【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有源矩阵基板
本专利技术涉及使用氧化物半导体形成的有源矩阵基板。
技术介绍
液晶显示装置等所使用的有源矩阵基板按每个像素具备薄膜晶体管(ThinFilmTransistor;以下,称为“TFT”)等开关元件。作为这种开关元件,以往以来广泛使用将非晶硅膜作为活性层的TFT(以下,称为“非晶硅TFT”)、将多晶硅膜作为活性层的TFT(以下,称为“多晶硅TFT”)。作为TFT的活性层的材料,已提出使用氧化物半导体来代替非晶硅、多晶硅。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此,氧化物半导体TFT能比非晶硅TFT高速地动作。另一方面,已知将栅极驱动器、源极驱动器等驱动电路单片(一体)地设置在基板上的技术。这些驱动电路(单片驱动器)通常使用TFT来构成。最近,已利用使用氧化物半导体TFT在基板上制作单片驱动器的技术,由此,实现边框区域的窄小化、安装工序简化所带来的成本降低。构成驱动电路的TFT(以下,称为“电路TFT”)一般是在制作作为开关元件配置于每个像素的TFT(以下,称为“像素TFT”)的工序中同时制作的。因此,电路TFT与像素TFT使用同一氧化物半导体膜形成,并且往往具有相同或类似的结构。然而,像素TFT与电路TFT所要求的特性不同,形成具有这两者的特性的氧化物半导体TFT是困难的。对此,提出了使TFT结构在电路TFT与像素TFT中不同。例如专利文献1公开了在电路TFT中以控制阈值电压为目的设置背栅电极,在像素TFT中不设置背栅电极的构成。“背栅电极”是指以将半导体层夹在之间而与主栅电极相对的方式配置的附加性的栅极电极。 ...
【技术保护点】
1.一种有源矩阵基板,具有:显示区域,其包含多个像素;以及非显示区域,其设置在上述显示区域的周边,上述有源矩阵基板的特征在于,具备:基板;第1氧化物半导体TFT,其支撑于上述基板,设置在上述非显示区域;周边电路,其包含上述第1氧化物半导体TFT;多个第2氧化物半导体TFT,其支撑于上述基板,设置在上述显示区域;以及第1无机绝缘层,其覆盖上述多个第2氧化物半导体TFT,上述第1氧化物半导体TFT具有:下部栅极电极;栅极绝缘层,其覆盖上述下部栅极电极;氧化物半导体层,其配置为隔着上述栅极绝缘层与上述下部栅极电极相对;源极电极和漏极电极,其连接到上述氧化物半导体层;以及上部栅极电极,其隔着包含上述第1无机绝缘层的绝缘层配置在上述氧化物半导体层之上,在上述上部栅极电极之上,还具有覆盖上述第1氧化物半导体TFT的第2无机绝缘层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.15 JP 2016-0508581.一种有源矩阵基板,具有:显示区域,其包含多个像素;以及非显示区域,其设置在上述显示区域的周边,上述有源矩阵基板的特征在于,具备:基板;第1氧化物半导体TFT,其支撑于上述基板,设置在上述非显示区域;周边电路,其包含上述第1氧化物半导体TFT;多个第2氧化物半导体TFT,其支撑于上述基板,设置在上述显示区域;以及第1无机绝缘层,其覆盖上述多个第2氧化物半导体TFT,上述第1氧化物半导体TFT具有:下部栅极电极;栅极绝缘层,其覆盖上述下部栅极电极;氧化物半导体层,其配置为隔着上述栅极绝缘层与上述下部栅极电极相对;源极电极和漏极电极,其连接到上述氧化物半导体层;以及上部栅极电极,其隔着包含上述第1无机绝缘层的绝缘层配置在上述氧化物半导体层之上,在上述上部栅极电极之上,还具有覆盖上述第1氧化物半导体TFT的第2无机绝缘层。2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,还包含配置在上述第1无机绝缘层与上述第2无机绝缘层之间的有机绝缘层,上述有机绝缘层具有配置为在从上述基板的法线方向观看时与上述第1氧化物半导体TFT的上述氧化物半导体层的至少一部分重叠的开口,上述上部栅极电极的至少一部分配置在上述有机绝缘层的上述开口内。3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,在上述第2无机绝缘层之上还具备透明导电层,上述透明导电层配置为隔着上述第2无机绝缘层与上述上部栅极电极重叠。4.根据权利要求3所述的有源矩阵基板,上述透明导电层覆盖上述周边电路的至少一部分。5.根据权利要求3或4所述的有源矩阵基板,还具备:下部透明电极,其在上述显示区域中设置在上述第1无机绝缘层之上;以及上部透明电极,其隔着上述第2无机绝缘层配置在上述下部透明电极之上,上述上部栅极电极与上述下部透明电极由同一透明导电膜形成,上述透明导电层与上述上部透明电极由同一透明导电膜形成。6.根据权利要求5所述的有源矩阵基板,上述下部透明电极和上述上部透明电极中的一方是像素电极,另一方是共用电极。7.根据权利要求3或4所述的有源矩阵基板,还具备:下部透明电极,其在上述显示区域中设置在上述第1无机绝缘层之上;上部透明电极,其隔着上述第2无机绝缘层配置在上述下部透明电极之上;以及其它配线,其配置在上述第1无机绝缘层与上述上部透明电极之间,上述下...
【专利技术属性】
技术研发人员:菊池哲郎,大东彻,今井元,伊藤俊克,越智久雄,北川英树,铃木正彦,上田辉幸,郡司辽佑,原健吾,西宫节治,
申请(专利权)人:夏普株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。