有源矩阵基板及其制造方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种有源矩阵基板、其制造方法和显示装置，在显示面板的制造工序中能够抑制静电放电的发生，并且能够抑制制造成本。在IGZO膜被构成栅极绝缘膜的氧化硅膜和蚀刻阻挡层夹着的状态下，在用于保护TFT的钝化膜形成之后，在200～350℃下进行退火，并且是IGZO膜从导体变化为半导体。其结果是，不仅能够抑制ESD的发生，而且能够不需要从显示面板分离静电放电防止电路，所以能够降低显示装置的制造成本。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有源矩阵基板及其制造方法和显示装置
本专利技术涉及有源矩阵基板及其制造方法和显示装置，特别是涉及能够抑制静电放电的有源矩阵基板及其制造方法和显示装置。
技术介绍
在玻璃基板等的绝缘基板上形成显示面板(例如液晶面板)的制造工序中，包括例如在干蚀刻中产生的等离子体、或湿蚀刻中使用的蚀刻液的液体排出中使用的气刀等容易产生静电的工序。所产生的静电由于使扫描信号线、数据信号线的一部分带电，而对绝缘的信号线间施加高电压，产生比绝缘膜的绝缘耐压高的静电放电(ElectrostaticDischarge：ESD)。如果发生ESD，将相邻的导体绝缘的绝缘膜被绝缘击穿(破坏)，本应绝缘的信号线之间发生短路，因此存在液晶面板不能正常工作或者成为造成误动作的原因的问题。因此，在专利文献1记载的电磁波检测装置中，在形成有光电转换元件的检测部的外侧设置有保护电路，该保护电路包括：形成在各扫描信号线和各数据信号线上的输入输出端子；从各输入输出端子向外侧延伸的各导线；和将各导线在输入输出端子的外侧连结的共用线。由此，即使扫描信号线、数据信号线带静电，也不会发生薄膜晶体管的工作电压变动、或者物理性的破坏。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-130273号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题如专利文献1所述，在输入端子的外侧设置有连结各导线的共用线的情况下，在容易带静电的工序中的处理结束后，且在进行电磁波检测装置的测试前，必须具有将形成有共用线的玻璃基板切断并使之分离的工序。但是，由于会增加切断玻璃基板的工序的成本，因此存在电磁波检测装置的制造成本增加的问题。因此，本专利技术的目的在于提供一种在显示面板的制造工序中能够抑制静电放电的发生并且能够抑制制造成本的有源矩阵基板及其制造方法和显示装置。用于解决问题的技术手段本专利技术的第一方面是一种有源矩阵基板，其在绝缘基板上呈矩阵状地形成有多个像素形成部，该有源矩阵基板的特征在于，包括：显示部，其形成有：形成在上述绝缘基板上的多个扫描信号线；形成在栅极绝缘膜上的与上述多个扫描信号线分别交叉的多个数据信号线，其中上述栅极绝缘膜形成在上述扫描信号线上；和对应于上述扫描信号线与上述数据信号线的各交叉点而配置的上述多个像素形成部；依次选择上述多个扫描信号线的扫描信号线驱动电路，和将基于从外部输入的图像数据而生成的图像信号电压写入到上述多个数据信号线的数据信号线驱动电路；和设置在上述显示部的外侧的连结上述多个扫描信号线和上述多个数据信号线中的至少任一者的信号线的连结导线，上述连结导线通过在相邻的上述信号线之间分别配置含有氧化物半导体膜的连结配线而连结上述信号线。本专利技术的第二方面的特征在于，在本专利技术的第一方面中，连接上述相邻的信号线之间的上述连结配线的至少一部分，仅通过上述氧化物半导体膜连接。本专利技术的第三方面的特征在于，在本专利技术的第二方面中，连接上述相邻的信号线之间的上述连结配线中包含的上述氧化物半导体膜被半导体化。本专利技术的第四方面的特征在于，在本专利技术的第一方面中，上述连结导线包括第一连结导线和第二连结导线，上述第一连结导线通过在相邻的上述扫描信号线之间分别配置包含上述氧化物半导体膜的第一连结配线而连结上述扫描信号线，上述第二连结导线通过在相邻的上述数据信号线之间分别配置包含上述氧化物半导体膜的第二连结配线而连结上述数据信号线。