一个预定的轴向方向以间隙的预定宽度按几何方式设置在二维平面上。多个处于分割状态的台阶结构可以以如下方式在几何上相对于一个预定的轴向方向以间隙的预定宽度设置在二维平面上：在其中流体滴落到衬底表面上的情况下，在其上形成有多个固态图像传感器的晶片旋转使得流体在衬底表面上流动的状态下，因台阶结构所致的间隙而改变的流体速度整体上被抵消。处于分割状态的台阶结构在衬底平面方向上的尺寸可以小于100μm。当流体滴落到衬底表面上时，在其上形成有多个固态图像传感器的晶片旋转使得流体在衬底表面上流动的状态下，作为流体的膜厚度与衬底的高度之间的比的膜厚度/高度可以小于5。根据本公开的一方面的制造固态图像传感器的方法是一种其中衬底表面上的台阶结构处于分割状态的制造固态图像传感器的方法。根据本公开的一方面的成像装置是一种其中衬底表面上的台阶结构处于分割状态的成像装置。根据本公开的一方面的电子设备是一种其中衬底表面上的台阶结构处于分割状态的电子设备。根据本公开的一方面的半导体装置是一种其中衬底表面上的台阶结构处于分割状态的半导体装置。根据本公开的一方面的电路板是一种其中衬底表面上的台阶结构处于分割状态的电路板。根据本公开的一方面，衬底表面上的台阶结构处于分割状态。专利技术效果根据本公开的一方面，减少了涂布不均匀，由此可以抑制特性的降低，并且可以抑制产量的降低。附图说明图1是示出光致抗蚀剂的涂布不均匀发生机制的图示。图2是示出常规空腔的配置的图示。图3是示出光致抗蚀剂的涂布不均匀的视图。图4是示出常规空腔的配置的另一个图示。图5是示出应用本公开的技术的空腔的配置的图示。图6是示出常规空腔的配置的另一个图示。图7是示出图5中的空腔的效果的图示。图8是示出流过图5中的空腔的间隙的光致抗蚀剂的流速的分布的视图。图9是示出用于减少涂布不均匀的空腔之间的间隙的间距的相关性的视图。图10是示出用于减少涂布不均匀的空腔之间的间隙的间距的相关性的图表。图11是示出用于减少涂布不均匀的空腔的形状的相关性的图表。图12是示出用于减少涂布不均匀的空腔的尺寸的相关性的图表。图13是示出用于减少涂布不均匀的空腔的尺寸的相关性的另一个图表。图14是示出用于减少涂布不均匀的空腔的高度与光致抗蚀剂的膜厚度之间的比的相关性的图表。图15是示出作为应用本技术的电子设备的成像装置的示例性配置的框图。图16是示出应用本公开的技术的固态成像装置的示例性使用的图示。具体实施方式在下文中，将参考附图详细描述本公开的优选实施例。应注意，在本说明书和附图中，具有基本相同的功能配置的组成元件将由相同的附图标记表示，并且将省略其重复描述。<光致抗蚀剂涂布不均匀的发生机制&gt本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种固态图像传感器，其中衬底表面上的台阶结构处于分割状态。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.29 JP 2016-0656051.一种固态图像传感器，其中衬底表面上的台阶结构处于分割状态。2.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中所述衬底表面上的所述台阶结构处于分割为相同形状的状态。3.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中处于所述分割状态的所述台阶结构包含具有预定宽度的间隙。4.根据权利要求3所述的固态图像传感器，其中在分割的所述台阶结构在平面方向上的尺寸设置为1的情况下，所述间隙的所述预定宽度大于0.2。5.根据权利要求3所述的固态图像传感器，其中处于所述分割状态的所述台阶结构相对于一个预定的轴向方向以所述预定宽度的所述间隙按几何方式设置。6.根据权利要求5所述的固态图像传感器，其中处于所述分割状态的所述台阶结构以如下方式相对于所述一个预定的轴向方向以所述间隙的所述预定宽度按几何方式设置：在流体滴落到所述衬底表面上的情况下，其上形成多个固态图像传感器的晶片旋转使得所述流体在所述衬底表面上流动的状态下，由于所述台阶结构所致的所述间隙而改变的流体速度整体上被抵消。7.根据权利要求3所述的固态图像传感器，其中多个处于所述分割状态的所述台阶结构关于相对于一个预定的轴向...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹尾建治，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP