一种闪存数据处理方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种闪存数据处理方法及装置，该方法包括：根据预设处理条件对闪存进行处理；将预先设置的闪存数据写入处理后的闪存中；利用预设偏移电压对处理后的闪存进行读操作，并根据读操作结果和闪存数据统计预设偏移电压的错误率；将满足错误率满足预设条件的预设偏移电压确定为闪存的最优偏移电压。本发明专利技术通过对不同处理条件下的闪存进行读写仿真，来确定不同处理条件下的最优偏移电压。这就可以在下次读发生时，利用该最优偏移电压调整读电压，从而大大提高闪存数据的读取的准确性，同时对固态存储产品的寿命也有大幅度改善。

A flash memory data processing method and device

The invention provides a flash data processing method and device, which includes: processing flash memory according to preset processing conditions; writing pre-set flash data into processed flash memory; reading the processed flash memory by preset offset voltage, and counting pre-processing according to reading operation results and flash data. The error rate of offset voltage is set, and the preset offset voltage satisfying the preset condition is determined as the optimal offset voltage of flash memory. The invention determines the optimal offset voltage under different processing conditions by reading and writing simulation of flash memory under different processing conditions. This can be used to adjust the reading voltage when the next reading occurs, which greatly improves the accuracy of flash data reading, and also greatly improves the life of solid-state storage products.

