The invention belongs to the field of semiconductor devices, and discloses a large size single crystal stannous oxide and a preparation method thereof. SnCl2.2H_2O is dissolved in acid solution, and then dripped with alkaline solution to adjust the pH value of solution from 11.5 to 12.5 to form white sol Sn6O4 (OH) 4. After ultrasonic treatment or heat treatment, the black precipitate is obtained. The precipitate is separated, washed and dried to obtain the large-size single crystal tin oxide. The invention uses acid-base neutralization reaction mechanism to prepare large-size single crystal SnO. The preparation method of the invention is simple in operation, requires no special requirements for raw materials and equipment, and the prepared single crystal SnO has large size and regular shape, which can effectively improve the performance of the field effect transistor.
【技术实现步骤摘要】
一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法
本专利技术属于半导体器件领域,具体涉及一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法。
技术介绍
场效应晶体管(Field-EffectTransistor,简称FET),是一种在显示器中应用广泛的半导体器件,多用作主动式矩阵液晶显示屏(AMLCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)像素电路的重要元件。场效应晶体管可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(JGFET)两大类,而在绝缘栅型场效应管中最常见的是MOS场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,简称MOSFET),它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上,一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管,其输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是称之为场效应管的原因。常规P型沟道层的场效应晶体管的结构示意图如图1所示,由源极01,栅极02,金属层03,漏极04,氧化层05和半导体06构成。单晶SnO一般用于P型半导体的沟道层,大尺寸单晶SnO可以使场效应晶体管具有较高的迁移率以及良好的稳定性。但现有的技术很难制取尺寸大于100μm的单晶SnO。
技术实现思路
针对以上现有技术存在的缺点和不足之处,本专利技术的首要目的在于提供一种大尺寸单晶氧化亚锡的制备方法。本专利技术的另一目的在于提供一种通过上述方法制备得到的单晶氧化亚锡。本专利技 ...
【技术保护点】
1.一种大尺寸单晶氧化亚锡的制备方法,其特征在于包括如下制备步骤:将SnCl2·2H2O溶解在酸溶液中,然后滴加碱性溶液,调节溶液pH值范围为11.5~12.5,生成白色溶胶物质Sn6O4(OH)4,然后超声处理或加热处理,得到黑色沉淀物质,沉淀经分离、洗涤、干燥,得到所述大尺寸单晶氧化亚锡。
【技术特征摘要】
1.一种大尺寸单晶氧化亚锡的制备方法,其特征在于包括如下制备步骤:将SnCl2·2H2O溶解在酸溶液中,然后滴加碱性溶液,调节溶液pH值范围为11.5~12.5,生成白色溶胶物质Sn6O4(OH)4,然后超声处理或加热处理,得到黑色沉淀物质,沉淀经分离、洗涤、干燥,得到所述大尺寸单晶氧化亚锡。2.根据权利要求1所述一种大尺寸单晶氧化亚锡的制备方法,其特征在于:所述酸溶液是指浓度为0.16~0.2mol/L的稀盐酸。3.根据权利要求1所述一种大尺寸单晶氧化亚锡的制备方法,其特征在于:所述碱性溶液是指NaOH溶液。...
【专利技术属性】
技术研发人员:宁洪龙,邓培淼,谢伟广,姚日晖,周尚雄,何锐辉,章红科,邓宇熹,卢宽宽,彭俊彪,
申请(专利权)人:华南理工大学,
类型:发明
国别省市:广东,44
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