一种封装结构、应用其的低熔点金属器件及其封装方法技术

本发明专利技术提供一种封装结构、应用其的低熔点金属器件及其封装方法，涉及电子封装技术领域。本发明专利技术提供的封装结构用于对基材上的低熔点金属线路进行封装，所述封装结构包括：依次覆盖于所述低熔点金属线路上的一层保护层、至少一层粘接层和一层隔离层；其中，所述保护层直接与所述低熔点金属线路接触，所述保护层用于防止所述低熔点金属线路变形，所述粘接层用于粘接所述保护层和所述隔离层，所述隔离层用于隔绝空气和水蒸汽。本发明专利技术的技术方案能够防止低熔点金属线路变形，且防止空气和水蒸汽与低熔点金属线路接触。

Packaging structure, low melting point metal device and packaging method thereof

The invention provides a packaging structure, a low melting point metal device applied thereto and a packaging method thereof, which relates to the technical field of electronic packaging. The encapsulation structure provided by the invention is used for encapsulating low melting point metal lines on substrates. The encapsulation structure comprises a protective layer, at least one adhesive layer and one isolation layer which are successively covered on the low melting point metal lines, in which the protective layer is directly in contact with the low melting point metal lines. The protective layer is used to prevent the deformation of the low melting point metal line, the adhesive layer is used to bond the protective layer and the isolating layer, and the isolating layer is used to isolate air and water vapor. The technical scheme of the invention can prevent the deformation of the low melting point metal line and prevent air and steam from contacting the low melting point metal line.