本专利技术的第五方面的特征在于，在本专利技术的第一方面中，上述连结导线通过在相邻的上述扫描信号线之间、相邻的上述数据信号线之间和相邻的上述扫描信号线与上述扫描信号线之间分别配置包含上述氧化物半导体膜的连结配线，而连结上述多个扫描信号线和上述多个扫描信号线。本专利技术的第六方面的特征在于，在本专利技术的第一方面中，还包括配置在上述显示部的外侧的显示部检查电路，上述显示部检查电路检查上述多个扫描信号线之间、上述多个数据信号线之间和上述多个扫描信号线与上述多个数据信号线之间有无短路，上述显示部检查电路包括：第一检查控制部，其具有：与上述多个扫描信号线分别连接的多个第一配线；和与上述多个第一配线分别连接的控制对上述扫描信号线施加的电压的多个第一薄膜晶体管，上述多个第一配线分为1个或2个以上的组并按每一组进行连接；和第二检查控制部，其具有：与上述多个数据信号线分别连接的多个第二配线；和与上述多个第二配线分别连接的控制对上述数据信号线施加的电压的多个第二薄膜晶体管，上述多个第二配线分为1个或2个以上的组并按每一组进行连接，上述第一薄膜晶体管和上述第二薄膜晶体管的沟道层由氧化物半导体形成。本专利技术的第七方面的特征在于，在本专利技术的第一方面中，上述像素形成部具有沟道层由氧化物半导体形成的薄膜晶体管，上述薄膜晶体管为沟道蚀刻型。本专利技术的第八方面的特征在于，在本专利技术的第一方面中，上述像素形成部具有沟道层由氧化物半导体形成的薄膜晶体管，上述薄膜晶体管为沟道阻挡型。本专利技术的第九方面的特征在于，在本专利技术的第七或第八方面中，将相邻的上述扫描信号线彼此连结的连结配线，具有上述相邻的扫描信号线通过上述氧化物半导体膜直接连接的结构。本专利技术的第十方面的特征在于，在本专利技术的第七或第八方面中，将相邻的上述扫描信号线彼此连结的连结配线，具有通过与上述数据信号线同时形成的连接配线连接上述氧化物半导体膜与上述扫描信号线的结构。本专利技术的第十一方面的特征在于，在本专利技术的第七或第八方面中，将相邻的上述数据信号线彼此连结的连结配线，具有相邻的上述数据信号线与上述氧化物半导体膜直接连接的结构。本专利技术的第十二方面的特征在于，在本专利技术的第七或第八方面中，将相邻的上述扫描信号线与上述数据信号线连结的连结配线，具有上述数据信号线和上述扫描信号线与上述氧化物半导体膜直接连接的结构。本专利技术的第十三方面的特征在于，在本专利技术的第七或第八方面中，将相邻的上述扫描信号线与上述数据信号线连结的连结配线，具有上述数据信号线和上述扫描信号线中的任一者与上述氧化物半导体膜直接连接，另一者经由与设置在上述像素形成部的像素电极同时形成的连接配线连接的结构。本专利技术的第十四方面的特征在于，在本专利技术的第十三方面中，上述数据信号线、上述扫描信号线和上述氧化物半导体膜不同时重叠。本专利技术的第十五方面是一种显示装置，其特征在于：使用第一方面所述的有源矩阵基板作为显示图像的显示面板。本专利技术的第十六方面是本专利技术的第一方面所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，包括：形成覆盖栅极电极的栅极绝缘膜的工序，其中上述栅极电极形成在上述绝缘基板上；在上述栅极绝缘膜上形成上述氧化物半导体膜的工序；用于使上述氧化物半导体膜导体化的导体化处理工序；用氧化膜覆盖上述氧化物半导体膜的工序；和用于使上述氧化物半导体膜从导体变化为半导体的半导体化热处理工序，上述半导体化热处理工序是在从形成用于保护上述像素形成部的保护膜的工序至形成用于使液晶分子的取向方向一致的取向膜的工序的任意工序中进行的热处理工序。本专利技术的第十七方面的特征在于，在本专利技术的第十六方面中，上述半导体化热处理工序是在用于保护上述像素形成部的保护膜形成之后进行的热处理工序。本专利技术的第十八方面的特征在于，在本专利技术的第十六方面中，还包括形成在上述像素形成部的上述保护膜上的像素电极，上述半导体化热处理工序是在形成上述像素电极时，用于使构成上述像素电极的透明本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有源矩阵基板，其在绝缘基板上呈矩阵状地形成有多个像素形成部，该有源矩阵基板的特征在于，包括：显示部，其形成有：形成在所述绝缘基板上的多个扫描信号线；形成在栅极绝缘膜上的与所述多个扫描信号线分别交叉的多个数据信号线，其中所述栅极绝缘膜形成在所述扫描信号线上；和对应于所述扫描信号线与所述数据信号线的各交叉点而配置的所述多个像素形成部；依次选择所述多个扫描信号线的扫描信号线驱动电路，和将基于从外部输入的图像数据而生成的图像信号电压写入到所述多个数据信号线的数据信号线驱动电路；和设置在所述显示部的外侧的连结所述多个扫描信号线和所述多个数据信号线中的至少任一者的信号线的连结导线，所述连结导线通过在相邻的所述信号线之间分别配置含有氧化物半导体膜的连结配线而连结所述信号线。