【技术实现步骤摘要】
一种闪存数据处理方法及装置
本专利技术涉及固态存储
，更具体地说，涉及一种闪存数据处理方法及装置。
技术介绍
近年来，基于NandFlash闪存的固态存储产品逐渐替代了机械硬盘，其中3DTLC逐渐成为市场主导。由于闪存介质所特有的性质，在数据保存方面容易出现电子丢失的情况。为了补偿所丢失的电子，目前常采用固定偏移电压来调整读电压，但由于造成电子丢失的因素不同，通用的采用固定偏移电压并无法保证闪存数据读取的准确性。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种闪存数据管理方法及装置。技术方案如下：一种闪存数据处理方法，包括：根据预设处理条件对所述闪存进行处理；将预先设置的闪存数据写入处理后的所述闪存中；利用预设偏移电压对处理后的所述闪存进行读操作，并根据读操作结果和所述闪存数据统计所述预设偏移电压的错误率；将满足错误率满足预设条件的所述预设偏移电压确定为所述闪存的最优偏移电压。优选的，所述预设处理条件，包括：预设存放时长、预设读次数、预设擦写次数以及预设跨温度中的任意一个。优选的，在所述预设处理条件为所述预设存放时长的情况下，在所述根据预设处理条件对所述闪存进行处理之前，所述方法还包括：采用预置高温环境的方式调整所述预设存放时长。优选的，在所述预设处理条件为所述预设读次数的情况下，所述根据预设处理条件对所述闪存进行处理，包括：利用预设读方式对所述闪存进行读操作；其中，所述预设读方式包括连续读和/或随机读。优选的，所述方法还包括：根据所述预设处理条件和所述预设偏移电压的错误率，绘制第一曲线。优选的，所述方法还包括：根据所述预设偏移电压以及所述预设偏移电压的错误率，绘制第二曲线。一种闪存数据处理装置，包括：闪存处理模块，用于根据预设处理条件对所述闪存进行处理；写操作模块，用于将预先设置的闪存数据写入处理后的所述闪存中；读操作模块，用于利用预设偏移电压对处理后的所述闪存进行读操作，并根据读操作结果和所述闪存数据统计所述预设偏移电压的错误率；确定模块，用于将满足错误率满足预设条件的所述预设偏移电压确定为所述闪存的最优偏移电压。优选的，所述预设处理条件，包括：预设存放时长、预设读次数、预设擦写次数以及预设跨温度中的任意一个。优选的，所述装置还包括：时长调整模块，用于在所述预设处理条件为所述预设存放时长的情况下，采用预置高温环境的方式调整所述预设存放时长。优选的，用于根据预设处理条件对所述闪存进行处理的所述闪存处理模块，具体用于：利用预设读方式对所述闪存进行读操作；其中，所述预设读方式包括连续读和/或随机读。相较于现有技术，本专利技术实现的有益效果为：本专利技术提供一种闪存数据处理方法及装置，首先利用预设处理条件对闪存进行处理，然后将闪存数据写入处理后的闪存中，进而结合预设偏移电压对处理后的闪存进行读操作，以预设偏移电压的错误率为基础确定最优偏移电压。本专利技术通过对不同处理条件下的闪存进行读写仿真，来确定不同处理条件下的最优偏移电压。这就可以在下次读发生时，利用该最优偏移电压调整读电压，从而大大提高闪存数据的读取的准确性，同时对固态存储产品的寿命也有大幅度改善。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的闪存数据处理方法的方法流程图；图2为本专利技术实施例提供的闪存数据处理方法的另一方法流程图；图3a示出一种第一曲线示例；图3b示出另一第一曲线示例；图3c示出再一第一曲线示例；图3d示出再一第一曲线示例；图3e示出又一第一曲线示例；图4为本专利技术实施例提供的闪存数据处理方法的再一方法流程图；图5为本专利技术实施例提供的闪存数据处理装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种闪存数据处理方法，该方法的方法流程图如图1所示，包括如下步骤：S10，根据预设处理条件对闪存进行处理。基于闪存的电特性，如果存放冷数据的时间过长、擦写次数达到限定阈值、访问次数不断积累、跨温度读写这四个因素都容易导致电子丢失，影响闪存数据稳定。本实施例中，预设处理条件包括预设存放时长、预设读次数、预设擦写次数以及预设跨温度中的任意一个。其中，预设存放时长是指预先设置闪存在通电状态下的保持时长，预设读次数是指预先设置读取同一物理block的次数，预设擦写次数是指预先设置擦写同一物理block的次数，预设跨温度则是指预先设置对闪存进行写和读操作时环境温度差。其中，物理block是闪存的最小存储和处理单位，包含块本身的头信息数据或PL/SQL代码。在预设处理条件为预设存放时长的情况下，需要按照预设存放时长存放闪存，而为缩短存放时长，在其他一些实施例中，在图1所示出的闪存数据处理方法的基础上，还包括如下步骤：采用预置高温环境的方式调整预设存放时长。本实施例中，可以控制闪存的温度状态，以实现将闪存设置于预置高温环境中，从而加快闪存的老化，在保证处理结果相同的前提下，缩短预设存放时长。而闪存的温度状态，比如温度值、温度保存时长可以结合闪存的老化程度所确定。在预设处理条件为预设读次数的情况下，需要按照预设读次数对闪存中所写入的闪存数据进行读操作。在实际应用过程中，可以以预设读方式进行读操作，该预设读方式包括连续读和随机读中的任意一种或多种，每种方式对应各自的最优偏移电压；其中，连续读是指依次读取物理block中不同配置页的闪存数据，而随机读则是指随机读取物理block中不同配置页的闪存数据。在预设处理条件为预设擦写次数的情况下，首先将闪存进行擦除操作，以避免闪存中的无用数据对后续结果产生干扰。然后对闪存直接进行写操作，在填满物理block之后进行擦操作，重复执行，直到达到预设擦写次数。需要说明的是，完成一次写操作和擦操作操作次数加1.在预设处理条件为预设跨温度的情况下，首先确定基准温度，比如将常温25℃设置为基准温度，进而利用预设跨温度确定闪存的目标环境温度，如果预设跨温度为10℃，则目标环境温度为35℃，反之，如果预设跨温度为-10℃，则目标环境温度为15℃。最后，控制闪存的当前环境温度为目标环境温度。S20，将预先设置的闪存数据写入处理后的闪存中。在执行步骤S10的过程中，首先对处理后闪存进行擦除操作，以避免无用数据对后续结果产生干扰；然后直接进行写操作。而所写入的闪存数据的数据量，本实施例并不做限定，可根据实际需要进行设置，比如可填满闪存整盘容量。S30，利用预设偏移电压对处理后的闪存进行读操作，并根据读操作结果和闪存数据统计预设偏移电压的错误率。本实施例中，可以设置一组预设偏移电压，利用每个预设偏移电压来调节读电压，从而以调节后的读电压进行读操作。此外，在每次读操作完成之后，可以对比读操作结果以及闪存数据，从而来确定此次读操作的错误率。在实际应用过程中，可以采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存数据处理方法，其特征在于，包括：根据预设处理条件对所述闪存进行处理；将预先设置的闪存数据写入处理后的所述闪存中；利用预设偏移电压对处理后的所述闪存进行读操作，并根据读操作结果和所述闪存数据统计所述预设偏移电压的错误率；将满足错误率满足预设条件的所述预设偏移电压确定为所述闪存的最优偏移电压。

【技术特征摘要】
1.一种闪存数据处理方法，其特征在于，包括：根据预设处理条件对所述闪存进行处理；将预先设置的闪存数据写入处理后的所述闪存中；利用预设偏移电压对处理后的所述闪存进行读操作，并根据读操作结果和所述闪存数据统计所述预设偏移电压的错误率；将满足错误率满足预设条件的所述预设偏移电压确定为所述闪存的最优偏移电压。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设处理条件，包括：预设存放时长、预设读次数、预设擦写次数以及预设跨温度中的任意一个。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述预设处理条件为所述预设存放时长的情况下，在所述根据预设处理条件对所述闪存进行处理之前，所述方法还包括：采用预置高温环境的方式调整所述预设存放时长。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述预设处理条件为所述预设读次数的情况下，所述根据预设处理条件对所述闪存进行处理，包括：利用预设读方式对所述闪存进行读操作；其中，所述预设读方式包括连续读和/或随机读。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：根据所述预设处理条件和所述预设偏移电压的错误率，绘制第一曲线。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭峰，
申请(专利权)人：郑州云海信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41