【技术实现步骤摘要】
一种封装结构、应用其的低熔点金属器件及其封装方法
本专利技术涉及电子封装
，尤其涉及一种封装结构、应用其的低熔点金属器件及其封装方法。
技术介绍
低熔点金属的熔点在300摄氏度以下，而且具有金属的导电性，可以用于制作低熔点金属电路板。近年来，在教育产业、传媒等领域，智能电子互动技术发展日趋成熟，实现了多种交互方式的创新突破，低熔点金属电路板可以用作互动模块电路板。但是低熔点金属的性质活泼，易于与空气和水蒸汽等反应造成失效，容易导致互动模块的稳定性较差，使用寿命较短，因此，需要对低熔点金属线路进行有效封装。而现有技术中也公开了一些封装方法，主要用于封装LED、太阳能芯片等，具体地，中国专利CN103855277B公开了一种LED封装方法，首先采用激光刻蚀的方式在基材上形成刻蚀槽，用荧光胶粘贴金属刻蚀片，通过焊接LED晶片电极与金属刻蚀片形成电通路，然后在金属刻蚀片下贴设胶带，最后覆盖透明封装胶，将LED器件封装在胶膜内部。改法仅针对LED器件封装，不涉及大面积电路封装。且其中灌封透明封装胶的方法，无法满足垂直立面基材的封装。中国专利CN106941123A公开了一种用于太阳能汽车的太阳能芯片封装方法，该封装方法包括在芯片背面喷涂胶水，在太阳能芯片层覆盖盖板并在盖板上方进行防护处理。该封装方法对太阳能芯片做了较完善的保护，但是采用了刚性的盖板保护，缺乏制作柔性器件的可能性。中国专利CN103171222A公开了一种柔性电子封装应用类高粘度复合膜及其加工方法。其中采用等离子法处理聚脂薄膜基材，然后再聚脂薄膜上涂布聚乙烯亚胺溶液层、聚烯烃树脂层及VAE乳液层，最终经过热处理、臭氧处理等手段，形成高粘度复合膜，该复合膜用于封装厚度不均的表面时效果不佳。且由于聚乙烯亚胺的存在，使得制备的高粘度复合膜有较强的吸湿性能。但现有技术中的各种封装方式均未实现对低熔点金属线路的封装，且均存在一定问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种封装结构、应用其的低熔点金属器件及其封装方法，可以防止低熔点金属线路变形，且防止空气和水蒸汽与低熔点金属线路接触。第一方面，本专利技术提供一种封装结构，采用如下技术方案：所述封装结构用于对基材上的低熔点金属线路进行封装，所述封装结构包括：依次覆盖于所述低熔点金属线路上的一层保护层、至少一层粘接层和一层隔离层；其中，所述保护层直接与所述低熔点金属线路接触，所述保护层用于防止所述低熔点金属线路变形，所述粘接层用于粘接所述保护层和所述隔离层，所述隔离层用于隔绝空气和水蒸汽。可选地，按重量百分比计，所述保护层由85％～99％胶料、0％～15％稀释剂、0％～10％催干剂和0％～1％消泡剂组成；按重量百分比计，所述粘接层由85％～99％胶料、0％～15％稀释剂、0％～10％催干剂和0％～1％消泡剂组成；按重量百分比计，所述隔离层由85％～99％胶料、0％～15％稀释剂、0％～10％催干剂和0％～1％消泡剂组成。示例性地，所述保护层中的胶料为聚氯酯或者丙烯酸类胶黏剂。示例性地，所述粘接层中的胶料为环氧树脂、聚氯酯或者聚脲类胶黏剂。示例性地，所述隔离层中的胶料为聚氯酯清漆、有机硅灌封胶或者乳胶漆。可选地，所述保护层、所述粘接层和所述隔离层的厚度均为10-3mm～100mm。进一步地，所述保护层的厚度为0.01mm～0.4mm；所述粘接层的厚度为0.05mm～0.4mm；所述隔离层的厚度为0.01mm～0.4mm。可选地，所述粘接层的层数为1层～10层。进一步地，所述粘接层的层数为1层～6层。可选地，所述封装结构还包括位于所述基材与所述低熔点金属线路之间的至少一层底胶层，所述底胶层用于粘附所述低熔点金属线路且隔绝空气和水蒸汽。示例性地，按重量百分比计，所述底胶层由85％～99％胶料、0％～15％稀释剂、0％～10％催干剂和0％～1％消泡剂组成。进一步地，所述底胶层中的胶料为聚二氯乙烯、VAE乳液或者乳胶漆。示例性地，所述底胶层的厚度为10-3mm～10-1mm。第二方面，本专利技术提供一种低熔点金属器件，采用如下技术方案：所述低熔点金属器件包括基材、位于所述基材上的低熔点金属线路，以及以上任一项所述的封装结构。可选地，所述低熔点金属器件还包括与所述低熔点金属线路连接的电子元件，所有所述粘接层的总厚度大于所述电子元件的高度。可选地，所述基材为刚性基材或者柔性基材，所述刚性基材包括木板、金属板、水泥板、聚合物板、建筑墙体或者载具外壳；所述柔性基材包括服装、帐篷或者箱包。进一步地，所述基材为水泥板，底胶层中的胶料为聚二氯乙烯；所述基材为涤纶布，底胶层中的胶料为印花粘合剂；所述基材为有机玻璃板，底胶层中的胶料为水性聚氯酯乳液，所述基材为木板，底胶层中的胶料为VAE乳液。第三方面，本专利技术提供一种封装方法，采用如下技术方案：所述封装方法包括：步骤S1、提供一基材，所述基材上形成有低熔点金属线路；步骤S2、在所述基材上喷涂保护层对应材料，使其完全固化形成所述保护层；步骤S3、在所述保护层上喷涂、刷涂或辊涂粘接层对应材料，使其完全固化形成一层所述粘接层，执行以上过程至少一次，以形成至少一层所述粘接层；步骤S4、在至少一层所述粘接层上喷涂隔离层对应材料，使其完全固化形成所述隔离层。可选地，所述封装方法还包括：在所述基材上形成所述低熔点金属线路之前，在所述基材上喷涂、刷涂或辊涂底胶层对应材料，使其完全固化形成所述底胶层。本专利技术提供了一种封装结构、应用其的低熔点金属器件及其封装方法，其中，该封装结构包括依次覆盖于低熔点金属线路上的一层保护层、至少一层粘接层和一层隔离层，由于保护层直接与低熔点金属线路接触，保护层用于防止低熔点金属线路变形，粘接层用于粘接保护层和隔离层，隔离层用于隔绝空气和水蒸汽，从而可以有效防止低熔点金属线路变形，且防止空气和水蒸汽与低熔点金属线路接触，使得低熔点金属器件的稳定性较好，使用寿命较长。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的低熔点金属器件的结构示意图一；图2为本专利技术实施例提供的低熔点金属器件的结构示意图二；图3为本专利技术实施例提供的低熔点金属器件的结构示意图三；图4为本专利技术实施例提供的封装方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下本专利技术实施例中的各技术特征均可以相互结合。本专利技术实施例提供了一种封装结构，具体地，如图1和图2所示，图1为本专利技术实施例提供的低熔点金属器件的结构示意图一，图2为本专利技术实施例提供的低熔点金属器件的结构示意图二，该低熔点金属器件包括基材1、低熔点金属线路2和封装结构3，封装结构用于对基材上的低熔点金属线路进行封装。如图1所示，封本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，用于对基材上的低熔点金属线路进行封装，其特征在于，所述封装结构包括：依次覆盖于所述低熔点金属线路上的一层保护层、至少一层粘接层和一层隔离层；其中，所述保护层直接与所述低熔点金属线路接触，所述保护层用于防止所述低熔点金属线路变形，所述粘接层用于粘接所述保护层和所述隔离层，所述隔离层用于隔绝空气和水蒸汽。

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，用于对基材上的低熔点金属线路进行封装，其特征在于，所述封装结构包括：依次覆盖于所述低熔点金属线路上的一层保护层、至少一层粘接层和一层隔离层；其中，所述保护层直接与所述低熔点金属线路接触，所述保护层用于防止所述低熔点金属线路变形，所述粘接层用于粘接所述保护层和所述隔离层，所述隔离层用于隔绝空气和水蒸汽。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，按重量百分比计，所述保护层由85％～99％胶料、0％～15％稀释剂、0％～10％催干剂和0％～1％消泡剂组成；按重量百分比计，所述粘接层由85％～99％胶料、0％～15％稀释剂、0％～10％催干剂和0％～1％消泡剂组成；按重量百分比计，所述隔离层由85％～99％胶料、0％～15％稀释剂、0％～10％催干剂和0％～1％消泡剂组成。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述保护层中的胶料为聚氯酯或者丙烯酸类胶黏剂。4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述粘接层中的胶料为环氧树脂、聚氯酯或者聚脲类胶黏剂。5.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述隔离层中的胶料...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑翰，董仕晋，班茹悦，于洋，刘静，
申请(专利权)人：北京梦之墨科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11