【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管、薄膜晶体管基板、液晶显示装置以及薄膜晶体管的制造方法
本专利技术涉及薄膜晶体管、薄膜晶体管基板、液晶显示装置以及薄膜晶体管的制造方法。
技术介绍
作为薄型面板之一,已知液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay。以下还有称为LCD的情况)。液晶显示装置具有低功耗以及小型轻量这样的优点,广泛用于个人计算机以及便携信息终端设备的监视器等。近年来,作为电视机用途,也广泛使用液晶显示装置。作为LCD的液晶控制方式,已知TwistedNematic(TN,扭曲向列)方式。进而,已知以In-PlaneSwitching(共面转换)方式以及FringeFieldSwitching(FFS,边缘场开关)方式为代表的横电场方式。根据横电场方式,得到广视场角以及高对比度。In-PlaneSwitching方式是对在对置的基板之间设置的液晶施加横电场来进行显示的显示方式。在In-PlaneSwitching方式中,施加横电场的像素电极和共用电极设置于同一层。因此,无法充分地驱动位于像素电极的正上方的液晶分子,透射率变低。另一方面,在FFS方式中,隔着层间绝缘膜配置共用电极和像素电极,由此发生倾斜电场(边缘电场)。因此,针对位于像素电极的正上方的液晶分子也能够施加横向的电场,能够充分地驱动位于像素电极的正上方的液晶分子。因此,能够与广视场角一起,得到比In-PlaneSwitching方式高的透射率。在FFS方式中,在设置于上层的液晶控制用狭缝电极、与隔着层间绝缘膜设置于液晶控制用狭缝电极的下层的像素电极之间,发生边缘电场。通过在该构造中用透明导电膜形成像 ...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管(100),具备:栅电极(110);栅极绝缘膜(120),覆盖所述栅电极;氧化物半导体层(130),隔着所述栅极绝缘膜与所述栅电极对置;下层半导体层(140),部分性地设置于所述氧化物半导体层与所述栅极绝缘膜之间;以及源电极(151)及漏电极(152),与所述氧化物半导体层相接,所述下层半导体层存在于所述氧化物半导体层与所述源电极重叠的源极重叠区域(171)和所述氧化物半导体层与所述漏电极重叠的漏极重叠区域(172)中的至少一方,但在所述源极重叠区域与所述漏极重叠区域之间设置有不存在所述下层半导体层的区域。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.18 JP 2016-0548561.一种薄膜晶体管(100),具备:栅电极(110);栅极绝缘膜(120),覆盖所述栅电极;氧化物半导体层(130),隔着所述栅极绝缘膜与所述栅电极对置;下层半导体层(140),部分性地设置于所述氧化物半导体层与所述栅极绝缘膜之间;以及源电极(151)及漏电极(152),与所述氧化物半导体层相接,所述下层半导体层存在于所述氧化物半导体层与所述源电极重叠的源极重叠区域(171)和所述氧化物半导体层与所述漏电极重叠的漏极重叠区域(172)中的至少一方,但在所述源极重叠区域与所述漏极重叠区域之间设置有不存在所述下层半导体层的区域。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管(100),其中,所述氧化物半导体层的厚度与所述下层半导体层的厚度之和大于光的进入长度与空穴的扩散长度之和。3.根据权利要求1或者2所述的薄膜晶体管(100),其中,所述下层半导体层的载流子密度高于所述氧化物半导体层的载流子密度。4.一种薄膜晶体管基板(30、30B),具备权利要求1至3中的任意一项所述的薄膜晶体管(100)作为像素晶体管(83),其中,该薄膜晶体管基板具备像素电极(84),该像素电极(84)与所述薄膜晶体管的所述漏电极电连接,用与所述薄膜晶体管的所述下层半导体层相同的氧化物半导体构成。5.一种薄膜晶体管(100C),具备:栅电极(110);栅极绝缘膜(120),覆盖所述栅电极;氧化物半导体层(180),隔着所述栅极绝缘膜与所述栅电极对置;以及源电极(151)及漏电极(152),与所述氧化物半导体层相接,所述氧化物半导体层包括:源极连接区域(181),与所述源电极相接;漏极连接区域(182),与所述漏电极相接;以及沟道区域(183),该沟道区域是所述源极连接区域与所述漏极连接区域之间的区域,具有比所述源极连接区域及所述漏极连接区域薄的部分(184),所述沟道区域的所述薄的部分与所述源极连接区域或者所述漏极连接区域相离空穴的扩散长度以上。6.一种液晶显示装置(10),具备:薄膜晶体管基板(30、30B),包括权利要求1至3和权利要求5中的任意一项所述的薄膜晶体管(100、100C);对置基板(40),与所述薄膜晶体管基板对置;以及液晶层(50),设置于所述薄膜晶体管基板与所述对置基板之间。7.一种液晶显示装置(10),具备:权利要求4所述的薄膜晶体管基板(30、30B);对置基板(40),与所述薄膜晶体管基板对置;以及液晶层(50),设置于所述薄膜晶体管基板与所述对置基板之间。8.一种薄膜晶体管(100)的制造方法,具备:(...
【专利技术属性】
技术研发人员:平野梨伊,井上和式,
申请(专利权)人:三菱电机株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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