薄膜晶体管基板和显示面板制造技术

技术编号:19397419 阅读:2 留言:0更新日期:2018-11-10 05:12
阵列基板(薄膜晶体管基板)(11b)具备:源极配线(配线)(20);TFT(薄膜晶体管)(17),其具有多个电极(17a、17b、17c);配线连接部(31),其至少一部分构成多个电极(17a、17b、17c)中的任一电极,且其连接到源极配线(20),包括透光性导电材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管基板和显示面板
本专利技术涉及薄膜晶体管基板和显示面板。
技术介绍
以往,作为液晶显示装置的一例,已知下述专利文献1中记载的液晶显示装置。在专利文献1记载的液晶显示装置所具备的薄膜晶体管基板中,源极部由设置在栅极绝缘膜和氧化物半导体膜的上层的源极金属形成,漏极部由使氧化物半导体膜中的包含与栅极区域侧相反的一侧的表面的一部分氧化物半导体膜低电阻化而成的低电阻化区域构成。现有技术文献专利文献专利文献1:特许第5330603号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在上述的专利文献1所记载的液晶显示装置中,源极部从包括源极金属的源极线朝向薄膜晶体管延伸。该源极部由于与源极线包括相同的源极金属,因此在像素中成为遮光区域而成为了使开口率降低的重要因素,成为了实现高清化上的制约。本专利技术是基于上述的情况而完成的,其目的在于提高开口率。用于解决问题的方案本专利技术的薄膜晶体管基板具备:配线;薄膜晶体管,其具有多个电极;以及配线连接部,其至少一部分构成多个上述电极中的任一电极,且其连接到上述配线,包括透光性导电材料。这样,由配线传送的信号经由连接到配线的配线连接部供应给构成薄膜晶体管的多个电极中的包括配线连接部的一部分的电极。配线连接部包括透光性导电材料,因此,若与将配线连接部的材料设为金属材料等遮光性材料的情况相比,光的透射光量增加,开口率高,从而在实现高清化等方面是优选的。作为本专利技术的实施方式,优选如下构成。(1)具备:第1透明电极,其连接到上述薄膜晶体管的多个上述电极中的任一电极,包括第1透明电极膜;以及第2透明电极,其包括隔着层间绝缘膜与上述第1透明电极膜重叠的第2透明电极膜,与上述第1透明电极之间能形成静电电容或电场,上述配线连接部包括上述第1透明电极膜或上述第2透明电极膜。这样,配线连接部包括作为透光性导电材料的第1透明电极膜或第2透明电极膜,因此,能充分提高开口率。在制造该薄膜晶体管基板时,通过将第1透明电极膜或第2透明电极膜图案化能形成第1透明电极或第2透明电极和配线连接部。由此,能实现制造成本的降低。(2)上述薄膜晶体管是具有包括半导体膜的沟道部并且多个上述电极中包含源极电极和漏极电极的构成,上述源极电极是上述配线连接部的至少一部分,连接到上述沟道部的一端侧,上述漏极电极连接到上述沟道部的另一端侧,上述漏极电极包括上述第1透明电极膜和上述第2透明电极膜中的与上述配线连接部相同的透明电极膜。这样,漏极电极包括作为透光性导电材料的第1透明电极膜或第2透明电极膜,因此,若与将漏极电极的材料设为金属材料等遮光性材料的情况相比,光的透射光量增加,开口率更高。并且,在制造该薄膜晶体管基板时,通过将第1透明电极膜或第2透明电极膜图案化不仅能形成第1透明电极或第2透明电极和配线连接部而且能形成漏极电极。由此,能实现制造成本的进一步降低。(3)上述薄膜晶体管是具有包括氧化物半导体膜的沟道部并且多个上述电极中包含源极电极和漏极电极的构成,上述源极电极是上述配线连接部的至少一部分,连接到上述沟道部的一端侧,上述漏极电极连接到上述沟道部的另一端侧,上述漏极电极包括使上述氧化物半导体膜局部地低电阻化而成的低电阻化区域。这样,漏极电极包括使作为透光性导电材料的氧化物半导体膜局部地低电阻化而成的低电阻化区域,因此,若与将漏极电极的材料设为金属材料等遮光性材料的情况相比,光的透射光量增加,能进一步提高开口率。在制造该薄膜晶体管基板时,通过将氧化物半导体膜图案化不仅能形成沟道部而且能形成漏极电极。由此,能实现制造成本的进一步降低。而且,漏极电极包括氧化物半导体膜的低电阻化区域,源极电极包括第1透明电极膜或第2透明电极膜,因此若与漏极电极和源极电极包括同一透明电极膜的情况相比,能采用使在漏极电极与源极电极之间确保的距离更短的设计。由此,能缩短沟道部,因此能提高薄膜晶体管的特性。(4)上述第1透明电极是一部分与上述配线连接部重叠的像素电极,而上述第2透明电极是与上述像素电极之间形成静电电容并保持充电到上述像素电极的电位的辅助电容电极,上述配线连接部包括上述第2透明电极膜。这样,配线连接部与辅助电容电极包括同一第2透明电极膜,因此,能采用将包括第1透明电极膜的像素电极与配线连接部重叠的配置构成。由此,像素电极的形成范围变广,因此,能进一步提高开口率。(5)上述薄膜晶体管是具有包括氧化物半导体膜的沟道部并且多个上述电极中包含源极电极和漏极电极的构成,上述源极电极是上述配线连接部的至少一部分,连接到上述沟道部的一端侧,上述漏极电极连接到上述沟道部的另一端侧,上述配线连接部包括使上述氧化物半导体膜局部地低电阻化而成的低电阻化区域。这样,配线连接部包括使作为透光性导电材料的氧化物半导体膜局部地低电阻化而成的低电阻化区域,因此,能充分提高开口率。在制造该薄膜晶体管基板时,通过将氧化物半导体膜图案化能形成沟道部和配线连接部。由此,能实现制造成本的降低。(6)具备:第1透明电极,其连接到上述薄膜晶体管的上述漏极电极,包括第1透明电极膜;以及第2透明电极,其包括隔着层间绝缘膜与上述第1透明电极膜重叠的第2透明电极膜,与上述第1透明电极之间能形成静电电容或电场,上述漏极电极包括上述第1透明电极膜或上述第2透明电极膜。这样,漏极电极包括作为透光性导电材料的第1透明电极膜或第2透明电极膜,因此,若与将漏极电极设为金属材料等遮光性材料的情况相比,光的透射光量增加,开口率更高。并且,在制造该薄膜晶体管基板时,通过将第1透明电极膜或第2透明电极膜图案化能形成第1透明电极或第2透明电极和漏极电极。由此,能实现制造成本的进一步降低。而且,漏极电极包括第1透明电极膜或第2透明电极膜,源极电极包括氧化物半导体膜的低电阻化区域,因此若与漏极电极和源极电极包括同一透明电极膜的情况相比,能采用使在漏极电极与源极电极之间确保的距离更短的设计。由此,能缩短沟道部,因此能提高薄膜晶体管的特性。(7)上述漏极电极包括使上述氧化物半导体膜局部地低电阻化而成的低电阻化区域。这样,漏极电极和配线连接部的源极电极均包括氧化物半导体膜的低电阻化区域,因此若与漏极电极和源极电极包括同一透明电极膜的情况相比,能采用使在漏极电极与源极电极之间确保的距离更短的设计。由此,能缩短沟道部,因此能提高薄膜晶体管的特性。(8)上述薄膜晶体管是具有包括半导体膜的沟道部并且多个上述电极中包含源极电极和漏极电极的构成,上述源极电极是上述配线连接部的至少一部分,连接到上述沟道部的一端侧,上述漏极电极连接到上述沟道部的另一端侧,上述薄膜晶体管基板具备绝缘膜,上述绝缘膜配置在上述半导体膜的上层侧,在与上述源极电极和上述漏极电极重叠的位置分别形成有开口部。这样,例如,在源极电极和漏极电极包括配置在绝缘膜的上层侧的透明电极膜的情况下,源极电极和漏极电极通过形成于绝缘膜的2个开口部分别连接到包括半导体膜的沟道部。除此以外,例如,在半导体膜为氧化物半导体膜,源极电极和漏极电极包括使氧化物半导体膜局部地低电阻化而成的低电阻化区域的情况下,如果通过形成于绝缘膜的2个开口部使氧化物半导体膜低电阻化,则能形成连接到沟道部的源极电极和漏极电极。在任一情况下,沟道部的长度都由绝缘膜的2个开口部之间的距离规定,因此,沟道部的长度不易产生差别本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管基板,其特征在于,具备:配线;薄膜晶体管,其具有多个电极;以及配线连接部,其至少一部分构成多个上述电极中的任一电极,且其连接到上述配线,包括透光性导电材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.04 JP 2016-0419671.一种薄膜晶体管基板,其特征在于,具备:配线;薄膜晶体管,其具有多个电极;以及配线连接部,其至少一部分构成多个上述电极中的任一电极,且其连接到上述配线,包括透光性导电材料。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,具备:第1透明电极,其连接到上述薄膜晶体管的多个上述电极中的任一电极,包括第1透明电极膜;以及第2透明电极,其包括隔着层间绝缘膜与上述第1透明电极膜重叠的第2透明电极膜,与上述第1透明电极之间能形成静电电容或电场,上述配线连接部包括上述第1透明电极膜或上述第2透明电极膜。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板,上述薄膜晶体管是具有包括半导体膜的沟道部并且多个上述电极中包含源极电极和漏极电极的构成,上述源极电极是上述配线连接部的至少一部分,连接到上述沟道部的一端侧,上述漏极电极连接到上述沟道部的另一端侧,上述漏极电极包括上述第1透明电极膜和上述第2透明电极膜中的与上述配线连接部相同的透明电极膜。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板,上述薄膜晶体管是具有包括氧化物半导体膜的沟道部并且多个上述电极中包含源极电极和漏极电极的构成,上述源极电极是上述配线连接部的至少一部分,连接到上述沟道部的一端侧,上述漏极电极连接到上述沟道部的另一端侧,上述漏极电极包括使上述氧化物半导体膜局部地低电阻化而成的低电阻化区域。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板,上述第1透明电极是一部分与上述配线连接部重叠的像素电极,而上述第2透明电极是与上述像素电极之间形成静电电容并保持充电到上述像素电极的电位的辅助电容电极,上述配线连接部包括上述第2透明电极膜。6.根据权利要求1所述的薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员:冈田训明内田诚一上田直树佐佐木贵启
申请(专利权)人:夏普株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1