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.31 JP 2016-0708021.一种有源矩阵基板，其在绝缘基板上呈矩阵状地形成有多个像素形成部，该有源矩阵基板的特征在于，包括：显示部，其形成有：形成在所述绝缘基板上的多个扫描信号线；形成在栅极绝缘膜上的与所述多个扫描信号线分别交叉的多个数据信号线，其中所述栅极绝缘膜形成在所述扫描信号线上；和对应于所述扫描信号线与所述数据信号线的各交叉点而配置的所述多个像素形成部；依次选择所述多个扫描信号线的扫描信号线驱动电路，和将基于从外部输入的图像数据而生成的图像信号电压写入到所述多个数据信号线的数据信号线驱动电路；和设置在所述显示部的外侧的连结所述多个扫描信号线和所述多个数据信号线中的至少任一者的信号线的连结导线，所述连结导线通过在相邻的所述信号线之间分别配置含有氧化物半导体膜的连结配线而连结所述信号线。2.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：连接所述相邻的信号线之间的所述连结配线的至少一部分，仅通过所述氧化物半导体膜连接。3.如权利要求2所述的有源矩阵基板，其特征在于：连接所述相邻的信号线之间的所述连结配线中包含的所述氧化物半导体膜被半导体化。4.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：所述连结导线包括第一连结导线和第二连结导线，所述第一连结导线通过在相邻的所述扫描信号线之间分别配置包含所述氧化物半导体膜的第一连结配线而连结所述扫描信号线，所述第二连结导线通过在相邻的所述数据信号线之间分别配置包含所述氧化物半导体膜的第二连结配线而连结所述数据信号线。5.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：所述连结导线通过在相邻的所述扫描信号线之间、相邻的所述数据信号线之间和相邻的所述扫描信号线与所述扫描信号线之间分别配置包含所述氧化物半导体膜的连结配线，而连结所述多个扫描信号线和所述多个扫描信号线。6.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：还包括配置在所述显示部的外侧的显示部检查电路，所述显示部检查电路检查所述多个扫描信号线之间、所述多个数据信号线之间和所述多个扫描信号线与所述多个数据信号线之间有无短路，所述显示部检查电路包括：第一检查控制部，其具有：与所述多个扫描信号线分别连接的多个第一配线；和与所述多个第一配线分别连接的控制对所述扫描信号线施加的电压的多个第一薄膜晶体管，所述多个第一配线分为1个或2个以上的组并按每一组进行连接；和第二检查控制部，其具有：与所述多个数据信号线分别连接的多个第二配线；和与所述多个第二配线分别连接的控制对所述数据信号线施加的电压的多个第二薄膜晶体管，所述多个第二配线分为1个或2个以上的组并按每一组进行连接，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的沟道层由氧化物半导体形成。7.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：所述像素形成部具有沟道层由氧化物半导体形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为沟道蚀刻型。8.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈部达，锦博彦，中岛伸二，石田和泉，村重正悟，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP